专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]记忆体结构及形成记忆体结构的方法-CN201410549666.2有效
  • 刘柏村;范扬顺;陈钧罄 - 财团法人交大思源基金会
  • 2014-10-16 - 2019-04-12 - H01L27/24
  • 本发明揭露一种记忆体结构及形成记忆体结构的方法。记忆体结构包含一控制单元以及一记忆单元,记忆单元电性连接至控制单元。控制单元包含一源极与一漏极;一主动层,接触源极的一部分及漏极的一部分;一栅极层;以及一栅极绝缘层,位于主动层与栅极层之间。记忆单元包含一底电极层;一顶电极层;以及一电阻切换层,电阻切换层位于底电极层以及顶电极层之间,其中电阻切换层与主动层的材质为氧化铝锌锡。本发明的功效在于,本发明主动层与电阻切换层的材质均为氧化铝锌锡,能在低温下制备并达到系统整合与减少成本等目的。
  • 记忆体结构形成方法

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