专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锰钴尖晶石涂层的制备方法及其应用-CN202110537041.4有效
  • 金奕千;彭苏萍;杨志宾;盛佳琦;郝国政 - 中国矿业大学(北京)
  • 2021-05-17 - 2022-01-25 - C23C24/08
  • 本发明提供了一种锰钴尖晶石涂层的制备方法及其应用,涉及涂层材料技术领域。所述锰钴尖晶石涂层的制备方法首先将锰钴混粉与溶液混合,得到混合浆料;随后将混合浆料涂敷于铁素体不锈钢连接体表面,干燥,得到中间体涂层A;然后将表面具有中间体涂层A的铁素体不锈钢连接体在还原气氛下烧结后通入空气在高温下氧化,得到锰钴尖晶石涂层。上述制备方法具有制备工艺简单,易于操作,经济性强的优势,可以生成质地均匀致密的尖晶石涂层。经实验验证,上述制备方法制得的锰钴尖晶石涂层在高温下导电性良好,其面比电阻可以达到10mΩ·cm2以下,同时该涂层具备良好的稳定性,在500小时的范围内无明显电阻上升。
  • 尖晶石涂层制备方法及其应用
  • [发明专利]调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用-CN202110293254.7在审
  • 金奕千;彭苏萍 - 中国矿业大学(北京)
  • 2021-03-18 - 2021-06-01 - C01B32/184
  • 本发明提供了一种调节石墨烯禁带宽度的方法、石墨烯半导体元件、半导体和应用,涉及石墨烯技术领域。该方法通过使氧化石墨烯、任选的调节剂和水形成的第一溶液在基材表面形成薄膜,然后将形成有薄膜的基材进行干燥、加热,以使薄膜中的氧化石墨烯还原为石墨烯,任选的采用氧化剂进行处理,以调节石墨烯的禁带宽度;其中,通过采用氧化剂或者调节剂对石墨烯进行官能团修饰,使其具有一定的吸电子能力或者给电子能力,从而改变石墨烯的电子激发能,达到连续可控调节石墨烯禁带宽度的目的;另外,该方法中所采用的氧化剂或者调节剂原料廉价、易得,整个处理过程符合无污染、低能耗、低碳排放的理念。本发明还提供了一种石墨烯半导体元件和半导体。
  • 调节石墨烯禁带宽度方法半导体元件应用

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