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[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN202210386850.4在审
发明人：蔡明桦;张维轩;郭晋佳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管结构及其制造方法。上述晶体管结构包括基底、第一栅极、第二栅极、第一栅介电层与第二栅介电层。第一栅极与第二栅极位于基底上。第一栅介电层位于第一栅极与基底之间。第一栅介电层具有单一厚度。第二栅介电层位于第二栅极与基底之间。第二栅介电层具有多种厚度。第一栅介电层的最大厚度相同于第二栅介电层的最大厚度。上述晶体管结构可降低工艺复杂度。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]中压晶体管及其制作方法-CN202210132427.1在审
发明人：张维轩;颜浩评;蔡明桦;郭晋佳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种中压电晶体晶体管及其制作方法，其中该中压晶体管的制作方法包含提供一基底，基底上定义有一栅极预定区，接着形成一掩模层仅覆盖部分的栅极预定区，然后进行一第一离子注入制作工艺，在掩模层的两侧的基底中注入掺质以形成两个第一浅掺杂区，之后移除掩模层后，形成一栅极，其中栅极重叠全部的栅极预定区，接续形成两个第二浅掺杂区各自位于其中之一个第一浅掺杂区内，再形成两个源极/漏极掺杂区各自位于其中之一个第二浅掺杂区内，最后形成两个金属硅化物层各自覆盖并接触其中之一个源极/漏极掺杂区。
晶体管及其制作方法