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- [发明专利]一种带锁存功能的比较器-CN201710961294.8在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-10-15
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2018-03-16
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H03K5/24
- 本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4；本发明的带锁存功能的比较器和传统的比较器电路相比，在不增加器件的基础上，引入了由第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3构成的锁存回路。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器输出稳定，不容易受电源电压、环境温度等外部干扰，大大提升了比较器的稳定性。此外，本发明具有输出摆幅的优点，能支持满摆幅输出。
- 一种带锁存功能比较
- [发明专利]一种谷底检测电路-CN201710955989.5在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-10-15
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2018-02-02
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H02M3/335
- 一种谷底检测电路，属于半导体集成电路技术领域。包括依次连接的微分电路、模数转换电路、数字信号处理电路，微分电路对谐振信号进行微分处理，将谐振信号谷底之前的数据变为负数，谷底之后的数据变成正数，谷底点变为0；微分处理过后的模拟数据送入模数转换电路，模数转换电路把模拟数据转换成数字数据，可以将谐振信号微分后的数据，从负数到0再到正数的整个过程，完整的反映出来，然后送入数字信号处理电路，通过数字信号处理电路处理后，就可以得到接近谷底、到达谷底和走出谷底的整个过程，精确的跟踪到整个谐振信号在谷底附近的一切波形，为进入谷底之后的整个反激式变换器的行为提前做好准备，即可检测到谐振信号的精确的谷底。
- 一种谷底检测电路
- [发明专利]一种带锁存功能的比较器-CN201710955979.1在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-10-15
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2018-01-26
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H03M1/34
- 本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5；该带锁存功能的比较器和传统的比较器电路相比，在不增加器件的基础上，引入了由第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2构成的锁存回路。与现有的比较器电路相比，本发明的比较器输出稳定，不容易受电源电压、环境温度等外部干扰，大大提升了比较器的稳定性。此外，本发明具有增益大，功耗低的优点，适用于要求低功耗的场合。
- 一种带锁存功能比较
- [发明专利]一种整流滤波电路-CN201710814476.2在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-09-10
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2018-01-09
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H02M7/06
- 本发明提供了一种整流滤波电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括交流输入电压接于节点C和节点D的之间；第一二极管的正端接地，负端接节点A；第二二极管的正端接节点A，负端接输出；第三二极管的正端接地，负端接节点B；第四二极管D4的正端接节点B，负端接输出；第一电容接于输出和地之间；第一电感接于节点A和节点C之间；第二电感接于节点B和节点D之间。在传统的整流滤波电路的基础上，本发明的整流滤波电路引入了第一电感、第二电感和第一电容，使得本发明的整流滤波电路具有了带通特性，即本发明的整流滤波电路不仅可以滤除高频的噪声，而且对低频噪声同样有了滤波的作用，从而大大减小了最终输出电压的噪声。
- 一种整流滤波电路
- [发明专利]一种二极管-CN201710603032.4在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-07-22
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2017-11-28
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H01L29/861
- 本发明提供了一种二极管，属于半导体集成电路技术领域。包括P+型扩散层、N+型扩散层、第一通孔CONTACT1、第二通孔CONTACT2和P‑型多晶硅；P+型扩散层和N+型扩散层分列在上下两端，P‑型多晶硅POLY将它们联系在一起，并与它们有一定的交叠；P‑型多晶硅通过第一通孔CONTACT1与P+型扩散层相连，P‑型多晶硅通过第二通孔CONTACT2与N+型扩散层相连。本发明的二极管，与传统的二极管相比，在正向导通时，由于电流通过P‑型多晶硅传输，并不会产生寄生三极管，不会导致漏电，从而有效的实现了二极管的单向导通特性。
- 一种二极管
- [发明专利]一种振荡器电路-CN201710557790.7在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-07-10
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2017-11-10
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H03B5/04
- 一种振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括电流源的一端接电源，另一端接第一反相器的输入、电容的一端和第一晶体管的漏极；电容的另一端接地；第一反相器的输出接第二反相器的输入和第一PMOS晶体管的栅极；第二反相器的输出接第三反相器的输入和第二PMOS晶体管的漏极；第三反相器的输出作为振荡器的输出，且接第四反相器的输入和第二PMOS晶体管的栅极；第四反相器的输出接第一NMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二PMOS晶体管的源极；第一NMOS晶体管的源极接地。本发明的振荡器结构引入了电流源和锁存电路，这大大提升了振荡器的抗电磁干扰能力，增强了频率稳定度。
- 一种振荡器电路
- [发明专利]一种多节锂电池保护芯片电路-CN201710567152.3在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-07-12
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2017-10-27
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H02H7/18
- 本发明提供了一种多节锂电池保护芯片电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一锂电池、第二锂电池、第三锂电池串联后接于地和电压源之间，还包括第一隔离型基准电压模块、第二隔离型基准电压模块、第三隔离型基准电压模块、第一比较器、第二比较器、第三比较器和逻辑处理模块构成的保护芯片电路；本发明用一颗单芯片电路，就解决了多节锂电池的保护问题，而且隔离型基准电压模块和比较器模块设置在每节锂电池之间，采用了隔离型低压器件实现，大大降低了芯片电路的成本。在保持每节电池电压检测的独立性的同时，利用逻辑处理模块可以大大提高每节电池电压检测结果之间的联动性，增加锂电池保护芯片电路的功能。
- 一种锂电池保护芯片电路
- [发明专利]一种电流采样电路-CN201710567699.3在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-07-12
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2017-10-24
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G01R19/00
- 本发明提供了一种电流采样电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第九NMOS晶体管和第十NMOS晶体管；本发明的电流采样电路，可以快速的把第一输入VIN1和第二输入VIN2之间的电压差转换成输出VSEN，将VSEN与基准电压做个简单的比较，即可实现过流保护、峰值和谷值电流检测等功能，具有广泛的应用价值。
- 一种电流采样电路
- [发明专利]一种振荡器电路-CN201710394999.6在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-05-30
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2017-09-29
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H03B5/04
- 本发明提供了一种振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、RS触发器以及电容；第一反相器的输入接振荡器的输出，输出接电容的一端以及第二反相器和第三反相器的输入；电容的另一端接地；第二反相器的输出接RS触发器的复位端R；第三反相器的输出接RS触发器的置位端；RS触发器的输出端接振荡器的输出。本发明利用了第二反相器和第三反相器的翻转点的区别，使得电容上的电压在这两个翻转点之间线性变化，从而构成了一个稳定的频率。相比传统的振荡器，这个振荡器频率主要受第二反相器和第三反相器的翻转点的控制，比较稳定。
- 一种振荡器电路
- [发明专利]一种上电复位电路-CN201710395051.2在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-05-30
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2017-09-29
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H03K17/22
- 本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管的漏极以及电阻的一端；电阻的另一端接电容的一端以及第一NMOS晶体管的栅极；电容的另一端接地；第二PMOS晶体管的源极接电源，栅极接第一NMOS晶体管的漏极以及反相器的输入；第一NMOS晶体管的源极接地；反相器的输出为电路的输出端。上述方案提供的上电复位电路中，利用电源电压与第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管阈值之和比较，产生电路的上电复位信号，大大简化了上电复位电路，减小了芯片面积，从而降低了系统的成本。
- 一种复位电路
- [发明专利]一种上电复位电路-CN201710395062.0在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-05-30
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2017-09-29
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H03K17/22
- 本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的漏极和栅极，第一NMOS晶体管的源极接地；第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端；第二隔离器件的另一端接地。该电路将电源电压与第一PMOS晶体管的阈值电压和第一NMOS晶体管晶体的阈值电压之和进行比较，当电源电压超过两者之和时，输出一个复位信号。该电路无需复杂的电路结构，实现了对芯片上电过程的检测，简化了电路结构，从而降低了芯片成本。
- 一种复位电路
- [发明专利]一种多节锂电池保护芯片电路-CN201710567214.0在审
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不公告发明人
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长沙方星腾电子科技有限公司
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2017-07-12
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2017-09-22
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H02J7/00
- 本发明提供了一种多节锂电池保护芯片电路，属于半导体集成电路技术领域。所述第一锂电池BAT1、第二锂电池BAT2、第三锂电池BAT3串联后接于地和电压源之间，所述电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、基准电压模块、第一加法模块、第二加法模块、第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、第三比较器COMP3和逻辑处理模块；本发明电路中采用一颗单芯片就解决了多节锂电池的保护问题，而且与传统的多节锂电池保护技术相比，本发明可以实现多节锂电池之间的联动保护，实现更多的系统功能。
- 一种锂电池保护芯片电路
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