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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相机外壳及摄像模组-CN202310402114.8在审
发明人：张涛;陈嘉展;张宁波 -专利权人：江苏泽景汽车电子股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H04N23/51 文献下载
摘要：本公开涉及相机领域，具体而言，涉及一种相机外壳及摄像模组。相机外壳包括第一壳体与第二壳体，第一壳体与第二壳体相互对合连接，用于容纳相机，第一壳体可以固定于汽车车身。第一壳体可用于容纳相机的主体部分，第二壳体内设有贯通第二壳体的支撑孔，用于容纳相机的镜筒。在第二壳体远离第一壳体的一侧连接有盖板，盖板与第二壳体之间形成空腔，加热装置容纳于空腔内。本公开的相机外壳及摄像模组具有加热功能，而且拆卸方便。
相机外壳摄像模组

[发明专利]图像传感器像素及其制造方法-CN202111191643.5在审
发明人：李政谚;陈嘉展;李孟津 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种用于对图像传感器像素的电荷存储器件进行光屏蔽的方法，图像传感器像素包含感光性器件和电荷存储器件以及覆盖感光性器件和电荷存储器件的介电层。方法包含：执行介电层的刻蚀以界定介电层下方的底切体块和穿过介电层到达底切体块的接入开口；以及执行挡光材料的物理气相沉积(PVD)以进行以下两个操作：用挡光材料填充底切体块以形成覆盖电荷存储器件的挡光层，且用挡光材料填充接入开口以形成挡光插塞。还公开通过这种工艺形成的图像传感器像素和包括图像传感器像素的阵列的图像传感器。
图像传感器像素及其制造方法

[发明专利]半导体布置及其形成方法-CN201910923380.9有效
发明人：李岳川;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种半导体布置。半导体布置包括位于衬底上方的第一导电元件和位于衬底上方的第二导电元件。介电区位于衬底的顶面上方并且位于第一导电元件和第二导电元件之间。导电结构在第一导电元件、第二导电元件和介电区上方。本发明的实施例还涉及形成半导体布置的方法。
半导体布置及其形成方法

[发明专利]用于光学感测的器件及其制造方法-CN202110220304.9在审
发明人：张志强;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了用于光学感测的器件及其制造方法。在一个实施例中，用于光学感测的器件包括衬底、光电探测器和反射器。光电探测器设置在衬底中。反射器设置在衬底中并且与光电探测器间隔开，其中，反射器具有相对于光电探测器倾斜的反射表面，该反射表面将传输至反射表面上的光反射到光电探测器。
用于光学器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置、影像感测器及其形成方法-CN202110756491.2在审
发明人：李岳川;黄仕贤;陈嘉展;陈步芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供用于有效吸集杂质的半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括：基板；像素区，设置于基板中；隔离区，设置于基板中且邻近像素区内，其中隔离区包含晶种区，晶种区包含第一半导体材料；以及异质层，位于晶种区上，其异质层包含第二半导体材料，第二半导体材料具有与第一半导体材料不同的晶格常数。
半导体装置影像感测器及其形成方法

[发明专利]形成图像传感器装置的方法-CN201710650714.0有效
发明人：李岳川;陈嘉展;林荣义;林稔杰;李志煌;陈达欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图像传感器装置的方法。所述方法包括：(a)使所述衬底的一部分凹陷，从而形成第一浅沟槽；(b)形成间隔壁层，所述间隔壁层环绕所述第一浅沟槽的侧壁的至少一部分；(c)通过使用所述间隔壁层作为掩模，使所述衬底进一步凹陷，以形成在所述第一浅沟槽下方延伸的第一深沟槽；(d)移除所述间隔壁层；(e)在所述第一浅沟槽的所述侧壁之上形成第二氧化物层；(f)在所述衬底中形成环绕所述第一浅沟槽的第二衬层；以及(g)以第二隔离材料填充所述第一浅沟槽，从而在所述衬底中形成第一浅沟槽隔离特征。
形成图像传感器装置方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202010488847.4在审
发明人： 陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器的制造方法包括至少以下步骤。在图像撷取芯片之上形成材料层。在材料层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层的图案密度从图案化掩模层的中心区到图案化掩模层的外围区变化。使用图案化掩模层作为掩模对材料层进行研磨，以在图像撷取芯片上形成包括单个透镜部分的透镜层。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]光感测器件及其制造方法-CN202010217555.7在审
发明人： 陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光感测器件包括半导体衬底、感光器件、介电层及光管。感光器件位于半导体衬底中。介电层位于半导体衬底之上。所述光管位于感光器件之上且嵌置在介电层中。光管包括弯曲且凸出的光入射表面。
光感测器件及其制造方法

[实用新型]汽车导光条无痕出模顶出机构-CN202022191010.1有效
发明人： 陈嘉展;曾杰 -专利权人：宁波峰梅视讯电子有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B29C45/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车导光条无痕出模顶出机构。顶出机构，包括型芯组件，包括型腔，所述型腔包括导光腔、连通至所述导光腔一端的支架腔和连通至所述导光腔另一端的连接腔。顶出装置，包括第一顶出组件和第二顶出组件，所述第一顶出组件滑动连接于所述型芯组件，所述连接腔位于所述第一顶出组件的滑动方向。所述第二顶出组件滑动连接于所述型芯组件，所述支架腔位于所述第二顶出组件的滑动方向。第一顶出组件和第二顶出组件分别抵接于成型的导光条两端，以使导光条能顺利脱模并减少与型腔之间的干涉，提高产品的尺寸及形状精度。
汽车导光条无痕出模顶出机构

[实用新型]汽车无痕导光条-CN202022196713.3有效
发明人： 陈嘉展;曾杰 -专利权人：宁波峰梅视讯电子有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B60Q1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种汽车无痕导光条。汽车无痕导光条包括长条状的导光体、位于所述导光体一端的支架部和位于导光体另一端的连接部，所述连接部包括第一顶针面，所述第一顶针面远离所述导光体。所述支架部包括第二顶针面，所述第二顶针面远离所述导光体。第二顶针面和第一顶针面作为汽车无痕导光条脱模时与顶针的配合面，实现汽车无痕导光条多点受力脱模，提高汽车无痕导光条脱模的顺畅性。第二顶针面和第一顶针面远离导光体，以避免在导光体区域形成顶出痕迹，改善导光条的光效并节约材料。
汽车无痕导光条

[实用新型]一种汽车转向灯总成-CN202021679324.X有效
发明人： 陈嘉展 -专利权人：宁波峰梅视讯电子有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： F21S43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车转向灯总成，包括底座和扣合在底座上的灯罩，所述底座上设有一PCB灯板，所述灯罩上设有一用于接收PCB灯板发出光的反光条，所述反光条内侧面上设有多个反光凹槽，所述反光凹槽的横截面沿反光条轴线朝远离PCB灯板的方向，从梯形向三角形渐变。本实用新型通过在反光条上设置反光凹槽，只在自身结构上加以改进，不需要添加其他反光结构，制作简单，反光条的整体外观美观；将反光凹槽的横截面从梯形渐变成三角形，使其越靠近反光条的端部，其反光凹槽的反光效果越强，光线从反光条中射出的越多，进而使其端部的聚光效果更好，警示作用强。
一种汽车转向总成

[发明专利]具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器-CN201611038820.5有效
发明人：李岳川;陈嘉展;施俊吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。
具有互补金属氧化物半导体 cmos 图像传感器

[发明专利]汽车导光条无痕出模成型模具-CN202011052323.7有效
发明人： 陈嘉展;曾杰 -专利权人：宁波峰梅视讯电子有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： B29C45/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车导光条无痕出模成型模具。成型模具包括定模组件、动模组件、注射装置、顶出装置和型芯组件，所述动模组件合拢于定模组件并与型芯组件之间形成有型腔。所述型腔包括导光腔、连通至导光腔一端的支架腔和连通至所述导光腔另一端的连接腔，所述支架腔位于所述注射装置的注射方向。所述顶出装置包括滑动连接于所述定模组件的第一顶出组件和第二顶出组件，所述连接腔位于所述第一顶出组件的滑动方向，所述支架腔位于所述第二顶出组件的滑动方向。注射装置在型腔内注射原料并且注射位置位于支架腔处，避免导光腔具有注射痕迹。顶出装置分别抵接于连接腔和支架腔所对应的导光条的安装位置，避免在导光条的光效区形成顶出痕迹。
汽车导光条无痕出模成型模具

[发明专利]汽车导光条无痕出模成型方法-CN202011052337.9有效
发明人： 陈嘉展;曾杰 -专利权人：宁波峰梅视讯电子有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： B29C45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种汽车导光条无痕出模成型方法，成型方法应用于成型模具。成型模具包括定模组件、动模组件、注射装置、顶出装置和型芯组件，顶出装置包括第一顶出组件和第二顶出组件。成型方法包括：动模组件与型芯组件之间形成有型腔，型腔包括导光腔、支架腔和连接腔。通过注射装置向支架腔注射热熔材料，热熔材料填充整个型腔后冷却形成导光条。其中，导光条包括导光体、支架部和连接部，第一顶出组件延伸至连接腔的端面在连接部形成第一顶针面，第二顶出组件延伸至支架腔的端面在支架部形成第二顶针面。在动模组件与定模组件分离后，第一顶出组件沿第一顶针面推抵连接部脱离连接腔，第二顶出组件沿第二顶针面推抵支架部脱离支架腔。
汽车导光条无痕出模成型方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201811122586.3有效
发明人：李岳川;陈嘉展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及具有光电探测器的集成芯片及其形成方法，其中，光电探测器布置在具有第一掺杂类型的半导体衬底内。在由半导体衬底的内表面限定的沟槽内设置一种或多种介电材料。在沟槽内且在横向位于一种或多种介电材料与光电探测器之间的位置处布置掺杂外延材料。掺杂外延材料具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。
集成芯片及其形成方法

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