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[发明专利]包括金属块的发光元件-CN201680011635.9有效
发明人：蔡钟炫;金彰渊;李俊燮;徐大雄;卢元英;朴柱勇;金升铉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例的发光元件包括：发光单元，包括台面，该台面包括在下面包括接触区域的第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层；第二电极；第一绝缘层；电极覆盖层；第一电极；第二绝缘层；以及支撑单元。另外，所述台面包括主体部以及从所述主体部突出的多个突出部，接触区域位于所述突出部之间，接触区域的一部分在上下方向上可以与所述第二金属块(metal bulk)重叠。据此，可以改善电流分散效率，从而能够进一步改善发光效率。
包括金属发光元件

[发明专利]多晶硅生长装置-CN201210267188.7无效
发明人：李昶徕;金升铉;姜承吾;朴奎东;朴健 -专利权人：半材料株式会社
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种为了改善能源效率并减少污染而利用过热蒸气或经加热的非活性气体的多晶硅生长装置。本发明提供一种多晶硅生长装置，其包括：钟形（bell-jar）反应部，具有供应原料气体的气体投入口及排出废气的气体排出口，以在内部腔室形成多晶硅的生长环境；电极部，其包括导入电流的第一电极和从第一电极分隔配置并通电的第二电极；硅芯棒部，其两端部连接第一电极和第二电极之间，通电时，该硅芯棒部因电阻加热而升温；以及过热蒸气型加热部，其产生过热蒸气而供应到钟形反应部的内部，来加热硅芯棒部。
多晶生长装置