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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]声波元件及其制造方法-CN202210624264.9在审
发明人：徐大正;陈纬守;锺崇仁;周成泽;王天佑;林峻毅;沈豫俊;郭威庆 -专利权人：晶成半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种声波元件及其制造方法，其中该声波元件包括：基板；位于基板之上的第一电极；位于第一电极上的压电层；以及位于压电层上的第二电极。基板与第一电极之间具有接合界面。压电层于002晶相的X光绕射图谱中的半高宽介于10arc‑sec至3600arc‑sec之间的范围。
声波元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201210298586.5有效
发明人：沈建赋;郭政达;陈纬守;刘宗宪;古依雯;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件。该发光元件包含：发光叠层；及第二电极垫，位于该发光叠层上，且可以与至少二条导线相连结，该第二电极垫包含：第一引线区；及第二引线区，与该第一引线区部分重叠。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200810129835.1有效
发明人：秦玉玲;周理评;杨宇智;杨于铮;陈纬守;郭政达 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电元件制造方法，其步骤包含提供一半导体叠层；在半导体叠层上，利用印刷技术形成至少一金属胶；以及提供一能量加热上述金属胶，使金属胶形成一金属电极，其中上述金属电极与半导体叠层形成欧姆接触。根据本发明，有效地降低了光电元件的制造成本。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200710196122.2有效
发明人：沈建赋;郭政达;陈纬守;刘宗宪;古依雯;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件、光源产生装置、以及背光光源装置。该发光元件包含：基板；外延结构，此外延结构位于基板上，包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的发光层，外延结构中具有凹槽，裸露出外延结构的侧面与第一半导体层的部分表面；第一导电结构，位于凹槽中的第一半导体层的裸露表面；以及第二导电结构，位于第二半导体层上。其中，第一导电结构包含第一电极以及第一电极垫，第一电极与第一电极垫电连接；第二导电结构包含第二电极以及第二电极垫，第二电极与第二电极垫电连接；其中第一电极垫及第二电极垫中至少一个的面积介于1.5×10⁴μm²至6.2×10⁴μm²之间。
发光元件

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200710091713.3有效
发明人：余国辉;杨于铮;林安茹;柯淙凯;陈纬守;古依雯;郭政达 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管的制造方法至少包含：依序形成接合层、金层反射层、几何图案层、磊晶结构及第一电极于永久基板上，其中几何图案层具有一周期性结构；形成第二电极于永久基板的一侧，因而完成发光二极管。本发明的发光二极管是借由几何图案层和金属反射层来形成周期性结构的反射面，以反射不同角度的入射光，使发光二极管的发光集中由正向出光，因而可提升光取出率，进而增加发光效率。
发光二极管及其制造方法

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