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[发明专利]刻蚀腔的清洁方法-CN202310175438.2在审
发明人：王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀腔的清洁方法，提供刻蚀机台以及包括多个晶圆的晶圆组，选取出其中的N个晶圆，晶圆上均形成有金属互连结构，刻蚀机台中的刻蚀腔包括静电卡盘，静电卡盘上具有多个气孔；依次固定第一至第N‑1个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，在两晶圆刻蚀之间的时间段，在刻蚀腔通入第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔；移动第N个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，之后在刻蚀腔中通入第第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔。本发明去无晶圆自动干蚀刻清洁中对静电卡盘造成损伤的气体，增加覆盖晶圆的清洁方法，有效清洁刻蚀腔中蚀刻副产物的同时，起到保护静电卡盘的作用。
刻蚀清洁方法

[发明专利]改善接触孔金属残留的刻蚀方法-CN202310172080.8在审
发明人：王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善接触孔金属残留的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有层间介质层，层间介质层上形成有第一金属层，在金属层及其下方的层间介质层上形成有接触孔，接触孔上形成有覆盖第一金属层的第二金属层；利用第一偏置功率、第一刻蚀气体刻蚀第二金属层；采用第二偏置功率、第二刻蚀气体刻蚀去除保留在第一金属层上的第二金属层，第二偏置功率低于第一偏置功率；采用第三偏置功率、第三刻蚀气体刻蚀接触孔中的部分第二金属层。本发明通过递进式3步法减小偏置功率刻蚀钨层，第一次刻蚀保证将TIN表面的大量的钨完全刻蚀；第二次刻蚀停在TIN表面，确保高的W/TIN选择比；第三次刻蚀保证将残留钨完全刻蚀，更高W/TIN选择比能够保证一定的TiN厚度。
改善接触金属残留刻蚀方法

[发明专利]一种表面活性剂及其在染发中的应用-CN201911361479.0有效
发明人：高海燕;张歌珂;陆小豪;朱正;乔欣娅;姚庭怡;杨莉;彭若轩;刘起辛;梅文 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C07C233/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面活性剂及其在染发中的应用，属于表面活性剂技术领域。本发明表面活性剂具有的阳离子基团能够和头发相结合，同时具有极性和非极性基团，容易使秸秆色素在头发上分散均匀，可与黑色染料制得棕黑色染发剂。将所得染发剂均匀喷涂于头发，在常温下染发10‑60min即可将色头发均匀染成棕黑色，牢度高且健康无毒。
一种表面活性剂及其染发中的应用

[发明专利]一种采用石墨相氮化碳制备的染发剂及其染发方法-CN201911361460.6有效
发明人：高海燕;陆小豪;朱正;姚庭怡;杨莉;彭若轩;刘起辛;梅文 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： A61K8/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用石墨相氮化碳制备的染发剂及其染发方法，属于染发技术领域。本发明染发剂包括剂石墨相氮化碳、特定的表面活性剂和高分子聚合物，其特征在于，包含石墨相氮化碳0.1％‑12％，表面活性剂0.5％‑5.0％，高分子聚合物0.1‑5％，调节pH至3‑7，余为水，单位为重量百分数。染发时，将染发剂均匀喷涂于头发，在常温下染发10‑60min即可完成染色，且表现出的石墨相氮化碳染色效果好，牢度高，健康无毒。
一种采用石墨氮化制备染发剂及其染发方法