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[发明专利]三维铁电随机存取存储器（FERAM）-CN202080029213.0在审
发明人： 陈荣庭 -专利权人： 陈荣庭
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：三维垂直存储器串阵列包括低成本、低功率或高密度且适用于SCM应用的高速铁电场效应晶体管(FET)单元。本发明的存储器电路提供随机存取能力。存储器串可以形成在衬底的平坦表面上方并且包括沿着相对于平坦表面的垂直方向纵向延伸的垂直栅极电极并且可以包括(i)栅电极之上的铁电层；(ii)栅极氧化物层；(iii)提供在栅极氧化物层之上的沟道层；以及(iv)嵌入氧化物层中并由氧化物层彼此隔离的导电半导体区域，其中栅电极、铁电层、栅极氧化物层、沟道层和每对相邻的半导体区域形成存储器串的储存晶体管，并且其中一对相邻的半导体区域充当储存晶体管的源极区域和漏极区域。
三维随机存取存储器 feram

[发明专利]具有电阻开关层的存储单元的组合-CN201180029544.5有效
发明人：弗朗茨·克罗伊普尔;阿比吉特·班迪奥帕迪亚伊;陈荣庭;傅竹晨;维普尔·彭西里·贾亚塞卡拉;詹姆斯·凯;拉古维尔·S·马卡拉;彼得·拉布金;乔治·萨马基沙;张京燕 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种在三维的读写存储器中的存储器件，包括存储单元。每个存储单元包括与导引元件串联的电阻开关存储元件(RSME)。RSME具有在导电中间层两侧的第一电阻开关层和第二电阻开关层以及在RSME两端的第一电极和第二电极。第一电阻开关层和第二电阻开关层均可以具有双极或单极的开关特性。在存储单元的置位或复位操作中，离子电流在电阻切换层中流动，以有助于切换机制。由于导电中间层的散射，对切换机制没有帮助的电子流被减小，以避免损坏导引元件。提供了用于RSME的不同层的具体材料和材料的组合。
具有电阻开关存储单元组合