专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于液体状态机的脉冲神经网络架构-CN202310617384.0在审
  • 石匆;陈乐毅;田敏;何俊贤;王腾霄;王海冰;喻剑依;高灏然 - 重庆大学
  • 2023-05-29 - 2023-08-08 - G06N3/065
  • 本发明涉及一种基于液体状态机的脉冲神经网络架构,包括存储层神经元阵列和学习层神经元阵列,分别用于模拟储存层和学习层;所述储存层神经元阵列包括权重生成与概率发射模块,配置为具有第一线性反馈寄存器和第二线性反馈寄存器,在突触前脉冲来临时,通过读取指定的随机数种子存储器中的随机数种子,使得第一线性反馈寄存器产生固定的随机数序列,生成突触后神经元与不同的突触前神经元的权重;所述学习层神经元阵列包括IF神经元模块、膜电位存储电路、权重存储电路、以及权重学习模块。本发明能够在高速并行计算时减少硬件资源消耗量,保证网络的性能的同时达到低硬件资源消耗的目的。
  • 一种基于液体状态机脉冲神经网络架构
  • [发明专利]存内计算装置及其控制方法-CN202210634812.6在审
  • 石匆;陈乐毅;田敏;王海冰;喻剑依;何俊贤;王腾霄;高灏然 - 重庆大学
  • 2022-06-06 - 2022-09-16 - G11C16/04
  • 本发明公开了一种存内计算装置及其控制方法,包括SRAM存储阵列、位线驱动电路模块和存内计算模块;所述SRAM存储阵列分别与位线驱动电路模块和存内计算模块连接;当存内计算装置进行写操作时,写入数据以及时钟信号进入位线驱动模块,驱动SRAM存储阵列中的写位线电压改变,将数据写入进SRAM存储阵列中;当存内计算装置进行读操作时,时钟信号进入位线驱动模块,同时驱动SRAM存储阵列内的读位线电压,SRAM存储阵列内的两根不同的读位线电压分别为第一操作数和第二操作数,存内计算模块最后按照控制指令选取操作数来源与计算种类进行计算并按列输出计算结果。本发明提高了计算过程的效率,节省了功耗。
  • 计算装置及其控制方法
  • [发明专利]基于自适应电压调节的光收发系统、模块、方法-CN202010914450.7在审
  • 帅欣;黄伟;陈乐毅;陈雯 - 索尔思光电(成都)有限公司
  • 2020-09-03 - 2020-12-15 - G05F1/66
  • 本发明涉及基于自适应电压调节的光收发系统、模块、方法,包括数字信号处理器、为数字信号处理器提供固定电压的固定电压输出调节器,还包括:自适应电压调节器,用于根据功率控制器下达的调节指令,调节对数字信号处理器提供的核心电压,使得数字信号处理器能工作在临界锁定状态;所述数字信号处理器包括性能监视器、功率控制器,其中:性能监视器,用于采集数字信号处理器的工作核心电压和工作温度,并反馈至功率控制器;功率调节器,用于判断数字信号处理器在该工作温度下是否工作在临界锁定状态,从而得出调节指令,并将所述调节指令下达至自适应电压调节器。
  • 基于自适应电压调节收发系统模块方法
  • [实用新型]一种指尖陀螺的独特结构支架-CN201720776957.4有效
  • 陈乐毅;陈军 - 陈乐毅
  • 2017-06-21 - 2017-10-20 - A63H1/00
  • 本实用新型提供一种指尖陀螺的独特结构支架,涉及娱乐玩具和教具,是由搁置指尖陀螺的支架体与底座上的旋转臂通过铰链方式相连接而成。使本来一个维度方向转动的指尖陀螺在支架上产生三个维度方向的转动,进一步能使指尖陀螺从支架水平抛出,落在桌面上后能继续转动,改变了指尖陀螺的惯常玩法,使整个游戏过程更具趣味性和炫酷效果,并且是生动的物理教学装置。
  • 一种指尖陀螺独特结构支架
  • [发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法-CN201510565095.6在审
  • 李世彬;王美娟;陈乐毅;李杭倩;张鹏;王亚飞;陈志 - 电子科技大学
  • 2015-09-08 - 2016-01-13 - H01L51/42
  • 本发明实施例公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法,包括:在透明的衬底上形成氧化锌层;将形成了氧化锌层的衬底置于生长溶液中进行反应,在氧化锌层上生长形成铝掺杂氧化锌纳米棒层;在铝掺杂氧化锌纳米棒层上形成氧化铝层;在氧化铝层上形成钙钛矿光敏感层;在钙钛矿光敏感层上形成空穴传输层;在空穴传输层上形成背电极层。本发明的实施例中,采用铝掺杂氧化锌纳米棒层作为电子传输层,其具有较大的表面积和较好的电子传输能力;氧化铝层形成铝掺杂氧化锌纳米棒层上,作为修饰阻挡层,可以改善氧化锌纳米棒的缺陷;这样,使得本发明实施例的基于铝掺杂氧化锌纳米棒的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率得到了提高。
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法

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