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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201610429034.1有效
发明人： 铃木辉夫 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括；第一域，包括第一高电源线、第一低电源线以及第一电源钳位电路；第二域，包括第二高电源线、第二低电源线以及第二电源钳位电路；第三电源钳位电路，设置在所述第二高电源线与所述第一低电源线之间；第一中继电路，接收来自所述第一域的信号，并将所述信号输出至所述第二域；以及第二中继电路，接收来自所述第二域的信号，并将所述信号输出至所述第一域；其中所述第一中继电路和所述第二中继电路具有连接至所述第二高电源线和所述第一低电源线的电路部。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410100756.X无效
发明人：野村俊雄;桥本贤治;铃木辉夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，其中：提供了保护晶体管，该保护晶体管保护内部电路中的内部晶体管免受电源接脚之间发生的静电所造成的破损。构成保护晶体管沟道的第一p阱的导电类型对应于构成内部晶体管沟道的第二p阱的导电类型。第一p阱的杂质浓度高于第二p阱的杂质浓度。因此，保护晶体管的漏结比内部晶体管的漏结更尖，并且该保护晶体管的寄生双极工作的启动电压比该内部晶体管中的更低。因此，能够恰当地保护该内部电路免受ESD浪涌。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]外部放电保护电路-CN03140803.6有效
发明人：野村俊雄;铃木辉夫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种外部放电(ESD)保护器件包括：形成在衬底上的栅极；在栅极的第一侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区；在栅极的第二侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第二扩散区；和形成在第二扩散区下面的衬底中并与第二扩散区接触的第二导电类型的第三扩散区。由此，第三扩散区的杂质浓度设定为大于位于栅极正下方相同深度的衬底的区域的杂质浓度。
外部放电保护电路

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