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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能转换材料、包括其的太阳能电池封装物和包括其的太阳能电池-CN202080050434.6在审
发明人： 金基世;韩在爀;李度勳;金俊奇;金韺来;白太锺;金敏慧;申孝柱 -专利权人：韩华道达尔有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有提高的效率的太阳能转换材料和包括其的太阳能电池。根据本发明的一个实施方案，本发明提供了一种太阳能转换材料，其包括氢氧化铝前体和镧系离子或包括其的衍生物。
太阳能转换材料包括太阳能电池封装

[发明专利]包括铝基太阳能转换材料的太阳能电池-CN201980053860.2在审
发明人： 金基世;李度勳;张豪植 -专利权人：韩华道达尔有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：当基于具有紫外线吸收光谱和可见光发射光谱的低成本铝材料产生的太阳波长转换材料(太阳光谱波长转换器)位于太阳能电池和太阳能光入射到的太阳能电池的前表面的密封剂之间时，可以通过同时引起下转换效应和抗反射涂覆效应来改善太阳能电池的光电流转换效率，由此增加光生成的电流。
包括太阳能转换材料太阳能电池

[发明专利]使用各向异性金属纳米粒子而具有增强的发光效率的光变换发光装置-CN201380037683.1有效
发明人： 金基世;李度勋;张豪植;催昶铉 -专利权人：三星TOTAL株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明提供具有增强的发光效率的发光装置，其通过控制待在近紫外光范围和可见光范围内形成的各向异性金属纳米粒子的2种或多种表面等离子体共振条带及优化近紫外线或蓝光源的波长与发光材料的吸收波长和发射波长的重叠来同时呈现发光材料的激发增强和发射增强。本发明也提供具有改善的色域和亮度的发光装置，其通过控制待与彼此具有不同发射波长的2种或更多发光材料的吸收和发射波长重叠的各向异性金属纳米粒子的2种或多种表面等离子体共振条带来同时呈现不同类型的发光材料的发射增强。
使用各向异性金属纳米粒子具有增强发光效率变换装置

[发明专利]功率器件及功率器件的制造方法-CN201210586975.8在审
发明人：李哉勋;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件及功率器件的制造方法。功率器件包括：衬底；位于所述衬底的一个表面上的SiXC1-X层，其中0＜x＜1；以及通过刻蚀一部分所述SiXC1-X层并从所述SiXC1-X层的刻蚀区域处生长GaN而形成的再生长GaN层。
功率器件制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201210585300.1无效
发明人：李宪福;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：多个第一电极和多个第二电极、在第一绝缘层上并且与所述多个第一电极接触的多个第一通孔电极、在所述第一绝缘层上并且与所述多个第二电极接触的多个第二通孔电极、与所述多个第一通孔电极接触的第一电极焊盘、与所述多个第二通孔电极接触的第二电极焊盘、在第二绝缘层上并且与所述第一电极焊盘接触的多个第三通孔电极、在所述第二绝缘层上并且与所述第二电极焊盘接触的多个第四通孔电极、与所述多个第三通孔电极接触的第三电极焊盘、以及与所述多个第四通孔电极接触的第四电极焊盘。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造功率器件的方法-CN201210271354.0无效
发明人：李哉勋;金基世;李正熙;任基植;金东硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种制造功率器件的方法，该方法可通过生长n-GaN而形成第二漂移区，从而晶体不会被破坏并且可确保可靠性。并且，可以不额外使用离子注入装置，从而可简化处理并且可降低成本。此外，第一漂移区和第二漂移区交替布置以形成n-GaN和p-GaN的超结结构，从而当施加反向电压时由于耗尽层的形成而提高了耐受电压。通过降低源电极接触层中的导通电阻，可增加电流密度。具有高于第二漂移区的n型掺杂剂掺杂浓度的n-GaN层可形成在第二漂移区上，并且功率器件能够进行常闭操作，从而可降低功耗。
制造功率器件方法

[发明专利]功率半导体器件-CN201210265563.4无效
发明人：许承培;李宪福;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括设置在器件有源区并在朝向第一侧的方向上变宽的源电极、与源电极交替布置在器件有源区并在朝向面对第一侧的第二侧的方向上变宽的漏电极、设置在源电极和漏电极上并被配置为包括接触源电极和漏电极的多个通路接触的绝缘层、设置在绝缘层上第一区内与源电极接触的源电极垫以及设置在绝缘层上与第一区隔开的第二区内并与接触漏电极的多个通路接触相接触的漏电极垫。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201210241675.6无效
发明人：许承培;金基世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了功率半导体器件以及其制造方法。该功率半导体器件包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极的外部处的绝缘层，该阳极电极包括阳极电极焊垫、电极汇流线、以及多个第一阳极电极指和多个第二阳极电极指，该电极汇流线连接到阳极电极焊垫上的第一侧和第二侧，该电极汇流线每个在离开阳极电极焊垫的方向上具有减小的宽度，该多个第一阳极电极指和该多个第二阳极电极指与阳极电极焊垫上的第三侧和第四侧连接并与电极汇流线的两侧连接，该阴极电极包括第一阴极电极焊垫和第二阴极电极焊垫、多个第一阴极电极指、以及多个第二阴极电极指，该多个第一阴极电极指与第一阴极电极焊垫连接，该多个第二阴极电极指与第二阴极电极焊垫连接。
功率半导体器件

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201110271026.6无效
发明人：李哉勋;金基世 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括布置在散热衬底上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基二极管。HFET器件可以包括：GaN基多层，具有凹陷区域；栅极，布置在凹陷区域中；以及源极和漏极，布置在GaN基多层的在栅极(或凹陷区域)的两个相对侧的部分上。栅极、源极和漏极可以附接到散热衬底。凹陷区域可以具有双凹陷结构。当这样的GaN基半导体器件在被制造时，可以使用晶片接合工艺和激光剥离工艺。
氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN201110259899.5无效
发明人：李哉勋;金基世 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括：散热衬底(也就是导热衬底)；GaN基多层，布置在散热衬底上并具有N面极性；以及布置在GaN基多层上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基电极。HFET器件可以包括具有双凹陷结构的栅极。在制造这样的GaN基半导体器件时，可以使用晶片接合工艺和激光顶离工艺。
氮化半导体器件及其制造方法

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