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[发明专利]半导体器件和形成设置在半导体管芯上的绝缘层的方法-CN201210076452.9有效
发明人：林耀剑;P·C·马里穆图;陈康;H·H·高;Y·顾;沈一权;R·黄;邹胜源;方建敏;冯霞 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和形成设置在半导体管芯上的绝缘层的方法。一种具有半导体管芯和形成在半导体管芯的表面上的导电层的半导体器件。第一通道可以形成在半导体管芯中。密封剂沉积在半导体管芯上。第二通道可以形成在密封剂中。第一绝缘层形成在半导体管芯和第一导电层上以及第一通道中。第一绝缘层延伸进第二通道中。第一绝缘层具有如下特性：大于150MPa的拉伸强度、在35-150％间的伸长率、以及2-30微米的厚度。在形成第一绝缘层之前，第二绝缘层可以形成在半导体管芯上。互连结构形成在半导体管芯和密封剂上。互连结构电连接至第一导电层。第一绝缘层在互连结构的形成期间提供应力消除。
半导体器件形成设置半导体管芯绝缘方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201110271021.3有效
发明人： R·A·佩盖拉;邹胜源;尹胜煜 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件具有安装于载体上的第一半导体小片。插入框架具有在插入框架中的开口和形成于插入框架上的多个导电柱。将插入器安装于载体和第一小片上，其中导电柱安置于该小片周围。可在插入框架中形成腔，以包含所述第一小片的一部分。通过在插入框架中的开口在载体和第一小片上沉积密封剂。可替换地，密封剂沉积于载体和第一小片上并将插入框架压靠在密封剂上。过量的密封剂通过在插入框架中的开口引出。移除载体。在密封剂和第一小片上形成互连结构。可在第一小片上或在插入框架上安装第二半导体小片。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法-CN201010559631.9有效
发明人：林耀剑;沈一权;邹胜源 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及在所述硅层上形成的第二柔性层。半导体管芯也安装到暂时衬底。应力消除缓冲区可以比半导体管芯薄。在半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂。去除暂时衬底。在半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构。互连结构电连接到半导体管芯。可以在应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。可以在应力消除缓冲区内形成包含有源器件、无源器件、导电层和介电层的电路层。
形成柔性应力消除缓冲区半导体器件方法

[发明专利]具有悬垂连接堆叠的集成电路封装系统-CN200810131928.8有效
发明人： T·D·炳;邹胜源 -专利权人：史特斯晶片封装公司
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有悬垂连接堆叠的集成电路封装系统，公开了一种集成电路封装方法(900)包括：提供第一导线(302)，使其与第二导线(304)相邻；在该第一导线(302)上方形成第一连接堆叠(312)，并使该第一连接堆叠(312)悬垂于第二导线(304)上方；将集成电路元件(106)与该第一连接堆叠(312)相连；以及封装所述集成电路元件(106)和第一连接堆叠(312)。
具有悬垂连接堆叠集成电路封装系统

[发明专利]用于细间距基板的集成电路封装件系统-CN200810134276.3有效
发明人： B·T·杜;沈一权;邹胜源 -专利权人：史特斯晶片封装公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路封装件的方法(700)，包括下列步骤：形成基板(102)，包括：图案化在该基板(102)上的键合垫(108)，图案化耦接该键合垫(108)的第一信号痕迹线路(106)，图案化在该基板(102)上的第二信号痕迹线路(106)，以及连接在该第二信号痕迹线路(106)上的托架(110)；在该基板(102)上安装集成电路(202)；以及在该集成电路(202)、该键合垫(108)、该托架(110)、或其组合之间耦接电子互连(112)。
用于间距集成电路封装系统