“金敬勋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果112个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]化合物、包含该化合物的非水电解液和锂二次电池-CN202280010344.3在审
发明人：金廷根;金秀静;李美宿;李源均;张德训;尹正爱;金敬勋;李哲行;吴美莲;李佶宣;李政旻;康以斯帖;鲁灿佑;廉澈殷 -专利权人：株式会社LG化学;株式会社LG新能源
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C07D327/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物，并且涉及一种由本文描述的式I表示的化合物、包含该化合物的非水电解液和锂二次电池，当该化合物被包含在非水电解质中时，该化合物能够降低非水电解质的可燃性，并能够通过形成在高温下稳定且电阻低的电极‑电解质界面来改善电池的寿命特性。
化合物包含水电二次电池

[发明专利]垂直存储器装置-CN201710316294.2有效
发明人： 金敬勋;金泓秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元阵列区、字线接触区和外围电路区；栅电极，在单元阵列区和字线接触区中与基底平行，所述栅电极堆叠在垂直于基底的方向上并在所述垂直于基底的方向上间隔开；沟道结构，穿过单元阵列区中的栅电极，所述沟道结构电连接到基底；虚设沟道结构，穿过字线接触区中的栅电极，所述虚设沟道结构与基底间隔开；导线，平行于基底并电连接到第一栅电极，所述导线与虚设沟道结构的在竖直方向上的延伸部的至少一部分交叉。
垂直存储器装置

[发明专利]竖直存储器件-CN201810466878.2有效
发明人： 金敬勋;金泓秀;李太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开提供了竖直存储器件。一种竖直存储器件包括在基板的第一区域上的导电图案结构，该导电图案结构包括交错的导电图案和绝缘层的堆叠。焊盘结构设置在基板的第二区域上，基板的第二区域与基板的第一区域相邻，其中导电图案的边缘设置在沿着第一方向间隔开的点处以提供布置为阶梯布置中的各台阶的导电焊盘。多个沟道结构延伸穿过导电图案结构，并且多个虚设沟道结构延伸穿过焊盘结构。各接触插塞设置在导电焊盘上。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的每单位面积的数量是变化的。穿过导电焊盘的虚设沟道结构的宽度也可以变化。
竖直存储器件

[发明专利]具有训练功能的半导体装置和半导体系统-CN201910649522.7有效
发明人：洪基汶;金敬勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本发明公开了具有训练功能的半导体装置和半导体系统。一种半导体系统包括从设备，所述从设备包括多个单位存储区。该半导体系统还包括主设备，其被配置成通过将测试数据写入所述多个单位存储区、读取被写入的测试数据以及确定针对被读取的测试数据的通过/失败结果来执行训练操作。
具有训练功能半导体装置系统

[发明专利]锂二次电池用负极活性物质及包含该负极活性物质的锂二次电池-CN202310053475.6在审
发明人：全澯映;朴昭炫;金敬勋 -专利权人： SK新能源株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：根据示例性的实施方案的锂二次电池用负极活性物质包含硅基活性物质和石墨基活性物质，所述石墨基活性物质具有一次颗粒组合而成的二次颗粒的形式，并且二次颗粒的周长的算术平均值与二次颗粒的体积平均粒径之比满足规定范围。通过包含不同的物质，可以提高负极活性物质的结构稳定性和循环特性，并且可以改善包含所述负极活性物质的锂二次电池的电化学特性。
二次电池负极活性物质包含

[发明专利]半导体装置-CN201910071885.7有效
发明人：洪基汶;金敬勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置。一种半导体装置包括输入选择电路，其响应于控制信号来选择第一输入信号与第二输入信号中的一个，并将所选择的输入信号输出为选择信号，其中第一输入信号与第二输入信号的摆动电平彼此不同。该半导体装置还包括转换电路，该转换电路响应于选择信号来产生输出信号，该输出信号摆动到与第二输入信号的电平实质相同的电平。
半导体装置

[发明专利]包括连接器的电子装置-CN202180079721.4在审
发明人：李宇光;具官会;金敬勋;金淑景;申东洛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：根据本文件中公开的一个实施例，一种电子装置包括壳体、电池、电力管理模块、连接器、装置识别电路、存储器和处理器，其中，连接器包括第一子引脚行和第二子引脚行。处理器或装置识别电路可以：当外部配件装置连接到连接器并且在第一识别引脚中检测到指定电阻值时，控制电力管理模块，以便向第一电力引脚供给第一电力信号并且向第二识别引脚供给第二电力信号；通过第一识别引脚或第一数据引脚接收配件装置的第一标识信息；以及当第一标识信息是指定值或者与在存储器中所存储的第二标识信息匹配时，控制电力管理模块，以便阻止第一电力信号并且维持第二电力信号。
包括连接器电子装置

[发明专利]锂二次电池用非水电解质溶液添加剂及包含其的锂二次电池用非水电解质溶液和锂二次电池-CN202280006889.7在审
发明人：金秀静;尹正爱;李政旻;李美宿;李源均;张德训;鲁灿佑;廉澈殷;金敬勋;李哲行 -专利权人：株式会社LG化学;株式会社LG新能源
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明涉及具有环状硫氧化物结构的化合物以及包含其的非水电解质溶液添加剂、非水电解质溶液和锂二次电池，其中本发明的锂二次电池可以在高温稳定性和气体产生方面实现改善的效果，同时能够长时间实现稳定性能。
二次电池水电溶液添加剂包含

[发明专利]离型膜-CN202211562540.X在审
发明人：金宪泰;金敬勋;裵锦瞳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：可以是，离型膜包括：第一离型膜，配置在印刷电路基板以及连接到所述印刷电路基板的连接器上；以及第二离型膜，配置在所述印刷电路基板之下，所述第一离型膜包括切开与所述印刷电路基板以及所述连接器不重叠的所述第一离型膜的部分而界定为具有在一方向上延伸的形状的固定部，所述固定部插入到界定在所述第二离型膜中的切开部。
离型膜

[发明专利]垂直存储器件-CN201710561061.9有效
发明人： 金敬勋;金泓秀;李朱嬿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：一种垂直存储器件包括：包括单元区和外围电路区的衬底，在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序地堆叠在衬底的单元区上的栅电极，在单元区上并在垂直方向上延伸穿过栅电极的沟道，在外围电路区上并在垂直方向上延伸的第一下接触插塞，在外围电路区上与第一下接触插塞相邻并在垂直方向上延伸的第二下接触插塞，以及电连接到第一下接触插塞的第一上布线。第一上布线被配置为将电信号施加到第一下接触插塞。第二下接触插塞不被电连接到配置为施加电信号的上布线。
垂直存储器件

[发明专利]命令地址控制电路和半导体装置以及包括其的半导体系统-CN202211061575.5在审
发明人：郑世罗;金敬勋;朴智焕;郑夏俊;车载薰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C8/18 文献下载
摘要：本公开涉及命令地址控制电路和半导体装置以及包括其的半导体系统。该半导体装置包括命令地址控制电路。命令地址控制电路被配置为接收行命令地址信号和列命令地址信号，并且被配置为基于行命令地址信号的至少一个比特位的逻辑电平而选择性地将行命令地址信号和列命令地址信号反相。
命令地址控制电路半导体装置以及包括系统

[发明专利]非水电解液添加剂、包含其的非水电解液和锂二次电池-CN202180050216.7在审
发明人：金廷根;林永敏;李源均;张德训;鲁燦佑;廉澈殷;尹正爱;金敬勋;李哲行;金书奇;崔溁哲 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种非水电解液添加剂，其通过形成在应用于非水电解液时即使在高温下也稳定且具有低电阻的固体电解质界面，能够提高锂二次电池的寿命特性，本发明还涉及包含式I表示的磺内酯类化合物的非水电解液添加剂、包含该添加剂的非水电解液和锂二次电池。
水电添加剂包含二次电池

[发明专利]半导体存储器设备、存储器模块和包括其的系统-CN201810200483.8有效
发明人：朴贤晶;金敬勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器设备，其可以包括第一存储器设备和第二存储器设备，并且可以执行各种操作模式。在第一操作模式中，第一存储器设备和第二存储器设备可以独立地执行写入操作和读取操作。在第二操作模式中，第一存储器设备可以执行写入操作和读取操作并且第二存储器设备可以执行写入操作。在第三操作模式中，第二存储器设备可以执行写入操作和读取操作。
半导体存储器设备模块包括系统

[发明专利]聚合物固体电解质和包含其的锂二次电池-CN201880005239.4有效
发明人：崔溁哲;金昇昰;蔡宗铉;金敬勋;李娟珠;金大日;露西娅·金 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物固体电解质和包含所述聚合物固体电解质的锂二次电池，所述聚合物固体电解质具有高离子传导性、耐热性和尺寸稳定性，并且具有优异的氧化稳定性和电压稳定性。
聚合物固体电解质包含二次电池

[发明专利]时钟分配电路和包括其的半导体装置-CN202110632882.3在审
发明人：姜智孝;金敬勋;梁宰赫;卞相渊;李康湜;蔡周亨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H03K5/15 文献下载
摘要：本公开涉及时钟分配电路和包括其的半导体装置。描述了用于减少时钟分配电路中的信号传输的功耗和偏斜的设备。全局分配电路被配置为对外部时钟信号进行分频以生成第一分频多相时钟信号，并且对第一分频多相时钟信号中的一个进行分频以生成参考时钟信号。局部分配电路被配置为根据第一分频多相时钟信号的一部分和参考时钟信号来生成第二分频多相时钟信号。
时钟分配电路包括半导体装置

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 112 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top