专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN201710905195.8有效
  • 刘京植;李梁远;金锡奉 - 日月光半导体(韩国)有限公司
  • 2017-09-29 - 2023-05-26 - H01L23/552
  • 一种半导体封装装置包含:衬底、裸片、封装主体、屏蔽层、阻焊层、绝缘膜和互连元件。所述裸片安置在所述衬底的顶部表面上。所述封装主体安置在所述衬底的所述顶部表面上以覆盖所述裸片。所述屏蔽层安置在所述封装主体上且电连接到所述衬底的接地元件。所述阻焊层安置在所述衬底的底部表面上。所述绝缘膜安置在所述阻焊层上。所述互连元件安置在所述衬底的所述底部表面上。所述互连元件的第一部分由所述绝缘膜覆盖,并且所述互连元件的第二部分从所述绝缘膜中暴露。
  • 半导体封装装置及其制造方法
  • [发明专利]封装基板及其制造方法-CN201110161551.2有效
  • 朴珠炫;洪荣文;金锡奉 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2011-06-02 - 2011-11-16 - H01L23/488
  • 一种封装基板及其制造方法。封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内,并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层,并电性连接第一金属层及第二金属层。
  • 封装及其制造方法
  • [发明专利]半导体元件封装及其制作方法-CN201010194779.7有效
  • 金锡奉;尹妍霰;李瑜镛 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2010-05-31 - 2011-05-25 - H01L23/31
  • 本发明揭示一种具有电磁干扰屏蔽的半导体元件封装及其制作方法。在一实施例中,一种半导体元件封装包括一线路基板、一电子元件、一封装胶体以及一导电层。线路基板包括一承载面、一底面以及一接垫,其中底面相对于承载面。电子元件邻近承载面并电性连接至线路基板。封装胶体邻近承载面并包覆电子元件。封装胶体包括一中心部与一围绕中心部的周边部,其中周边部的厚度小于中心部的厚度,且形成在周边部的一开口暴露出接垫。导电层共形地覆盖封装胶体,并穿过开口以连接至接垫。本发明的半导体元件封装可增加切割工艺产量,可有效地加强封装结构的电磁干扰屏蔽的效果,并可增加封装结构的可靠度。
  • 半导体元件封装及其制作方法
  • [发明专利]半导体元件封装及其制作方法-CN201010194945.3有效
  • 李瑜镛;金锡奉 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2010-06-01 - 2011-05-25 - H01L23/552
  • 本发明公开了具有电磁干扰屏蔽的半导体元件封装及其制作方法。在一实施例中,一种半导体元件封装包括一线路基板、一电子元件、一封装胶体以及一导电层。线路基板包括一承载面、一底面、一延伸于承载面与底面之间的侧面、一导电层以及一接地环。接地环实质上为一沿着线路基板的边缘延伸的连续图案,且接地环暴露于线路基板的侧面,导电层包括接地环。电子元件邻近承载面并电性连接线路基板的导电层。封装胶体邻近承载面并包覆电子元件。导电层位于封装胶体与接地环上。
  • 半导体元件封装及其制作方法

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