专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种艾灸用制蒜装置-CN202022608958.2有效
  • 欧阳旭;刘俊倩;陈科廷 - 成都中医药大学
  • 2020-11-12 - 2021-07-23 - A61H39/06
  • 本实用新型属于艾灸领域,具体涉及一种艾灸用制蒜装置。包括机架、内壳体、外壳体和接蒜机构,所述机架的底部设置接蒜机构,所述接蒜机构的上方设置外壳体,所述外壳体固定连接在机架上,所述外壳体为环状结构,所述外壳体内转动设置内壳体,所述内壳体上设置有出水孔,所述内壳体和外壳体通过出水孔连通;所述内壳体顶部设置有端盖,所述端盖内连接有电机一,所述电机一固定在机架上;所述端盖上设置有电机二,所述电机二连接有转动轴,所述转动轴上连接有搅拌刀片;所述内壳体底部设置有能转动打开的挡板。本实用新型具有自动切蒜、去蒜水的功能,能够减少人工操作,提高效率。
  • 一种艾灸用制蒜装置
  • [发明专利]一种降低晶片电荷伤害的方法-CN200510089736.1有效
  • 陈科廷;吕文宾;梁昭湖 - 联华电子股份有限公司
  • 2005-08-05 - 2007-02-07 - H01L21/82
  • 本发明公开了一种降低晶片电荷伤害的方法。集成电路管芯包含第一元件区域、第二元件区域及浅沟绝缘虚设区域;在半导体衬底上形成第一离子注入掩模,覆盖第二元件区域及浅沟绝缘虚设区域,但暴露出第一元件区域的半导体衬底表面;将掺杂剂注入第一元件区域暴露出来的半导体衬底的表面,以形成第一掺杂区域;去除第一离子注入掩模;在半导体衬底上形成第二离子注入掩模,第二离子注入掩模覆盖第一元件区域,但暴露出第一元件区域的半导体衬底表面及浅沟绝缘虚设区域内的浅沟绝缘虚设结构;将掺杂剂注入第二元件区域暴露出来的半导体衬底表面,形成第二掺杂区域。
  • 一种降低晶片电荷伤害方法

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