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- [发明专利]光纤阵列结构-CN202210899086.0有效
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郭胜平;李军;王海波
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苏州源数芯通信科技有限公司
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2022-07-28
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2023-09-01
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G02B6/36
- 本发明公开了一种光纤阵列结构，包括基板、若干光纤和盖板，基板的上表面并列设有若干贯通基板首尾的光纤槽，至少一条光纤槽包括定位段和固结段，定位段的槽宽小于固结段的槽宽，光纤包括裸纤段和包覆段，裸纤段设置于定位段，包覆段设置于固结段，盖板的下表面为台阶面，台阶面的前部低于后部，前部盖合在裸纤段上并与基板配合将裸纤段限制于定位段内，前部盖合在包覆段上并与基本配合将包覆段限制于固结段内，后部与基板的上表面间留有间隙，间隙内填充胶水使包覆段与基板及盖板固接。本发明改善了光纤受力，提高了小尺寸光纤阵列的可靠性。
- 光纤阵列结构
- [发明专利]一种芯片尖角的研磨抛光方法-CN202210883399.7有效
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郭胜平;李军;王国兵
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苏州源数芯通信科技有限公司
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2022-07-26
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2023-04-07
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B24B37/005
- 本发明公开了一种芯片尖角的研磨抛光方法，在芯片的表面由芯片盖板的边沿至芯片的边沿通过粘结剂粘贴固定保护盖板，在所述保护盖板和所述芯片盖板的表面粘贴固定加强盖板得到芯片组装体；所述粘结剂为UV胶与玻璃粉的混合物；对所述芯片组装体的侧面进行第一倾斜角的研磨抛光，所述第一倾斜角为所述芯片组装体的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第一倾斜角的角度小于目标研磨抛光角度；对所述芯片进行了第一次研磨抛光后的侧面进行第二倾斜角的研磨抛光，所述第二倾斜角为所述芯片的侧面与所述芯片的表面法线夹角，所述第二倾斜角得角度为目标研磨抛光角度。本发明可避免芯片崩角或者裂纹分层，并防止内部结构损伤，可提高研磨抛光效率。
- 一种芯片研磨抛光方法
- [实用新型]门窗型材专用定位角码结构-CN202123128418.5有效
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仇永宏;郭胜平
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天津市恒宇磁塑制品有限公司
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2021-12-13
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2022-12-20
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E06B3/964
- 本实用新型提供门窗型材专用定位角码结构，通过在涨紧槽的内壁设置凸墙A、凸墙B、凸墙C，在角码上设置凹槽A、凹槽B，凸墙A与凹槽A连接，凸墙C与凹槽B连接，凸墙B与凹槽C连接，使之分别形成三个连接位，三个连接位连线形成三角形结构，通过三点定一平面的原理构成一个平面，由于三角形结构具有稳定性，有着稳固、坚定、耐压的特点，角码与纱框不会发生转动，使得角码与纱框连接更加稳定，同时，凹槽A与外边角线夹角向外倾斜5°，凹槽B与外角边线夹角向内倾斜5°，凹槽A与凹槽B分别与直板状凸墙A和凸墙C连接，两者之间随着不断移动连接越来越紧，倾斜设置的凹槽A与凹槽B不断对凸墙A和凸墙C挤压，起到了涨紧止退的作用。
- 门窗专用定位结构
- [实用新型]一种芯片研磨机的研磨盘冷却装置-CN202220756136.5有效
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郭胜平;王国兵;李军
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苏州源数芯通信科技有限公司
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2022-04-01
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2022-07-19
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B24B55/03
- 本实用新型公开的属于冷却装置技术领域，具体为一种芯片研磨机的研磨盘冷却装置，包括冷却箱，所述冷却箱的上侧壁固定设置有对称的支撑板，两个所述支撑板的上侧壁共同横向固定设置有横板，所述横板的侧壁固定设置有液压杆，所述液压杆的下端固定设置有移动板，所述移动板的下端通过放置机构固定设置有研磨盘，所述冷却箱的内部固定设置有水泵，所述水泵的右端固定设置有进水管，所述冷却箱的右端固定设置有散热机构，将原始的通过浸泡对研磨盘进行冷却的方式换成直接通过喷头对其进行喷淋来快速散热降温，并将内部的冷却水调节成循环水，通过散热机构、导热板和导热杆对冷却水进行快速降温，长时间保持对研磨盘的散热效率。
- 一种芯片研磨机研磨冷却装置
- [实用新型]窗纱固定型材-CN202020697053.4有效
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仇永宏;郭胜平;丁亚男
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天津市恒宇磁塑制品有限公司
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2020-04-30
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2021-03-30
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E06B9/52
- 一种窗纱固定型材，包括与窗框型材连接的压盖型材，所述窗框型材上设有第一压槽，所述压盖型材上设有压头，所述压头将压条压入所述第一压槽中，所述压条与第一压槽之间压有窗纱，所述窗框型材与压盖型材之间通过卡条连接，所述压盖型材的侧端设有用于提高所述压头防尘能力的防尘盖，所述压盖型材、防尘盖、压头、卡条为一次成型的整体结构。其有益效果是：通过可拆卸的压盖型材代替传统的一体结构窗框，通过压条、压辊压紧，绷纱、裁纱后再进行固定，保证绷纱质量，裁纱精准，节省窗纱，随时方便拆卸和清理。
- 窗纱固定
- [发明专利]红外非线性光学晶体KAg3-CN202011109368.3在审
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郭胜平;李佳诺
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扬州大学
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2020-10-16
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2021-02-05
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C30B29/46
- 本发明涉及一种红外非线性光学晶体KAg3Ga8Se14及其制备方法和用途。该晶体的化学式为KAg3Ga8Se14，分子量为2025.91，结晶于非中心对称的单斜晶系空间群Cm，其晶胞参数为：a=12.8805(5)Å,b=11.6857(4)Å,c=9.6600(4)Å,α=γ=90°,β=115.9980(1)°,Z=2,单胞体积为1306.87(9)Å3。本发明提供的KAg3Ga8Se14晶体具有倍频效应高、抗激光损伤阈值高、红外透过范围宽、空气中稳定等优点，是一种新的红外非线性光学晶体材料，可作为近红外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
- 红外非线性光学晶体kagbasesub
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