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[发明专利]一种石墨和硅的重选-浮选联合分离的方法-CN201711191861.2有效
发明人：刘颀;张明青;江宏富;郄丽曼 -专利权人：中国矿业大学;江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明针对硅晶生产过程中废弃的石墨组件，公开了一种从硅晶生产废弃石墨组件中石墨和硅的重选‑浮选联合分离方法，其步骤包括：破碎筛分、重选、磨矿、浮选。本发明回收的石墨碳含量大于97%，回收率大于85%；硅产品硅含量大于98%，回收率大于90%。本发明成本低、产品质量稳定可靠，能连续规模化生产，实现了碳和硅资源的循环利用。
一种石墨重选浮选联合分离方法

[发明专利]一种CVD衬底托盘及其拼接方法-CN201910035294.4在审
发明人：蒋立民;董方;江宏富;郄丽曼;王敬强 -专利权人：协鑫工业设计研究（徐州）有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种CVD衬底托盘，由n个矩形衬底载具和n‑1个条状的卡持部件组成，通过拼接槽进行无缝拼接，通过卡持部连接衬底载具，固定衬底。本发明所述的CVD衬底托盘成本低、强度高、不易变形，可以根据需要调节托盘大小，并可降低托盘整体热应力，避免托盘开裂，减少托盘损坏，另外对于损坏的衬底载具可以及时局部更换，降低托盘成本投入并且利用卡持部件设有预留缝隙，防止沉积过程中“桥接”现象出现。
一种 cvd 衬底托盘及其拼接方法

[发明专利]一种氮化硅粉的生产方法-CN201810207094.8在审
发明人：王亮;孟祥曼;江宏富;王敬强;李前程;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅粉的生产方法，包括：1）以四氯化硅和氨气为原料，反应合成氮化硅的前驱体Si(NH)₂固体，通过得到纯净的Si(NH)₂粉末；2）将Si(NH)₂移至高温炉中，煅烧得到非晶态氮化硅粉；3）将得到的氮化硅粉细化、压块后移入高温结晶炉中，煅烧获得晶态氮化硅粉。本发明可连续不间断地合成氮化硅前驱体，同时采用两次煅烧处理即Si(NH)₂低温分解和非晶氮化硅粉的高温结晶，灵活控制最终产品氮化硅粉的粒径、形状及相组成；整个工艺过程没有机溶剂的参与，避免产品氮化硅粉中碳杂质的产生；该产品所用原料国内已规模化生产，实现低成本生产高纯亚微米等轴氮化硅粉。
氮化硅粉煅烧氮化硅前驱体非晶态氮化硅氨气低成本生产高温结晶炉规模化生产低温分解反应合成高温结晶工艺过程灵活控制四氯化硅高温炉机溶剂碳杂质等轴非晶高纯后移晶态粒径细化压块合成生产

[发明专利]一种反应除杂提纯氯硅烷的工艺-CN201710615260.3在审
发明人：吕磊;马军;周舟;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应除杂提纯氯硅烷的工艺，包括将液相或汽化后的氯硅烷首先通入除杂反应器，经过反应除杂处理，处理后的物料再通入精馏塔去除重组分，得到提纯后的氯硅烷；其中，所述的除杂反应器内填充氧化性无机盐。本发明不仅能够将ppb级别的硼、磷杂质进一步脱除至ppt级别，相对于物理吸附法除杂，其流程更加简单，反应器设备小巧，投资大幅度降低，并且活性物质易得且廉价，更换简易，环境友好，运行成本极低。
氯硅烷除杂反应器除杂提纯汽化无机盐反应器设备物理吸附法除杂处理环境友好活性物质运行成本精馏塔磷杂质氧化性提纯除杂去除脱除填充简易投资

[发明专利]磁控溅射镀膜装置及镀膜方法-CN201310155077.1有效
发明人：钟真武;于伟华;郄丽曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射镀膜装置及镀膜方法，包括镀膜设备主体、机架平台、挡板、冷却设施及泵组，所述镀膜设备主体包含套筒，至少一个离子源和至少一个阴极被固定在套筒上，所述镀膜设备主体的套筒与位于其外部的待镀机构之间形成密闭腔室，并通过磁控溅射的方法将设定的靶材镀覆在外部的待镀机构的内壁上。本发明可根据不同需求，多批次、多方位进行镀膜，保证了磁控溅射镀膜的均匀性和厚度要求，解决了大型及结构复杂设备的镀膜需求问题，操作简单，效率高，膜层均匀性好。
磁控溅射镀膜装置方法