专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高效烧杯清洗装置-CN202210383431.5在审
  • 陈广乐;王春义 - 北京成仪科技有限公司
  • 2022-04-02 - 2023-10-24 - B08B9/093
  • 一种高效烧杯清洗装置,包含安全盖(1)、容器(2)、泵1(7)、清洗液1(8)、清洗液2(9)、泵2(11)、箱体(12),其特征是装置包含自动换向喷头(3)、回液自动转换器(4)、压力调节器(5)、注液自动转换器(6)、控制器(10)。提供一种高效的,全自动的,可以单工位也可以多工位工作的烧杯清洗装置,实现一键式操作。本清洗装置可以采用一种或者两种清洗液,并且自动切换清洗液,达到快速高效清洗内壁的目的。
  • 一种高效烧杯清洗装置
  • [发明专利]一种SiC SBD结构及其制作方法-CN202310241868.X在审
  • 陈广乐;张明昆 - 厦门紫硅半导体科技有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-06-06 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种SiC SBD结构及其制作方法,其包括欧姆接触电极、n+SiC衬底、n‑第一漂移层、n‑第二漂移层、p型埋层区、n+区和肖特基接触电极;欧姆接触电极设于n+SiC衬底的背面,n‑第一漂移层、n‑第二漂移层按序设于n+SiC衬底上,p型埋层区周期间隔排布于n‑第一漂移层中,n+区设于n‑第二漂移层中并对应位于p型埋层区上方,肖特基接触电极设于n‑第二漂移层上。使用较高浓度的N掺杂来调制P埋层上方的空间电荷区,改善了二极管的正向特性,同时对反向漏电流的影响小,从而得到综合性能良好的碳化硅肖特基势垒二极管。
  • 一种sicsbd结构及其制作方法
  • [发明专利]整合FRD的IGBT器件及其制造方法-CN202210035642.X在审
  • 徐守一;陈广乐;蔡铭进 - 厦门芯达茂微电子有限公司
  • 2022-01-13 - 2022-04-12 - H01L21/8222
  • 本发明提供一种整合FRD的IGBT器件的制造方法,其包括在衬底的正面形成保护环;在衬底的正面设置氧化层;在部分的衬底的正面设置多个栅极;在栅极之间设置P型阱层;在部分的P型阱层的正面设置N型发射层;在N型发射层、栅极和氧化层的正面设置介质层;注入N导电类型的离子和P导电类型的离子;进行重金属掺杂工艺;在介质层的正面设置金属发射极,和在第一N型层的正面设置FRD阴极。借此,IGBT器件无需外加FRD器件,在封装时能减少寄生参数,提高芯片可靠性,并能节省封装面积使得封装更加灵活。并且,通过引入重金属掺杂,可以降低载流子寿命,提高载流子的复合速度,从而提高开关速度。
  • 整合frdigbt器件及其制造方法

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