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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510008095.6有效
发明人：朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法为首先提供一基底，该基底上具有一第一栅极层、一第一介电层以及一浅沟隔离(shallow trench isolation,STI)环绕该基底、该第一栅极层及该第一介电层。然后去除该第一介电层、形成一第一间隙壁于第一栅极层上方的浅沟隔离侧壁以及利用第一间隙壁为掩模去除部分第一栅极层及部分基底以形成一第一开口并同时定义出一第一栅极结构及一第二栅极结构。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN201510013033.4有效
发明人：朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法，该存储器包括基底、堆叠结构、通道层与第二介电层。堆叠结构包括第一介电层与多个存储单元。第一介电层设置于基底上。存储单元堆叠设置于第一介电层上。各个存储单元包括二层第一导体层与电荷存储结构。电荷存储结构设置于第一导体层之间。垂直相邻的存储单元中的电荷存储结构彼此隔离。通道层设置于堆叠结构的侧壁上，且连接于基底。第二介电层设置于通道层与第一导体层之间。
挥发性存储器及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器-CN201510031583.9有效
发明人：朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器，包括基底、堆叠结构、二个通道结构及二层电荷存储层。堆叠结构设置于基底上，且包括多层第一导体层、多层介电层及二层第二导体层。介电层与第一导体层交替地堆叠。第二导体层分离设置于介电层中最上方的一者上。通道结构设置于堆叠结构两侧的基底上。电荷存储层设置于堆叠结构与通道结构之间。
挥发性存储器

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201510081247.5有效
发明人：陈建霖;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供包括多数个区块的基底。各区块分别包括交替排列的第一区以及第二区。在基底上形成多数个复合层。图案化最顶层的复合层，以在基底的第一区上形成多数个复合块。依序对区块上的复合层以及复合块进行移除制作工艺，以在基底上形成阶梯结构。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510081570.2在审
发明人：吴昕珉;朱建隆;陈俊宏;邱达乾 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基底、多层复合层以及至少一复合柱。基底包括第一区以及第二区。复合层位于基底上。各复合层包括至少一裸露表面以及至少一侧壁。裸露表面以及侧壁形成至少一阶梯结构。复合柱位于复合层的裸露表面上。
半导体结构及其制造方法

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共 5 条

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