“金善培”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN202310306078.5在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；有源区，在衬底上沿第一水平方向延伸，并且包括在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区、以及在第二水平方向上彼此间隔开的第三有源区和第四有源区；分别在第一至第四有源区上的第一至第四源/漏区；分别连接到第一至第四源/漏区的第一至第四接触插塞；第一隔离绝缘图案，设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间；以及第二隔离绝缘图案，设置在第三接触插塞和第四接触插塞之间，其中，在竖直方向上，第一隔离绝缘图案的第一长度小于第二隔离绝缘图案的第二长度。
半导体器件

[发明专利]制造集成电路器件的方法-CN201811182469.6有效
发明人：姜东佑;柳志昊;姜栋薰;金善培;朴文汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。
制造集成电路器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202310003738.2在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;朴珍煐;朴贤镐;刘智旼;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源区，在第一方向上延伸；器件隔离层，在有源区的侧表面上并且限定有源区；栅极结构，在有源区上与有源区相交，并且在第二方向上延伸；源/漏区，在有源区凹陷在其中的区域中，在栅极结构的两侧上；第一保护层，在器件隔离层与栅极结构之间；以及掩埋互连线，在源/漏区下方，并且通过掩埋互连线的上表面连接到源/漏区中的一个。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211664988.2在审
发明人：李斗铉;申宪宗;朴贤镐;金善培;朴珍煐;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅结构，在第一方向上间隔开，并包括在第二方向上延伸的栅电极；源/漏凹陷，在相邻的栅结构之间；源/漏图案，在源/漏凹陷中；源/漏接触部，连接到源/漏图案，并包括上部和源/漏图案上的下部；以及接触硅化物膜，沿源/漏接触部的下部设置在源/漏接触部与源/漏图案之间。源/漏图案包括：半导体衬膜，沿源/漏凹陷延伸并包括硅锗；半导体填充膜，在半导体衬膜上并包括硅锗；以及半导体插入膜，沿源/漏接触部的下部的侧壁延伸并包括硅锗。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210664011.4在审
发明人：李斗铉;申宪宗;朴贤镐;郭玟燦;金善培;朴珍煐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源区域和第二有源区域，位于基底上；第一有源图案和第二有源图案，位于第一有源区域上和第二有源区域上；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，位于第一有源图案和第二有源图案上；第一硅化物图案和第二硅化物图案，位于第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案上；以及第一有源接触件和第二有源接触件，结合到第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。第一有源接触件的最下面的部分位于比第二有源接触件的最下面的部分的水平高的水平处。第一硅化物图案的厚度大于第二硅化物图案的厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202210935223.1在审
发明人：李斗铉;申宪宗;郭珉灿;金善培;朴珍煐;朴贤镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，在衬底上与有源区相交，沿第二方向延伸，并包括向上突出的接触区；以及互连线，在栅电极上并与接触区连接，其中，接触区包括：下部区，在第二方向上具有第一宽度；以及上部区，位于下部区上并且在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度，其中接触区在第二方向上的至少一个侧表面具有在下部区和上部区之间的点，在该点处倾斜度或曲率改变。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202210135336.3在审
发明人：李斗铉;申宪宗;金善培;郭玟燦;朴珍煐;朴贤镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底上的有源图案；所述有源图案上的源/漏图案；被连接到所述源/漏图案的沟道图案；所述沟道图案上的栅电极；所述源/漏图案上的有源接触部；所述栅电极上的第一下互连线；以及在所述有源接触部上并且与所述第一下互连线在相同高度上的第二下互连线。栅电极可以包括电极主体部和电极突起部，其中电极突起部从所述电极主体部的顶表面突起并且与其上方的第一下互连线接触。有源接触部可以包括接触主体部和接触突起部，其中接触突起部从所述接触主体部的顶表面突起并且与其上方的第二下互连线接触。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202111446580.3在审
发明人： 金善培;崔庆寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，该半导体衬底包括突出的有源图案；设置在有源图案上并延伸以与有源图案交叉的第一栅极图案；设置在第一栅极图案的顶面上的第一盖帽图案，第一盖帽图案具有顶面、侧面和圆角边缘；以及覆盖第一盖帽图案的侧面和边缘的第一绝缘图案。在第一盖帽图案的边缘上的第一绝缘图案的厚度与在间隔物图案的外侧面上的第一绝缘图案的厚度不同。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202111527486.0在审
发明人： 金善培;南瑞祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底；第一层间绝缘层，设置在基底上；第一沟槽，形成在第一层间绝缘层内部；接触插塞，设置在第一沟槽内部；第一布线图案，设置在接触插塞上；第二布线图案，设置在第一层间绝缘层上并在水平方向上与第一布线图案间隔开；第二层间绝缘层，设置在第一层间绝缘层上并围绕第一布线图案的每个侧壁和第二布线图案的每个侧壁；以及第一气隙，在第一沟槽内部形成在接触插塞上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件-CN202111224272.6在审
发明人： 金善培;李禹镇;崔承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底上的有源区；与有源区相交的栅极结构；位于有源区上且在栅极结构的侧表面处的源/漏极区；栅极结构与源/漏极区之间的栅极侧墙，栅极侧墙接触栅极结构的侧表面；连接到源/漏极区的下源/漏级接触插塞；栅极侧墙上的栅极隔离层，栅极隔离层的上端处于比栅极结构的上表面和下源/漏极接触插塞的上表面高的高度处；覆盖栅极结构、下源/漏级接触插塞和栅极隔离层的覆盖层；以及连接到下源/漏极接触插塞并延伸穿过覆盖层的上源/漏极接触插塞。
具有栅极隔离半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110878115.0在审
发明人：金文铉;郑荣采;金旻奎;金善培;朴鍊皓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，具有设置有沟道图案的有源区；器件隔离层，包括限定有源区的第一部、以及包围沟道图案的第一部分的第二部；上外延图案，设置在沟道图案的顶表面上；栅电极，包围沟道图案的第二部分并且在第一方向上延伸；栅间隔物，在栅电极上；层间介电层，在栅间隔物上；以及气隙，在栅电极的底表面和器件隔离层的第二部之间。气隙的至少一部分与栅电极竖直地重叠。沟道图案的第二部分高于沟道图案的第一部分。
半导体器件

[发明专利]形成集成电路器件的方法-CN202011071412.6在审
发明人：孙昌佑;宋昇炫;金善培;吴旼哲;郑荣采 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了形成集成电路器件的方法。所述方法可以包括：形成基板的虚设沟道区域和有源区域；在有源区域上形成底部源极/漏极区域；在虚设沟道区域的相对的侧表面上形成栅电极；以及分别在虚设沟道区域的相对的侧表面上形成第一间隔物和第二间隔物。栅电极可以包括在虚设沟道区域的相对的侧表面中的一个上的第一部分以及在底部源极/漏极区域和第一间隔物之间的第二部分。所述方法还可以包括通过用导电材料置换栅电极的第一部分而形成底部源极/漏极接触。底部源极/漏极接触可以将栅电极的第二部分电连接到底部源极/漏极区域。
形成集成电路器件方法

[发明专利]用于垂直场效应晶体管的对称二维鳍结构和制造其的方法-CN202011072807.8在审
发明人： 金善培;宋昇炫;郑荣采 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明构思提供了一种制造垂直场效应晶体管(VFET)的鳍结构的方法和通过该方法制造的鳍结构。所述方法包括：(a)图案化下层和沉积在下层上的上层，以形成分别在彼此垂直的两个方向上延伸的两个图案；(b)沿着下层和上层的通过图案化暴露的侧壁在所述两个图案中并排地形成第一间隔物和第二间隔物；(c)去除在下层的顶表面的水平之上的第一间隔物、第二间隔物和上层、以及在下层的顶表面的水平之下并在俯视图中通过所述两个图案暴露的第一间隔物；(d)去除在操作(c)之后保留在衬底上的下层、上层和第二间隔物；以及(e)除了衬底的位于在操作(d)之后保留在衬底上的第一间隔物之下的部分以外，向下蚀刻衬底，并去除保留的第一间隔物，从而获得鳍结构。
用于垂直场效应晶体管对称二维结构制造方法

[发明专利]垂直场效应晶体管的鳍状结构及其制造方法-CN202010455683.5在审
发明人： 金善培;宋昇炫;金基一;郑荣采 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种垂直场效应晶体管(VFET)的鳍状结构及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成多个芯轴，在所述芯轴之间具有至少一个第一间隙；分别在所述芯轴的侧表面上形成多个第一间隔物，使得在所述第一间隔物之间形成至少一个小于所述第一间隙的第二间隙；在所述第一间隔物的侧表面上形成第二间隔物；去除所述芯轴和所述第一间隔物，保留所述第二间隔物；去除所述第二间隔物的预定部分，使得剩余的第二间隔物在俯视图中具有二维形状；以及去除所述衬底的不在所述剩余的第二间隔物下方的部分和所述剩余的第二间隔物，使得所述衬底位于所述剩余的第二间隔物下方的部分形成所述鳍状结构。
垂直场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]包括垂直场效应晶体管的集成电路器件-CN202010540612.5在审
发明人：郑荣采;金善培;宋昇炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了集成电路器件。集成电路器件可以包括垂直场效应晶体管(VFET)，该垂直场效应晶体管包括：在衬底中的底部源极/漏极区、在底部源极/漏极区上的沟道区、在沟道区上的顶部源极/漏极区、以及在沟道区的侧面上的栅结构。沟道区可以具有十字形上表面。
包括垂直场效应晶体管集成电路器件

1
2
下一页»
尾页
共 20 条