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- [发明专利]一种Ni掺杂CoSe2-CN202010490263.0在审
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陈艮
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陈艮
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2020-06-02
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2020-09-01
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B01J27/24
- 本发明涉及光催化产氢技术领域，且公开了一种Ni掺杂CoSe2‑g‑C3N4异质结光催化产氢复合催化剂，包括以下配方原料及组分：g‑C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠。该一种Ni掺杂CoSe2‑g‑C3N4异质结光催化产氢复合催化剂，g‑C3N4与三维石墨烯凝胶通过π‑π相互作用自组装形成复合材料，Ni掺杂调节了CoSe2的电子结构，促进了Ni掺杂CoSe2与g‑C3N4形成异质结结构，加速了光生电子和空穴的分离，导电性优异的石墨烯形成三维导电网络，促进光生电子向石墨烯迁移，抑制了光生电子和空穴的重组，Ni掺杂CoSe2使g‑C3N4的光吸收边发生红移，减小了光生电子从g‑C3N4价带向导带跃迁的能量，降低了复合催化剂的禁带宽度，使复合催化剂表现出优异的光催化产氢活性。
- 一种ni掺杂cosebasesub
- [发明专利]一种ZnFe2-CN202010394632.6在审
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陈艮
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陈艮
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2020-05-11
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2020-08-14
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B01J23/83
- 本发明涉及光催化材料技术领域，且公开了一种ZnFe2O4‑TiO2‑rGO异质结光催化降解材料，包括以下配方原料及组分：纳米ZnFe2O4空心微球、氨基化还原氧化石墨烯、钛酸正丁酯、Er(CH3COO)3。该一种ZnFe2O4‑TiO2‑rGO异质结光催化降解材料，纳米ZnFe2O4空心微球具有更大的比表面积，均匀负载乙二胺接枝的氨基化还原氧化石墨烯，可以暴露出更多的光化学活性位点，Er掺杂纳米TiO2，降低了纳米TiO2的禁带宽度，增强了光催化材料对光能的利用率，ZnFe2O4和TiO2在还原氧化石墨烯的表面形成异质结，抑制了TiO2和ZnFe2O4的光生电子和空穴的复合，光生电子和空穴分别与氧气、水反应生成羟基自由基和超氧自由基，与亚甲基蓝和甲基橙等有机污染物发生氧化还原反应，降解为无毒或低毒的小分子。
- 一种znfebasesub
- [发明专利]一种CdS-g-C3-CN202010516027.1在审
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陈艮
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陈艮
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2020-06-09
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2020-08-07
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B01J27/24
- 本发明涉及光催化产氢技术领域，且公开了一种CdS‑g‑C3N4异质结光催化产氢催化剂，包括以下配方原料及组分：质量比为0.5‑6:100的介孔CdS空心微球和Ni掺杂g‑C3N4。该一种CdS‑g‑C3N4异质结光催化产氢催化剂，介孔CdS空心微球，具有丰富的孔隙结构和空穴结构，比表面积更大，为光生电子提供了传输通道，促进了光生电子和空穴的分离，Ni掺杂g‑C3N4，调节了电子结构和能带结构，降低了g‑C3N4的带隙宽度，拓宽了g‑C3N4的有效紫外可见光吸收波段，介孔CdS空心微球修饰在Ni掺杂g‑C3N4的表面形成复合光催化剂，界面之间形成异质结结构和内建电场，产生大量的分离的光生电子和空穴，分别与水反应，还原生成氢气以及氧化生成氧气，实现高效率的光催化产氢。
- 一种cdsbasesub
- [发明专利]一种SnS2-CN202010395779.7在审
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陈艮
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陈艮
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2020-05-12
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2020-07-28
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B01J21/18
- 本发明涉及光催化降解技术领域，且公开了一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料，包括以下配方原料及组分：蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4、碳纳米管、四氯化锡、巯基乙酸、十六烷基三甲基溴化铵。该一种SnS2‑g‑C3N4异质结光催化降解材料，蜂窝状Ag掺杂g‑C3N4，具有丰富孔隙结构，比表面积巨大，Ag掺杂使g‑C3N4的光吸收边发生红移，增强了光催化剂对光能的响应性和利用率，纳米SnS2空心微球修饰碳纳米管沉积在Ag掺杂g‑C3N4的丰富孔隙结构和巨大的比表面上，形成异质结结构，碳纳米管在SnS2和Ag掺杂g‑C3N4之间形成三维导电网络，协同作用下促进了光生电子和空穴的分离，产生大量的光生电子和空穴，生成活性极强的超氧自由基和羟基自由基，进行有机污染物降解过程。
- 一种snsbasesub
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