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[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN202110564286.6在审
发明人：后藤洋太郎;永久克己;野村佳广 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。栅极电极经由第一绝缘膜而形成在n型源极区域和n型漏极区域之间的半导体衬底上。第一绝缘膜具有在平面视图中彼此相邻的第二绝缘膜和第三绝缘膜，并且在栅极电极的栅极长度方向上，第二绝缘膜位于n型源极区域侧，而第三绝缘膜位于n型漏极区域侧。第二绝缘膜比第三绝缘膜更薄。第三绝缘膜由层叠膜制成，层叠膜具有在半导体衬底上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜以及在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，并且这三个绝缘膜的每个带隙大于第二绝缘膜的带隙。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]色谱图的显示方法-CN201110214579.8有效
发明人：吉田杰;野村佳广;酒井敏克;高木毅 -专利权人：爱科来株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G01N30/86 文献下载
摘要：本发明为色谱图的显示方法。提供一种更容易掌握地显示要求优先显示的测定对象成分的峰的技术。基于与HbA0区域的显示增益相关的、HbA0区域中所显示的HbA0和异常Hb的优先顺序，决定HbA0区域的显示增益，以使所显示的HbA0和异常Hb的峰中，优先顺序高的成分的峰较优先地显示，并且，以对于HbA1c区域和HbA0区域分别决定的显示增益同时显示HbA1c区域和HbA0区域。
色谱显示方法