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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]硅腐蚀液激活方法-CN202011616697.7有效
  • 方小磊;王冠智;叶武阳;陈艳明;吕磊;陶继闯 - 长春长光圆辰微电子技术有限公司
  • 2020-12-30 - 2023-05-12 - H01L21/306
  • 本发明公开了一种硅腐蚀液激活方法，通过将设备初始化后，更换硅腐蚀液、然后将3至5片高掺杂硅片传送至设备的工艺腔内，选好对应的操作程序后，使硅腐蚀液和高掺杂硅片反应，反应后的硅腐蚀液自动返回至容器内，测试硅腐蚀液的腐蚀速率与选择比。采用通常的激活方式得到的硅腐蚀液的腐蚀速率(高掺杂硅)一般为5‑5.5um/min，选择比不高于80。本发明提出的硅腐蚀液激活方法可以将腐蚀速率(高掺杂硅)提高至6.5‑7um/min，选择比在100以上。此外，本发明提出的方法中所使用的激活用硅片可以无限制重复利用，直至厚度过薄无法机械传片。一般来说，激活硅片可以重复利用8‑12次，大大降低了成本。
  • 腐蚀激活方法
  • [发明专利]在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法-CN202210694560.6在审
  • 陶继闯;孙萱;李闯 - 长春长光圆辰微电子技术有限公司
  • 2022-06-20 - 2022-09-20 - B24B1/00
  • 本发明提供一种在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法，包括以下步骤：S1、通过化学气相沉积法分别在长锗硅片和普通硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅；S2、对长锗硅片进行改良磨边工艺处理；S3、对普通硅片进行常规化学机械抛光处理，对长锗硅片进行改良化学机械抛光工艺处理，分别得到表面二氧化硅厚度为和长锗硅片和普通硅片；S4、将长锗硅片和普通硅片依次进行键合、退火和减薄处理。本发明通过将普通硅片和长锗硅片相键合的方式，可使GOI硅片在CMP后的边缘剥落控制在7mm左右，大大减少了其边缘剥落的面积，可用面积增加了50％左右，大大提高了GOI硅片的生产良率。
  • goi生产减少cmp大面积边缘剥落方法
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  • 共 3 条
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