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[发明专利]一种预热型喷淋组件-CN201911243542.0在审
发明人：刘子优;肖藴章;陈炳安;钟国仿;张灿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体CVD领域，具体涉及一种预热型喷淋组件，用于反应源气体进气至反应腔室，所述预热型喷淋组件包括喷淋顶盖，设置于喷淋顶盖下方的至少一个喷淋层，其中，所述喷淋层包括喷淋板腔室，喷淋板腔室的上方连接有用于进气的进气管路，所述进气管路上设置有管路加热组件，喷淋板腔室下方设置有出气孔贯穿至反应腔室，所述出气孔的流阻大于进气管路的流阻。本发明所提供的预热型喷淋组件，利用单独分层的喷淋层，可分别对反应源气体进气，且利用管路加热组件对反应源气体在进入喷淋板腔室前便开始进行预热，反应源气体在到达反应腔室前不会混合发生预反应，保证在反应腔室中可充分反应，可提高反应源气体的分解利用率，提高工艺速率。
一种预热喷淋组件

[发明专利]一种外延生长设备的反应室结构-CN202010117118.8在审
发明人：刘子优;肖蕴章;陈炳安;钟国仿;张灿;张新河 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长设备的反应室结构，包括：石英管、感应加热装置、反应腔室组件、分气组件、抽气组件，所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构，所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒，所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部，两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部，所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接，两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端。本发明通过增加分机组件，改进了反应腔体结构，完成了两台设备的产能，极大的降低了成本，节省了大部分洁净室空间，控制保护气体与反应气体的流量，减少反应气体从反应室内流出的速率，提高了气体利用率。
一种外延生长设备反应结构

[实用新型]制备二维晶体材料的化学气相沉积设备-CN201921366056.3有效
发明人： 钟国仿;陈炳安;张灿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种制备二维晶体材料的化学气相沉积设备包括：包括：真空室；所述真空室内设置有样品台和气体分配器；第一控温室，用于放置第一原材料，并用于将所述第一原材料加热以产生第一原材料的蒸气；第一进气管，连通所述第一控温室和所述气体分配器；第二控温室，用于放置固态或液态第二原材料，并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气；第二进气管，连通所述第二控温室和所述气体分配器；第三进气管，一端用于连通所述第二原材料的气体源，另一端连通所述气体分配器。本实用新型技术方案具有二维晶体材料制备精度高，产品均匀性和重复性好，化学气相沉积设备适用范围广的优点。
制备二维晶体材料化学沉积设备

[实用新型]具有密封结构的加热盘-CN201921388784.4有效
发明人：刘子优;肖蕴章;钟国仿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有密封结构的加热盘，其包括盘体、支撑柱以及导电柱；盘体内部设有用于安装加热盘主体的真空腔室，且盘体包括相对设置的第一端面和第二端面；支撑柱贯穿设置于所述盘体中心处；导电柱贯穿设置于所述盘体上。本实用新型的具有密封结构的加热盘中，支撑柱和导电柱均贯穿设置在盘体上，支撑柱一端和导电柱一端均通过固定片作为密封面与盘体第一端面连接，支撑柱另一端和导电柱另一端均通过压紧法兰对盘体第二端面进行轴向密封，该结构安装简易，提高了加热盘安装的灵活性和可调整性，适用于连接多种尺寸的盘体，实用性强。
具有密封结构加热

[发明专利]制备二维晶体材料的化学气相沉积设备和方法-CN201910776832.5在审
发明人： 钟国仿;陈炳安;张灿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制备二维晶体材料的化学气相沉积设备和方法，其中，化学气相沉积设备，包括：真空室；所述真空室内设置有样品台和气体分配器；第一控温室，用于放置第一原材料，并用于将所述第一原材料加热以产生第一原材料的蒸气；第一进气管，连通所述第一控温室和所述气体分配器；第二控温室，用于放置固态或液态第二原材料，并用于所述第二原材料加热以产生第二原材料的蒸气；第二进气管，连通所述第二控温室和所述气体分配器；第三进气管，一端用于连通所述第二原材料的气体源，另一端连通所述气体分配器。本发明技术方案具有二维晶体材料制备精度高，产品均匀性和重复性好，化学气相沉积设备适用范围广的优点。
化学气相沉积设备气体分配器控温室连通二维晶体进气管制备加热材料制备均匀性气体源样品台真空室室内

[实用新型]一种开放式连续生长碳纳米材料的设备-CN201821699833.1有效
发明人： 钟国仿;张灿 -专利权人：深圳市纳设智能装备有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本实用新型公开一种开放式连续生长碳纳米材料的设备，包括金属箔带进料系统、CVD系统和收集系统，金属箔带进料系统用于将金属箔带从大气中传送至CVD系统；CVD系统用于反应生成碳纳米材料，金属箔带在CVD系统内附着碳纳米材料后进入收集系统，本实用新型将金属箔带通过金属箔带进料系统连续输送进入CVD系统中，在该系统中经化学气相沉积方法在金属箔带表面沉积所需的碳纳米材料，然后通过收集系统直接进行收集，并对碳纳米材料进行后处理或直接生产碳纳米材料终端产品。本实用新型所有的系统均置于开放的大气中，而非隔绝空气的密封空间内。可实现每天24小时连续不间断运行，极大提高碳纳米材料的生长效率。
碳纳米材料金属箔带本实用新型进料系统收集系统生长化学气相沉积不间断运行表面沉积隔绝空气连续输送密封空间终端产品后处理附着传送开放生产

[发明专利]一种制备碳纳米管垂直阵列的方法-CN201110263453.X有效
发明人： 钟国仿 -专利权人： 钟国仿
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备碳纳米管垂直阵列的方法。所述方法包括如下步骤：(1)在基片表面上沉积厚度为3-20纳米的铝膜；(2)根据需要在室温下氧化或者在低于200摄氏度的温度下氧化所述铝膜；(3)在所述铝膜或氧化铝膜上沉积0.2-1.0纳米的催化剂层；(4)在所述催化剂层上沉积不厚于0.5纳米的铝膜；(5)在0.1-100毫巴低压还原性气氛中对所述步骤(4)的产物进行预热或预处理；(6)在550-850摄氏度的生长温度引入0.1％-50％浓度的碳源气体进行单壁碳纳米管垂直阵列的生长。发明克服了或至少减轻现有技术制备单壁碳纳米管的弊端，通过尽可能简单的技术和工艺实现单壁碳纳米管垂直阵列的制备，对单壁碳纳米管的直径、密度和长度可进行非常有效的控制。
一种制备纳米垂直阵列方法

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