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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211297992.X在审
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酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2022-10-21
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2023-04-28
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H01L23/488
- 得到一种半导体装置及其制造方法，其能够提高散热性，减小散热性的波动。半导体芯片(5)的背面电极(6)与导电性的管芯焊盘(4)通过含Ag量50‑85％的Ag接合材料(8)而接合。端子(2)与半导体芯片(5)连接。绝缘性的封装树脂(1)将管芯焊盘(4)、半导体芯片(5)、Ag接合材料(8)及端子(2)的一部分。端子(2)从封装树脂(1)凸出，在前端具有基板接合面。金属毛刺(16)从与Ag接合材料(8)接触的背面电极(6)的下表面的外周部凸出。Ag接合材料(8)的厚度比金属毛刺(16)的上下方向的高度大2μm以上。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN202211070525.3在审
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川原一浩;酒井伸次;长原辉明
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三菱电机株式会社
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2022-09-02
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2023-03-10
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H02M1/00
- 得到能够削减消耗电力的半导体装置。第1端子(VN1)从外部输入第1电压(VD)。驱动部(5)将第1电压(VD)用作电源电压而输出驱动信号。开关元件(3a～3f)由驱动信号进行驱动。第2端子(4)与第1端子(VN1)分离，从外部输入第2电压。比较器(9)将根据第2电压而生成的电压用作电源电压，如果根据第1电压(VD)而生成的电压小于或等于基准电位，则将输出信号输出。切断开关(8)根据输出信号而将从驱动部(5)向开关元件(3a～3f)的驱动信号的传输切断。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体封装件-CN202210157788.1在审
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寺户悠贵;鱼田紫织;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2022-02-21
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2022-08-30
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H01L23/495
- 得到能够提高散热性并且确保绝缘耐量的半导体封装件。多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)分别设置于多个芯片焊盘(3a～3d)之上。多个引线端子(6a～6f)分别与多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)连接。封装件(7)将多个芯片焊盘(3a～3d)、多个半导体芯片(1a～1f、2a～2f)及多个引线端子(6a～6f)封装。多个芯片焊盘(3a～3d)和多个引线端子(6a～6f)从封装件(7)的下表面露出。在封装件(7)的下表面，在相邻的芯片焊盘(3a～3d)之间及相邻的引线端子(6a～6f)之间设置有槽(8)。
- 半导体封装
- [发明专利]马达驱动系统以及空调机-CN201980101377.7在审
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沓木知宏;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2019-10-24
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2022-05-27
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H02P29/024
- 本发明所涉及的马达驱动系统(100)具备：逆变器(2)，驱动马达(30)；电流检测部(3)，检测在逆变器(2)中流动的电流的电流值亦即第1信号，并输出第1信号；第1低通滤波器(4)，从第1信号去除噪声频率成分，并输出去除了噪声频率成分的电流值亦即第2信号；退磁电流判定部(5)，比较马达(30)所具有的永磁铁发生退磁的电流值亦即退磁电流阈值和第2信号，在第2信号取比退磁电流阈值大的值的情况下，输出退磁保护信号；短路判定部(7)，对将第1信号和退磁保护信号相加而得的第3信号、与在逆变器(2)发生了短路时所流动的电流的电流值以下的短路阈值进行比较，在第3信号取短路阈值以上的值的情况下，输出使逆变器(2)停止的异常信号。
- 马达驱动系统以及空调机
- [发明专利]半导体装置-CN202111132598.6在审
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酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2021-09-26
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2022-04-01
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H03K17/567
- 得到能够降低成本、提高品质和性能的半导体装置。饱和电流不同的第1及第2功率晶体管(Q1、Q2)彼此并联连接。栅极驱动器(1)是分别通过单独的栅极电压对第1及第2功率晶体管(Q1、Q2)进行驱动的IC。栅极驱动器(1)具有：驱动电路(4)，其将输入信号输入而将驱动信号输出；第1放大器(5)，其根据第1电源电压(VCC1)对驱动信号进行放大而供给至第1功率晶体管(Q1)的栅极；以及第2放大器(6)，其根据与第1电源电压(VCC1)不同的第2电源电压(VCC2)对驱动信号进行放大而供给至第2功率晶体管(Q2)的栅极。
- 半导体装置
- [发明专利]驱动装置及功率模块-CN202011460851.6在审
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松下也实;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2020-12-11
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2021-07-02
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H02M1/08
- 涉及驱动装置及功率模块。提供即使在开关元件的电流检测用分流电阻的电阻值大的情况下也能够对开关元件的源极电位的过冲进行抑制的驱动装置。对逆变器电路的下侧开关元件(2)进行驱动的驱动装置(100)具有：驱动电路(10)，其生成向下侧开关元件(2)的栅极输入的驱动信号；以及过电流检测电路(20)，其对流过下侧开关元件(2)的过电流进行检测。过电流检测电路(20)基于在与下侧开关元件(2)的源极连接的分流电阻(3)产生的电压对过电流进行检测。驱动电路(10)将下侧开关元件(2)的源极和分流电阻(3)的连接节点的电位作为基准电位，生成下侧开关元件2的驱动信号。
- 驱动装置功率模块
- [发明专利]半导体模块及电力转换装置-CN202011110741.7在审
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杉町诚也;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2020-10-16
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2021-04-23
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H01L23/367
- 得到能够提高散热性、降低制造成本的半导体模块及电力转换装置。在绝缘性的散热片(12)之上设置半导体元件(13～16)。引线框(8、9)具有一体地构成的引线端子(8a、9a)和芯片焊盘(8b、9b)。导线(20、22)对引线框(8、9)和半导体元件(13～16)进行连接，成为主电流路径。模塑树脂(6)对散热片(12)、半导体元件(13～16)、引线框(8、9)以及导线(20、22)进行封装。引线端子(8a、9a)从模塑树脂(6)引出。散热片(12)与芯片焊盘(8b、9b)的下表面直接接触。在芯片焊盘(8b、9b)与散热片(12)的接触部分的正上方，导线(20、22)键合于芯片焊盘(8b、9b)。
- 半导体模块电力转换装置
- [发明专利]栅极驱动器及半导体模块-CN202010279452.3在审
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酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2020-04-10
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2020-10-27
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H03K17/687
- 针对阈值电压低的晶体管的栅极驱动器，提供能够确保所期望的电压及电流而不增大输入电源电压的最大额定值的栅极驱动器。具有：互补地进行动作的第1及第2晶体管，它们在第1电位的第1电源线与比第1电位低的第2电位的第2电源线之间串联连接，第1及第2晶体管的连接节点成为栅极驱动器的输出节点；电源电路，其对晶体管的源极施加偏移电压；以及切换电路，其进行是将从电源电路输出的偏移电压施加于晶体管的源极、还是向晶体管的源极提供第2电位的切换控制，切换电路以与使晶体管的栅极断开的定时相匹配地将偏移电压施加于晶体管的源极的方式进行切换，以与使栅极接通的定时相匹配地向源极提供第2电位的方式进行切换。
- 栅极驱动器半导体模块
- [发明专利]保护电路及保护电路系统-CN201580079394.7有效
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酒井伸次;小田寿志
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三菱电机株式会社
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2015-04-30
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2020-06-19
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H01L21/822
- 本技术涉及能够对主电流的损耗进行抑制，并对与感测区域的确保相伴的制造成本的增加进行抑制的MOSFET的保护电路及具有该保护电路的保护电路系统。保护电路具有：电力用的第一MOSFET(1)，主电流流过该第一MOSFET；IGBT(5)，其与第一MOSFET并联连接，且来自主电流的分流流过该IGBT；检测用电阻(6)，其与IGBT串联连接；以及第一控制电路(4)，其基于施加至检测用电阻的电压值，对第一MOSFET的栅极电压进行控制，流过IGBT的分流的电流值相对于流过第一MOSFET的主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。
- 保护电路系统
- [发明专利]控制电路-CN201680079195.0有效
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酒井伸次;小田寿志
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三菱电机株式会社
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2016-01-22
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2020-06-16
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H02M7/48
- 具有：逆变器电路，其构成为，将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接；第1栅极驱动电路，其使该低电位侧MOSFET进行通断；第2栅极驱动电路，其使该高电位侧MOSFET进行通断；自举电路，其对该第2栅极驱动电路赋予电压；以及检测部，其在大于预先设定的值的电流流过该逆变器电路时发出异常信号，如果发出了该异常信号，则使该低电位侧MOSFET截止，使该高电位侧MOSFET截止，然后，在续流电流流过该低电位侧MOSFET的状态下将该低电位侧MOSFET导通，防止使该自举电路的自举电容器过充电。
- 控制电路
- [发明专利]逆变器驱动装置-CN201910972782.8在审
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小田寿志;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2019-10-14
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2020-04-28
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H02M1/08
- 得到能够维持过电流的检测精度并且降低制造成本的逆变器驱动装置。驱动电路(7)对开关元件(2)进行驱动。电流检测部(Rshunt)产生与在开关元件(2)中流过的电流相对应的电压信号。噪声滤波器(5)将叠加于电压信号的噪声除去。如果经由噪声滤波器(5)输入进来的电压信号超过第1阈值，则过电流检测电路(6)输出过电流检测信号。如果输入了过电流检测信号，或者并未经由噪声滤波器(5)地输入进来的电压信号超过第2阈值，则短路检测电路(13)输出错误信号。
- 逆变器驱动装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910849317.5在审
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椿谷贵史;酒井伸次
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三菱电机株式会社
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2019-09-09
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2020-03-24
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H02M1/088
- 目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。半导体装置具备：寄生电感(L1、L2)，它们分别与功率晶体管(Q1、Q2)连接；以及驱动电路(DR)，其与连接点(S1、S2)连接，该连接点(S1、S2)分别将功率晶体管(Q1、Q2)和寄生电感(L1、L2)连接，该驱动电路(DR)对功率晶体管(Q1、Q2)进行驱动。驱动电路(DR)使功率晶体管(Q1、Q2)的连接点(S1、S2)处的基准电位相互绝缘。
- 半导体装置
- [实用新型]半导体模块-CN201921583188.1有效
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池田直辉;酒井伸次;中村宏之
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三菱电机株式会社
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2019-09-23
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2020-03-24
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H01L23/31
- 对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离。半导体模块具备芯片焊盘(1)、半导体芯片(2a)、引线端子(9)以及模塑树脂(6)，该模塑树脂(6)形成为覆盖引线端子的一部分、芯片焊盘的上表面、以及半导体芯片，该半导体模块的特征在于，还具备第1绝缘树脂(11)，该第1绝缘树脂(11)被涂覆于没有被模塑树脂覆盖的引线端子，第1绝缘树脂是从所形成的模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。
- 半导体模块
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