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[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202211559598.9在审
发明人： 金吉江;江亨義;金炳辰;阿部润一郎 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置和其制造方法。一种封装式电子装置包含模制衬底，其包含有边缘引线和内部引线的导电结构，边缘引线有相对的向外侧和向内侧，内部引线有相对的向外侧和向内侧。模制衬底包含衬底囊封物，其覆盖边缘引线向内侧的下部及内部引线向内侧的下部和向外侧的下部。边缘引线向外侧的上部和内部引线向外侧的上部从衬底囊封物暴露。电子组件连接到边缘引线和内部引线。主体囊封物覆盖电子组件和导电结构的部分，且有顶侧和多个侧面，边缘引线向外侧的上部从主体囊封物的侧面中的一个暴露，主体囊封物覆盖内部引线向外侧的上部和内部引线向内侧的上部。导电盖位于主体囊封物的顶侧及侧面和衬底囊封物的外侧上方，且接触边缘引线向外侧的上部。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202111184693.0在审
发明人：舒恩·布尔;松田吉雄;江详烨;金炳辰;金吉江;贝俊明;李胜吴;宋洋合;中岛美希;长泽和昌;中村慎吾;苏菲·奥尔森;金进勇 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。在一个实例中，电子装置包括：第一衬底，所述第一衬底包括基底；电子组件，所述电子组件在所述第一衬底上方并且包括顶侧和底侧、在所述顶侧上的第一端子和第二端子，以及在所述底侧上的第三端子，其中所述第三端子与所述第一衬底耦合。所述电子装置进一步包括：第二衬底，所述第二衬底在所述电子组件上方；以及包封物，所述包封物在所述第一衬底上方，接触所述电子组件的侧边并且接触所述第二衬底。第一引线与所述第一衬底的所述基底耦合并且在所述第一衬底的所述基底上方延伸，所述第二衬底的第二引线耦合到所述电子组件的所述第一端子，并且所述第一引线和所述第二引线从所述包封物的顶侧暴露。本文中还公开其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202111037516.X在审
发明人：江亨义;金吉江;宋洋合;金炳辰;贝俊明;李胜吴 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包含具有导电结构和衬底包封体的衬底。所述导电结构具有引线，所述引线具有引线通孔和引线突起部。所述引线通孔可包含由第一凹形部分限定的通孔横向侧，且所述引线突起部可包含由第二凹形部分限定的突起部横向侧。所述衬底包封体在所述衬底的第一侧处覆盖所述第一凹形部分而非所述第二凹形部分，使得所述引线突起部在所述衬底的第二侧处从所述衬底包封体突出。电子组件可邻近所述衬底的所述第一侧且电耦合到所述导电结构。主体包封体包封所述电子组件和所述衬底的部分。在一些实例中，所述引线可在所述衬底的所述第二侧处进一步包含引线迹线。在一些实例中，所述衬底可在所述衬底的所述第一侧处包含重分布结构。本文中也公开其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法