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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法-CN202010299486.9有效
  • 郭小军;陈苏杰;李明 - 上海交通大学
  • 2020-04-16 - 2023-09-08 - H01L23/14
  • 本发明涉及柔性电子制造技术领域，尤其涉及一种用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法。所述用于可拉伸电子装置的基底包括：弹性衬底；底层应变缓冲层，嵌入所述弹性衬底内部；顶层应变缓冲层，贴附于所述弹性衬底表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置；所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。本发明通过底层应变缓冲层可以有效的减小应变集中效应，通过顶层应变缓冲层可以使得电子器件区域不发生应变，从而提高了可拉伸电子装置的稳定性和可靠性。
  • 用于拉伸电子装置基底及其制备方法
  • [发明专利]光传感器、光传感装置及其制备方法-CN202010527767.5有效
  • 郭小军;尹晓宽;侯霄;唐伟;陈苏杰 - 上海交通大学
  • 2020-06-11 - 2023-09-08 - H01L27/144
  • 本发明涉及一种光传感器、光传感装置及其制备方法。所述光传感器包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
  • 传感器传感装置及其制备方法
  • [发明专利]外触发触控传感阵列及其制备方法-CN202111230678.5有效
  • 郭小军;陈苏杰;李骏 - 上海交通大学
  • 2021-10-22 - 2023-08-08 - G06F3/044
  • 本发明涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。外触发触控传感阵列包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于双栅薄膜晶体管阵列背离衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于下隔离柱上方，且底层柔性防静电薄膜朝向下隔离柱的底面具有共面电极、底层柔性防静电薄膜背离下隔离柱的顶面具有触发电极，触发电极为叉指电极，叉指电极的第一部分连接至触发行、第二部分连接至触发列；上隔离柱，位于触发电极背离衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于上隔离柱上方，顶层柔性防静电薄膜朝向上隔离柱的底面具有共面顶电极。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
  • 触发传感阵列及其制备方法
  • [发明专利]心电检测装置及其制备方法-CN202310545646.7在审
  • 郭小军;陈苏杰;李思莹;李骏 - 上海交通大学
  • 2023-05-15 - 2023-07-28 - A61B5/27
  • 本发明涉及一种心电检测装置及其制备方法。所述心电检测装置包括心电传感贴和检测电路；心电传感贴包括：底层保护膜；心电电极，位于底层保护膜上，包括双面导电织物层和金属导电膜层，金属导电膜层位于双面导电织物层的中心位置；拉伸膜层，位于心电电极上方，包括粘性层、延展层、以及贯穿粘性层和延展层的通孔，通孔与金属导电膜层对准设置；应力控制膜层，位于拉伸膜层上方，包括用于与检测电路电连接的第一接口；拉伸引线，填充于通孔内，且拉伸引线的一端与心电电极电连接、另一端与第一接口电连接；顶层保护膜。本发明提高了心电检测装置与皮肤表面的生物兼容性以及心电电极与拉伸膜层的结合力，从而提高了心电检测装置的检测可靠性和准确性。
  • 检测装置及其制备方法
  • [发明专利]压力传感器、压力传感阵列及其制备方法-CN202111142735.4有效
  • 郭小军;陈苏杰;李骏 - 上海交通大学
  • 2021-09-28 - 2023-03-24 - G01L1/18
  • 本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：薄膜晶体管，包括衬底、底栅电极、绝缘层、源电极和漏电极、半导体层、钝化层和顶栅电极，所述顶栅电极与所述漏电极通过贯穿所述钝化层的互连结构电连接；电阻式压力敏感薄膜，位于所述顶栅电极和所述钝化层上方，且所述电阻式压力敏感薄膜与所述顶栅电极之间具有空隙；顶电极，位于所述电阻式压力敏感薄膜背离所述顶栅电极的表面。本发明将电阻式压力敏感薄膜与薄膜晶体管形成纵向集成，有利于减小所述压力传感器的面积，易于制备高分辨率的传感器阵列。
  • 压力传感器压力传感阵列及其制备方法
  • [发明专利]压力传感阵列及其制备方法-CN202111413862.3有效
  • 郭小军;陈苏杰;李骏 - 上海交通大学
  • 2021-11-25 - 2022-12-09 - G01L1/20
  • 本发明涉及传感技术领域，尤其涉及一种压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感阵列包括：传感区，包括薄膜晶体管阵列、位于所述薄膜晶体管阵列表面的压敏薄膜、位于所述压敏薄膜表面的顶电极、以及位于所述薄膜晶体管阵列中间区域的行驱动信号电路，所述薄膜晶体管阵列包括呈阵列排布的多个薄膜晶体管，所述行驱动信号电路用于向所述薄膜晶体管传输行驱动信号；引脚区，位于所述传感区的外部，所述行驱动信号电路自所述薄膜晶体管阵列的中间区域引出至所述引脚区。本发明提供的压力传感阵列实现按需裁剪的个性化应用，并提高传感阵列的面积利用率和抗干扰性。
  • 压力传感阵列及其制备方法
  • [发明专利]压力传感器、压力传感阵列及其制备方法-CN202110774829.7有效
  • 郭小军;陈苏杰;司玉莹 - 上海交通大学
  • 2021-07-08 - 2022-12-09 - G01L1/14
  • 本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：第一衬底，上表面具有第一传感电极、下表面具有第一屏蔽电极；第二衬底，上表面具有第二屏蔽电极、下表面具有第二传感电极，所述第二传感电极与所述第一传感电极相对设置；压敏薄膜，位于所述第一传感电极与所述第二传感电极之间，所述压敏薄膜为掺杂有导电材料的弹性绝缘薄膜，且所述压敏薄膜中具有沿所述第一衬底指向所述第二衬底的方向贯穿所述压敏薄膜的通孔；绝缘层，位于所述压敏薄膜与所述第一传感电极之间、以及所述压敏薄膜与所述第二传感电极之间；封装层。本发明提供的压力传感器在高压和薄厚度下具有更高的灵敏度。
  • 压力传感器压力传感阵列及其制备方法
  • [发明专利]集成信号处理电路的传感器及其制备方法-CN202110123980.4有效
  • 郭小军;韩磊;陈苏杰;唐伟 - 上海交通大学
  • 2021-01-29 - 2022-06-14 - G01R31/00
  • 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种集成信号处理电路的传感器及其制备方法。所述集成信号处理电路的传感器包括：第一衬底，所述第一衬底的上表面具有敏感元件；第二衬底，所述第二衬底的上表面具有由薄膜晶体管构建的信号处理电路；粘结层，位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的上表面或者用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的下表面；互连线，至少贯穿所述第一衬底和所述粘结层，用于电连接所述敏感元件与所述信号处理电路。本发明在解决了工艺兼容性问题的同时，提高集成度、信噪比并降低成本。
  • 集成信号处理电路传感器及其制备方法
  • [发明专利]外触发触控传感阵列及其制备方法-CN202111230664.3在审
  • 郭小军;陈苏杰;李骏 - 上海交通大学
  • 2021-10-22 - 2022-02-11 - G06F3/044
  • 本发明涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。所述外触发触控传感阵列包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于所述衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于所述双栅薄膜晶体管阵列背离所述衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于所述下隔离柱上方，且所述底层柔性防静电薄膜朝向所述下隔离柱的底面具有共面电极、所述底层柔性防静电薄膜背离所述下隔离柱的顶面具有触发行电极；上隔离柱，位于所述触发行电极背离所述衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于所述上隔离柱上方，所述顶层柔性防静电薄膜朝向所述上隔离柱的底面具有共面顶电极。本发明提高了传感阵列的刷新速率，并降低了传感阵列的功耗。
  • 触发传感阵列及其制备方法
  • [发明专利]压力传感器、压力传感装置及其制备方法-CN202010527954.3有效
  • 郭小军;陈苏杰;唐伟 - 上海交通大学
  • 2020-06-11 - 2021-07-23 - H01L29/786
  • 本发明涉及一种压力传感器、压力传感装置及其制备方法。所述压力传感器包括：衬底；薄膜晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；压力敏感薄膜，位于所述半导体层表面；下触发电极，位于所述压力敏感薄膜背离所述半导体层的表面；隔离柱，位于所述下触发电极背离所述压力敏感薄膜的表面；柔性防静电薄膜，位于所述隔离柱上方；上触发电极，位于所述柔性防静电薄膜朝向所述下触发电极的表面。由本发明提供的压力传感器组成的压力传感装置能够提高读取速度，降低功耗。
  • 压力传感器压力传感装置及其制备方法
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