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[发明专利]研磨液、研磨液套剂及研磨方法-CN201780095229.X有效
发明人： 金丸真美子;山村奈央 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种研磨液，其含有磨粒、共聚物和液状介质，所述共聚物具有来源于选自苯乙烯和苯乙烯衍生物中的至少一种苯乙烯化合物的结构单元以及来源于选自丙烯酸和马来酸中的至少一种的结构单元，在所述共聚物中，所述来源于苯乙烯化合物的结构单元的比率为15mol％以上。
研磨液套剂方法

[发明专利]研磨液及研磨方法-CN201980091646.6有效
发明人：藤松爱;金丸真美子;山村奈央 -专利权人：昭和电工材料株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的一方面为一种研磨液，其含有磨粒、共聚物和液状介质，共聚物具有来源于选自由苯乙烯及苯乙烯衍生物组成的组中的至少一种苯乙烯化合物的结构单元和来源于丙烯酸的结构单元，以研磨液总量为基准，共聚物的含量超过0.01质量％且为0.2质量％以下，研磨液的pH超过4.5。
研磨方法

[发明专利]CMP研磨液及其应用、研磨方法-CN201510505083.4有效
发明人： 金丸真美子;岛田友和;筱田隆 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
cmp 研磨及其应用方法

[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法-CN201210225793.8有效
发明人：筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
cmp 研磨以及方法

[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法-CN201210226495.0有效
发明人：筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
cmp 研磨以及方法

[发明专利]CMP研磨液和研磨方法-CN201080022988.1有效
发明人： 金丸真美子;岛田友和;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
cmp 研磨方法

[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法-CN200980113203.9有效
发明人：筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
cmp 研磨以及方法