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[发明专利]一种草地早熟禾延缓生长增加分蘖的方法-CN202210903490.0有效
发明人：马怀林;陈羿如;贾振宇;王召明;付强;刘亚玲;邢圣斐;于立霞;白杨;杜聪;田振东;付子瑜;刘长涛 -专利权人：蒙草生态环境（集团）股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： A01G20/00 文献下载
摘要：一种草地早熟禾延缓生长、增加分蘖的方法，包括如下步骤：1、将草地早熟禾点播到营养钵中，点播后覆土0.5‑1cm，浇水；2、待草地早熟禾生长28‑33天后，进行修剪，修剪留茬高度为2‑4cm，喷施第一次植物调理剂；3、待草地早熟禾修剪完第6‑8d，喷施第二次植物调理剂；4、依次每隔6‑8天喷施植物调理剂一次；植物调理剂及其配方为：改良MS+0.8‑1.3g/L PP333，采用本发明的植物调理剂，在种植21天后，草地早熟禾的株高生长量仅为0.4cm，分蘖数可高达5个，最大限度地延缓了草地早熟禾的生长、增加了草地早熟禾分蘖数、生长旺盛，延长了草地早熟禾的生命周期，使得草坪看起来更加绿意盎然，增强了人们的视觉效果，美化了环境。
一种草地早熟延缓生长增加分蘖方法

[发明专利]一种华北蓝盆花的组织培养方法-CN202111567746.7有效
发明人：白瑞琴;尹晶晶;刘思泱;彭伯阳;吕艳芳;范旭东;陈佳蕊;马怀林;陈羿如 -专利权人：内蒙古农业大学;蒙草生态环境（集团）股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种华北蓝盆花的组织培养方法，包括以下步骤：步骤1、消毒，先用75％酒精，再用2％次氯酸钠消毒；步骤2、诱导愈伤组织：将消毒后的叶片剪成正方形接种到诱导愈伤组织培养基中诱导出愈伤组织，步骤3、诱导愈伤组织分化，将愈伤组织切成正方体小块，接种到诱导愈伤组织分化培养基中，分化出不定芽，将6‑8cm的不定芽接种于根培养基中，促进不定芽生根形成再生苗。
一种华北盆花组织培养方法

[发明专利]半导体装置-CN202110143603.7在审
发明人：蔡国强;陈羿如;陈志辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构；以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。半导体装置亦可包含电性耦接至源极通孔的第一金属线路，以及电性耦接至漏极通孔的第二金属线路。源极通孔的第一尺寸符合第一金属线路的尺寸，而漏极通孔的第二尺寸符合第二金属线路的尺寸。第一金属线路可鄙第二金属线路宽。
半导体装置

[发明专利]半导体装置与其制作方法-CN201911007181.X在审
发明人：蔡国强;余科京;苏富祥;陈羿如;陈志辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置与其制作方法。源极/漏极区位于基板中。栅极结构位于基板上。栅极间隔物位于栅极结构的侧壁上。栅极间隔物与栅极结构具有实质上类似的高度。通孔位于源极/漏极区或栅极结构上，并电性连接至源极/漏极区或栅极结构。遮罩层位于栅极间隔物上。遮罩层的介电常数大于栅极间隔物的介电常数。遮罩层的第一侧与通孔相邻。介电层位于遮罩层的第二侧上，其中遮罩层位于介电层与通孔之间。
半导体装置与其制作方法