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[发明专利]一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法-CN202010396450.2有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;林志伟;赵斌;杨克伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压发光二极管呈成垂直结构，使得高压发光二极管芯片的电流扩展较好，可避免电流的横向拥堵问题，从而提高电流耐受能力；此外，所述第k连接电极通过所述凸起台面连接第k芯片区的第一类型导电层和与第k+1芯片区接触的子背面电极，可增大金属与第一型半导体层的接触面积，从而降低接触电阻，同时可增大电流注入的面积，进一步地降低了高压发光二极管芯片的工作电压。
一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置-CN201810734565.0有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置，在降低水平结构VCSEL芯片制作难度的同时，将其第一电极和第二电极位于同侧，使得第一电极和第二电极之间电流仅需要在下DBR层背离衬底一侧表面和上DBR层朝向衬底一侧表面流动即可，而电流无需穿过下DBR层和上DBR层，降低了第一电极和第二电极之间电阻；此外，水平结构VCSEL芯片有利于芯片的散热，提高芯片性能。
一种水平结构 vcsel 芯片及其制作方法激光装置

[发明专利]具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法-CN201910428995.4有效
发明人：林志伟;陈凯轩;曲晓东;赵斌;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差而实现水平桥接结构，进而改善制作高压发光二极管时出现的短路和开路情况，进而提高高压发光二极管的可靠性。
具有双面水平结构高压发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法-CN201910108643.0有效
发明人：吴真龙;韩效亚;李俊承;林志伟;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法，所述砷化物多结太阳能电池，包括至少三结子电池，其中至少一结子电池的基区为砷化物基区，所述砷化物基区采用掺杂渐变方式形成，并且在掺杂浓度低的区域，交替生长掺杂层和非掺杂层，降低了基区靠近PN结区域的平均载流子浓度，耗尽区宽度与平均载流子浓度反比例关系，因此此技术方案可以增加耗尽区厚度，改善载流子的收集效果，从而可以提高电池性能，同时这种方式的基区，因为采用掺杂层和非掺杂层交替生长的方式增加了少数载流子的迁移率，进而增加了少数载流子的扩散长度，最终可以提高载流子的寿命，提高电池的抗辐照性能。
一种砷化物太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法-CN201911085646.3有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;曲晓东;赵斌 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
一种具有隐形扩展电极尺寸发光二极管制作方法

[发明专利]一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法-CN202010881721.3在审
发明人：赵斌;曲晓东;杨克伟;林志伟;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。
一种基于透明衬底 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法-CN201810072169.6有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法，在柔性衬底上形成第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。由于柔性衬底相对于蓝宝石衬底和硅衬底等硬质衬底，其厚度更薄，使得LED芯片的厚度更薄，散热更快。而通过在柔性衬底上形成两个过孔，在过孔中形成第一电极和第二电极，使得第一电极和第二电极裸露在柔性衬底的同一个表面，从而能够采用CSP工艺进行封装，使得封装后的LED芯片的厚度更薄，且封装工艺简单。
一种柔性 led 芯片及其制作方法封装方法

[发明专利]一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法-CN201810256911.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;卓祥景;吴奇隆;李俊贤 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
一种具有水平结构高压发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种切割方法-CN201710934676.1有效
发明人：贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种切割方法，应用于切割刀片，所述切割刀片包括交替排布的金刚砂和粘合剂，该方法包括：利用所述切割刀片交替采用半切割和全切割的切割方式对待切割对象进行切割，其中，所述半切割的单次切割长度为第一预设长度，全切割的单次切割长度为第二预设长度，且所述第二预设长度为所述第一预设长度的1‑3倍包括端点值，以避免现有的切割刀片容易出现粘合剂脱落不规律的现象，解决刀片切割时芯片有效面积增大的问题，提高切割质量，延长使用寿命。
一种切割方法

[实用新型]一种红外发光二极管外延结构、芯片-CN202020443518.3有效
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;林志园 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。
一种红外发光二极管外延结构芯片

[实用新型]多波长LED外延结构、芯片-CN202020276602.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;卓祥景;蔡建九;尧刚 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多波长LED外延结构、芯片，其中多波长LED外延结构包括：依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。具有晶体质量好的优点，实现高效多波长发光。
波长 led 外延结构芯片

[发明专利]一种VCSEL阵列芯片及制作方法-CN201810731832.9有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL阵列芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上生长第一半导体层，第一半导体层包括至少两个凹槽；在第一半导体层背离衬底的一侧形成第一光栅层，第一光栅层覆盖第一半导体层的侧壁；在第一光栅层背离第一半导体层的一侧形成MQW多量子阱层；在MQW多量子阱层背离第一光栅层的一侧形成第二光栅层，第二光栅层覆盖MQW多量子阱层的侧壁；在第二光栅层背离MQW多量子阱层的一侧形成第二半导体层；在第二半导体层背离第二光栅层的一侧第一保护层，第一保护层覆盖第二半导体层和第一光栅层和第二光栅层的侧壁；在多个凹槽内形成DBR反射镜结构，制作正面电极。该制作方法提高了芯片的出光效率。
一种 vcsel 阵列芯片制作方法

[发明专利]一种VCSEL芯片及制作方法-CN201810731132.X有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种VCSEL芯片及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，衬底划分为中间区域和包围中间区域的边缘区域；在中间区域上生长覆盖中间区域的结构层；生长氧化层，氧化层覆盖边缘区域以及覆盖结构层的侧壁和背离衬底一侧的表面；在氧化层背离结构层的一侧生长第一保护层，第一保护层部分覆盖中间区域，在氧化层背离衬底的一侧生长第二保护层，第二保护层部分覆盖边缘区域；对氧化层进行氧化处理；去除第一保护层，并在氧化层背离结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层；去除第二保护层，并制作电极结构。该制作方法降低了工艺难度，在氧化处理阶段对氧化层进行氧化处理后再生长额外的外延层结构，其氧化均匀性很容易得以控制。
一种 vcsel 芯片制作方法

[发明专利]垂直结构芯片及制作方法-CN201910428186.3有效
发明人：曲晓东;陈凯轩;赵斌;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
垂直结构芯片制作方法

[发明专利]一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法-CN202010243247.1在审
发明人：林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;林志园 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。
一种红外发光二极管外延结构芯片及其制作方法