专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制备粒状多晶硅的方法和装置-CN200780015545.8有效
  • 金希永;尹卿求;朴容起;崔源春 - 韩国化学研究院
  • 2007-08-09 - 2009-05-13 - C30B29/06
  • 公开了应用流化床反应器制备粒状多晶硅的方法。所述床的上部和下部空间分别被规定为反应区和加热区,将反应气体出口的高度选定为参比高度。本发明通过有效提供所需的热和稳定地保持反应区的反应温度而使反应器的生产率最大化,不影响流化床反应器的机械稳定性。这是通过加热区内的电阻加热实现的,其中,将内部加热器安装在反应气体供给装置和反应器管内壁之间,于是对加热区中的流化气体和硅颗粒进行加热。通过以可使硅颗粒在反应区和加热区之间呈连续、流化状态相互混合的速率供给流化气体来将加热区内产生的热转移到反应区。
  • 制备粒状多晶方法装置
  • [发明专利]采用金属芯结构制备高纯多晶硅棒的方法-CN200780006242.X有效
  • 金希永;尹卿求;朴容起;文相珍;崔源春 - 韩国化学研究院
  • 2007-05-21 - 2009-03-18 - C23C16/24
  • 本发明涉及一种采用金属芯结构制备多晶硅棒的方法,包括:将芯结构安装在用来制备硅棒的淀积反应器的内部空间中,其中,芯结构(C)由在金属芯组元表面上形成一层或者多层隔离层构成,并连接到电极结构(E)上;通过电极结构(E)供电将芯结构(C)加热;向内部空间(Ri)中供给反应气体(Gf)用于硅淀积,由此在芯结构(C)的表面沿向外的方向形成淀积产物。依据本发明,淀积产物(D)和芯结构(C)可以方便地从由硅淀积工艺得到的硅棒产物上分离,并且可以将由金属芯组元的杂质引起的淀积产物的污染最小化,由此以更经济便捷的方式制备出高纯度硅。
  • 采用金属结构制备高纯多晶方法
  • [发明专利]连续制备纳米级的水合氧化锆溶胶的方法-CN200380100321.9无效
  • 金希永;朴容起;尹卿求;林亨燮 - 韩国化学研究院
  • 2003-12-01 - 2005-11-02 - C01G25/00
  • 本发明涉及一种连续制备溶胶溶液形式的具有1~1000nm平均直径(dp)的良好分散球形水合氧化锆颗粒的方法,该方法包括在低于约25℃温度下将浓度0.001~0.5mol/l的锆盐水性溶液连续加到由一个或两个以上反应管构成的反应器中,加热在反应器中处于连续流动状态的所述水性溶液最高达到沸点,然后通过所述反应器的出口排出所述溶液。相对于采用常规的分批式的反应器或半连续的搅动式反应器的方法,根据本发明的连续制备水合氧化锆溶胶的方法可允许各种操作参数在一定的范围被控制,因而可显著地改善制备的水合氧化锆溶胶或所得到作为最终产物的氧化锆粉末的质量。
  • 连续制备纳米水合氧化锆溶胶方法
  • [发明专利]制备高纯颗粒硅的方法-CN98117164.8无效
  • 弗朗茨·施赖尔德尔;金希永 - 瓦克化学有限公司
  • 1998-08-12 - 1999-05-12 - C01B33/03
  • 本发明涉及一种在包含加热和反应区段的流化床反应器中,通过元素硅在细粒硅上沉积制备氯污染物量低于50ppm(重量)的颗粒硅的方法,在加热区段中的细粒硅用惰性、无硅载体气体使其流态化从而产生一流化床,并用微波能加热,在反应区段中,将其曝置于包含硅源气体和载体气体的反应气体中,其中,当在反应段中反应气体充注流态化细粒硅时,它的平均温度要低于900℃,当在反应段中流态化细粒硅被反应气体充注时,它的平均温度要高于900℃。
  • 制备高纯颗粒方法

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