“金山昌广”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法-CN201911139299.8有效
发明人：荻原勤;渡边司;美谷岛祐介;金山昌广;三井亮 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
热固性材料紫外线光刻用抗蚀剂下层形成组合图案方法

[发明专利]含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法-CN202010072206.0有效
发明人：荻原勤;美谷岛祐介;金山昌广;渡边司;大桥正树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
含硅抗蚀剂下层形成组成图案方法

[发明专利]测定硬化催化剂的扩散距离的方法-CN202010334210.X有效
发明人：荻原勤;渡边司;河合义夫;小林知洋;美谷岛祐介;金山昌广 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
测定硬化催化剂扩散距离方法

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法-CN202010710472.1在审
发明人：荻原勤;美谷岛祐介;金山昌广 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题为提供可形成LWR、CDU优良的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用该组合物的图案形成方法。该课题的解决方法为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：包含通式(Sx‑1)、(Sx‑2)及(Sx‑3)所示的部分结构中的任一种以上的热固化性含硅的材料、及通式(P‑0)所示的化合物。[化1]。
抗蚀剂下层形成组合图案方法

[发明专利]含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法-CN202010333047.5在审
发明人：荻原勤;渡边司;美谷岛祐介;金山昌广 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
抗蚀剂下层形成组成图案方法