“陈鲁夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高压半导体装置-CN201910187396.8有效
发明人：韦维克;陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底，具有第一导电类型，源极区和漏极区设置于半导体衬底上，其中漏极区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且源极区包含分别具有第一导电类型和第二导电型的两个部分，第一隔离结构和第二隔离结构分别设置于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构在源极区与漏极区之间，第一阱设置于第二隔离结构下且具有第一导电类型，其中第一阱的顶面邻接第二隔离结构的底面，以及第一埋层设置于半导体衬底内且具有第一导电类型，其中第一埋层与第一阱重迭。
高压半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201811123346.5有效
发明人： 陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：半导体装置包含半导体衬底，具有第一导电类型，深阱设置于半导体衬底上，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一阱和第二阱设置于深阱内且具有第一导电类型，其中第一阱和第二阱由深阱的一部分隔开，且第一阱电连接于第二阱，以及第一掺杂区和第二掺杂区设置于深阱内且具有第二导电类型，其中第一阱和第二阱位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201711204360.3有效
发明人：苏布;陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，具有第一导电类型。磊晶层，设于基板上且具有第二导电类型。第二导电类型第一埋藏层，设置于基板的高电位区中，第二导电类型第一埋藏层具有第二导电类型。第二导电类型第二埋藏层，位于第二导电类型第一埋藏层的正上方，第二导电类型第二埋藏层具有第二导电类型。第二导电类型第一埋藏层的顶面与第二导电类型第二埋藏层的顶面分别与磊晶层的顶面相距不同距离。第二导电类型第一埋藏层的掺质浓度小于第二导电类型第二埋藏层的掺质浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]瞬间电压抑制二极管装置及其制造方法-CN201710754861.2有效
发明人： 陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种瞬间电压抑制二极管装置及其制造方法。瞬间电压抑制二极管装置包括基板；第二导电类型第一外延层，设置于基板上；第二导电类型第二外延层，设置于第二导电类型第一外延层和基板之间；多个沟槽隔离物，自第二导电类型第一外延层延伸穿过第二导电类型第二外延层至基板中，沟槽隔离物将基板划分为第一主动区，其包括第二导电类型掺杂阱，设置于第二导电类型第一外延层内；第一导电类型掺杂阱和第一导电类型埋藏层，设置于第二导电类型第二外延层内；第二导电类型掺杂阱与第一导电类型埋藏层作为齐纳二极管。
瞬间电压抑制二极管装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610897750.2有效
发明人：韦维克;陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其具有顶层掺杂区。所述顶层掺杂区的一侧的掺质浓度梯度与其相对侧的掺质浓度梯度不同。所述顶层掺杂区可提升器件的击穿电压，并降低器件的开启状态电阻。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610019479.2有效
发明人：韦维克;陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/339 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底，且衬底包括：高电位区；低电位区；及隔离区，包括电位转换区以及连接区；外延层；第一导电型第一底掺杂区，设于连接区中；第一导电型第一顶掺杂区，设于连接区中，且直接接触第一导电型第一底掺杂区；至少一个第二导电型第一掺杂区，设于第一导电型第一顶掺杂区或第一导电型第一底掺杂区中；第一导电型体区；第一导电型掺杂区；源极区；漏极区；栅极电极；源极电极；及漏极电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法-CN201410487555.3有效
发明人： 陈鲁夫;陈柏安;伊牧 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法。上述绝缘栅极双极性晶体管包括主体；漂移区，接近于主体的顶面；集极区，从主体的底面延伸至主体中；一栅极结构，位于漂移区上；第一井区和第二井区，位于上述漂移区上，且位于上述第一栅极结构的两侧；第一射极区，位于第一井区中；第二射极区，位于第二井区中，第一射极区与第一井区之间的深度差不同于第二射极区与第二井区之间的深度差。
绝缘栅极极性晶体管及其制造方法

[发明专利]绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法-CN201410527310.9有效
发明人：陈柏安;伊牧;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅极双极性晶体管包括：集极电极；集极层；第一导电型漂移层，设于集极层上；第一射极层；沟槽，自第一射极层的表面延伸入第一导电型漂移层中，其中沟槽具有相对的第一侧及第二侧；栅极电极，填入沟槽中且延伸于第一射极层的表面上，其中在第一侧及第二侧的栅极电极于第一射极层的表面上的延伸距离不同；栅极介电层；第二射极区；层间介电层；及射极电极。
绝缘栅极极性晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201510666469.3有效
发明人：陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体结构，用以释放一静电放电电流，并包括一衬底、一第一掩埋层、一第二掩埋层、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一沟渠式栅极以及一第二掺杂区。第一及第二掩埋层形成在衬底之上。第一阱形成在第一掩埋层之上。第二阱形成在第二掩埋层之上，重叠部分第二掩埋层。第一掺杂区形成在第一阱之中。沟渠式栅极延伸进入第二阱以及第一掩埋层。第二掺杂区形成在第二阱之中，并接触沟渠式栅极。
半导体结构

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201410507503.8有效
发明人： 陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括发射极电极、集电极电极、第一导电型态的集电极层、第二导电型态的掺杂层、第二导电型态的集电极层以及第一导电型态的基极层。发射极电极与集电极电极分别位于绝缘栅双极晶体管的相对两侧。第一导电型态的集电极层接触集电极电极的第一表面。第二导电型态的掺杂层覆盖该第一导电型态的集电极层。第二导电型态的集电极层接触集电极电极的第二表面。第一导电型态的集电极层与第二导电型态的集电极层交替设置。第一导电型态的基极层用以阻隔第二导电型态的集电极层与第一导电型态的集电极层。
绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜电阻器、半导体元件及其制造方法-CN201610394947.4在审
发明人： 陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻器、半导体元件及其制造方法，具有薄膜电阻器的半导体元件包括具有第一区与第二区的基底。第二区配置有至少一金属氧化物半导体场效应晶体管。第一区包括多个第一导体结构、第一介电层、电阻层、第二介电层以及多个接触窗。第一导体结构位于第一区的基底上。第一介电层覆盖第一导体结构，以电性隔离第一导体结构。电阻层位于第一介电层上。第二介电层位于电阻层上。接触窗至少贯穿第二介电层，并分别与电阻层电连接。
薄膜电阻器半导体元件及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201510188847.1在审
发明人： 陈鲁夫;陈柏安;伊牧 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，其中，绝缘栅双极晶体管包括第一掺杂层、第一载子存储层、第二掺杂层、发射极层、沟槽、栅极、第二载子存储层、集电极层、发射极电极以及集电极电极。第一掺杂层包括彼此相对的一第一表面以及一第二表面。第一载子存储层设置于第一掺杂层的第一表面上。第二掺杂层设置于第一载子存储层上。沟槽穿透第二掺杂层以及第一载子存储层。第二载子存储层设置于沟槽与第一掺杂层之间。集电极层接触第一掺杂层的第二表面。
绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]绝缘栅极双极性晶体管及其制造方法-CN201410383362.3在审
发明人：伊牧;陈柏安;陈鲁夫 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种绝缘栅极双极性晶体管，包括：基板；具有第一导电型集电极区及相邻的第二导电型集电极区，自基板的下表面延伸入基板中；集电极电极，电连接第二导电型集电极区，且通过集电极绝缘层与第一导电型集电极区电性绝缘；第一发射极区，第二发射极区，以及第一导电型基极区；发射极电极，栅极介电层，及栅极电极，栅极电极设于栅极介电层上。本发明实施例亦提供此绝缘栅极双极性晶体管的制造方法。
绝缘栅极极性晶体管及其制造方法

1
共 13 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top