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[发明专利]旋转雾化式涂装装置-CN202211199922.0在审
发明人：菊地隆;八岛治;长谷川拓实 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B05B5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种旋转雾化式涂装装置(10)。旋转雾化式涂装装置(10)具有主体部(12)和钟形杯(16)，其中，所述主体部(12)具有旋转驱动部(14)；所述钟形杯(16)被安装于旋转驱动部(14)，钟形杯(16)具有侧面部(20)、通孔(26)和外凸部(32)，其中，所述侧面部(20)向旋转驱动部(14)的轴线方向的顶端延伸；所述通孔(26)使侧面部(20)的内表面(28)和外表面(30)连通，用于喷出涂料(90)；所述外凸部(32)形成在比通孔(26)靠轴线方向的顶端的位置，且比侧面部(20)向旋转驱动部(14)的轴线(22)的半径方向的外侧突出。据此，能够提高涂料在涂装面上的涂覆效率。
旋转雾化式涂装装置

[发明专利]旋转雾化式涂装装置-CN202210506329.X在审
发明人：菊地隆;八岛治;长谷川拓实 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B05B5/04 文献下载
摘要：本发明提供能够使从钟形杯喷雾出的涂料的粒径稳定的旋转雾化式涂装装置。旋转雾化式涂装装置在旋转驱动轴安装有钟形杯。钟形杯的侧面部形成为与旋转驱动轴并行。在侧面部的内表面上设置有朝向侧面部的外表面方向凹陷的第一槽部、第二槽部及第三槽部。在第一槽部、第二槽部及第三槽部设置有第一贯穿孔、第二贯穿孔及第三贯穿孔。第一贯穿孔、第二贯穿孔及第三贯穿孔穿过内表面和外表面，用于将涂料向钟形杯的外侧喷出。
旋转雾化式涂装装置

[发明专利]半导体集成电路装置以及可穿戴装置-CN201510940599.1有效
发明人：蒲原史朗;山县保司;长谷川拓实;杉井信之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路装置以及可穿戴装置，能够提供能够在实现低功耗化的同时稳定地动作的半导体装置。半导体装置具备：CPU(26)；系统控制器(24)，指定CPU(26)的动作速度；SRAM(30)，具有P型SOTB晶体管(SP1、SP2)和N型SOTB晶体管(SN1～SN4)，与CPU(26)连接；以及基板偏置电路(23)，与系统控制器(24)连接，能够对P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)供给基板偏置电压(Vsp、Vsn)。此处，在系统控制器(24)指定使CPU(26)以低速进行动作的低速模式时，基板偏置电路(23)将基板偏置电压(Vsp、Vsn)供给到P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)。
半导体集成电路装置以及穿戴

[发明专利]作业车辆-CN202010239923.8有效
发明人： 长谷川拓实 -专利权人：洋马株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： E02F9/26 文献下载
摘要：本发明提供一种操作员能容易地确认铲斗的高度、角度的作业车辆。在安装有具备铲斗(83)的前端装载机(80)并能升降自如和转动自如地操作铲斗(83)的拖拉机(1)中，在驾驶座(161)的附近具备显示器(2)，显示器(2)显示装载机画面(S5)。装载机画面(S5)是显示表示铲斗(83)的高度信息的图表(G1、G2)以及表示角度信息的图表(G3、G4)的画面。
作业车辆

[发明专利]作业车辆-CN201580058801.6有效
发明人： 长谷川拓实 -专利权人：洋马株式会社
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： E02F9/26 文献下载
摘要：本发明提供一种操作员能容易地确认铲斗的高度、角度的作业车辆。在安装有具备铲斗(83)的前端装载机(80)并能升降自如和转动自如地操作铲斗(83)的拖拉机(1)中，在驾驶座(161)的附近具备显示器(2)，显示器(2)显示装载机画面(S5)。装载机画面(S5)是显示表示铲斗(83)的高度信息的图表(G1、G2)以及表示角度信息的图表(G3、G4)的画面。
作业车辆

[发明专利]制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201310576884.0在审
发明人：卯尾崎宽;武田康裕;前川径一;长谷川拓实;舟山幸太;丸山祥辉;柴和利;工藤修一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。目的在于通过在相同衬底上形成非易失性存储器和MOSFET时防止栅极电极中晶粒尺寸增大来提供一种具有改进可靠性的半导体器件。可以通过分别从相同层的薄膜形成非易失性存储器的控制栅极电极与其它MOSFET的栅极电极，并且从两个多晶硅薄膜层的堆叠配置控制栅极电极和栅极电极中的每个来实现该目的。
制造半导体器件方法