“金锡铢”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]掩膜只读存储器的制造方法-CN02158452.4无效
发明人： 金锡铢 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种可把在逻辑工序中使用的双栅(dualgate)工序及硅化物(salicide)工序用在平单元(flatcell)型的掩膜只读存储器上的掩膜只读存储器的制造方法。该方法包括：提供定义存储单元阵列区域和周围区域的基片；在存储单元阵列区域和周围区域之间形成元件隔离膜；在形成元件隔离膜的基片前面形成用于形成栅极的物质层；覆盖存储单元阵列区域对周围区域的形成栅极用的物质层进行选择性蚀刻形成第一栅极；在周围区域的栅极侧面形成绝缘间隔；把栅极和绝缘间隔进行掩膜对周围区域的基片注入离子形成源极/漏极；在存储单元阵列区域的形成栅极用的物质层和周围区域的栅极和源极/漏极形成硅化物；覆盖周边区域对存储单元阵列区域的形成栅极用的物质层进行选择性蚀刻形成第二栅极；在完成上述工序的部件上形成保护膜等工序。
只读存储器制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN98120037.0无效
发明人： 金锡铢 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1998-09-24 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及，一种借由使用在保险丝盒上所形成的绝缘薄膜上的蚀刻停止薄膜，所以绝缘薄膜可以恒定厚度留在保险丝盒上的方法。蚀刻停止层在半导体装置进行最后一道工艺过程时被除去。结果，半导体装置的制造方法可提高制造工艺的成品率，当修理保险丝时，借由均匀地维持保险丝盒上的绝缘薄膜的厚度，避免劣等修理，而改善可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件电容器的方法-CN95109634.6无效
发明人： 金锡铢 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-08-03 - 公布日： 2000-03-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：制造半导体器件电容器的方法，包括在衬底和接触孔结构上淀积第一导电层，依次形成第一绝缘膜、第一导电层和第二绝缘膜，选择生长第二绝缘膜，以形成选择生长的氧化膜，再腐蚀该氧化膜、第二绝缘膜和第一导电层的预定部位，形成选择生长的氧化膜图形，形成第二导电层间隔层、第三导电层间隔层及第一导电层图形，以及去掉选择生长的氧化膜图形、第一绝缘膜和第二绝缘膜图形，形成具有增大表面面积的圆筒形存贮电极。
制造半导体器件电容器方法