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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器-CN201910800437.6有效
发明人：韩大韩;金善贤;金汉锡;宋充镐;李京姬;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202211258992.9在审
发明人：金相勋;郑熙根;玄宅桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：像素阵列，其包括布置在基板的上表面上的多个光电二极管、从基板的上表面延伸到基板的下表面并且设置在所述多个光电二极管之间的像素隔离层以及像素电路。像素阵列包括像素组，像素组分别包括两个或更多个光电二极管、至少一个滤色器和至少一个微透镜。包括在每个像素组中的至少一个滤色器具有一种颜色，并且像素隔离层包括：第一像素隔离层，其设置在像素组之间并且包含氧化硅和多晶硅；以及第二像素隔离层，其包含氧化硅并且在每个像素组中的两个或更多个光电二极管之间在彼此交叉的第一方向和第二方向上延伸。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202211079156.4在审
发明人：卞敬载;金晋永;罗承柱;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底，其包括第一区和包围第一区的第二区；衬底中的感光元件；感光元件上的平坦化层；包括滤色器的滤色器阵列层，其在衬底的第一区上的平坦化层上；光阻挡金属图案，其在衬底的第二区上的平坦化层上；伪滤色器层，其在第二区的邻近于衬底的第一区的一部分的光阻挡金属图案上；以及滤色器阵列层上的微透镜。有源像素在第一区中，光学黑(OB)像素在第二区中。
图像传感器

[发明专利]双垂直栅极和包括该双垂直栅极的图像传感器-CN202210842775.8在审
发明人：韩东敏;金元赫;罗承柱;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个垂直延伸部分由在第二方向上延伸的分离区域分开，并且分离区域的顶表面低于元件隔离层的顶表面。
垂直栅极包括图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202210043691.8在审
发明人：丁英宇;金秀彦;金汉锡;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素区域；绝缘结构，位于基底上；网格图案结构，位于绝缘结构上；滤色器，位于绝缘结构上；以及微透镜，位于滤色器上。网格图案结构包括第一图案部分和第二图案部分。第一图案部分包括位于绝缘结构上的第一材料图案和位于第一材料图案上的第二材料图案。第一材料图案由第一材料形成，并且第二材料图案和第二图案部分由第二材料形成。第一图案部分包括平行的第一水平直线部分以及平行的第一竖直直线部分，并且第二图案部分中的每个包括平行于第一水平直线部分的第二水平直线部分以及平行于第一竖直直线部分的第二竖直直线部分。
图像传感器

[发明专利]包括栅栏图案的图像传感器-CN202110777511.4在审
发明人：方善煐;罗承柱;郑会敏;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；衬底上的多个滤色器；所述多个滤色器中的邻近的滤色器之间的栅栏图案；以及衬底与所述多个滤色器之间的保护层，其中，保护层覆盖栅栏图案。栅栏图案包括：第一栅栏图案，其具有彼此相对的第一底表面和第一顶表面；以及第一栅栏图案的第一顶表面上的第二栅栏图案。第一栅栏图案在第一底表面处的宽度小于第二栅栏图案的宽度，并且保护层覆盖第一栅栏图案的侧壁。
包括栅栏图案图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202110396053.X在审
发明人：金汉锡;朴炳俊;全真珠;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，每个像素包括位于所述衬底中的光电转换层；像素分离图案，所述像素分离图案设置在所述衬底中并分离所述像素；表面绝缘层，所述表面绝缘层设置在所述衬底的所述第一表面上；导体接触，所述导体接触设置在所述表面绝缘层中；和网格图案，所述网格图案设置在所述表面绝缘层上，其中，所述像素分离图案包括在与所述衬底的所述第一表面平行的方向上布置的第一部分和第二部分，并且所述导体接触介于所述像素分离图案的所述第一部分与所述网格图案之间，并且不介于所述像素分离图案的所述第二部分与所述网格图案之间。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN202110186790.7在审
发明人：李冈勋;罗承柱;郑熙根;赵万根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202011186699.7在审
发明人：金晋永;金毅烈;白铉敏;李廷好;丁英宇;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201810073539.8在审
发明人：金汉锡;朴炳俊;罗承柱;郑熙根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面；布置在基板的正面上的互连；布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在基板中的像素分离结构，像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个；以及背面接触，其与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。
像素分离结构基板图像传感器网格结构导电层网格点背面绝缘层二维阵列结构背面接触垂直地电连接俯视图滤色器微透镜互连

[发明专利]减少闪烁的图像传感器及其制备方法-CN200610075339.3有效
发明人：柳政澔;李德炯;郑熙根;严甲成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
减少闪烁图像传感器及其制备方法

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