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[发明专利]一种稀疏布阵多频复合口面阵列天线的设计方法-CN202011256492.2有效
发明人：袁野;袁向秋;郑建华;辛敏振 -专利权人：成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01Q5/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀疏布阵多频复合口面阵列天线的设计方法，包括以下步骤：S1、在指定的天线孔径范围内完成频段1的阵列分布；S2、分析各频段之间的耦合关系；S3、依次锁定频段2至频段n的可用物理空间；S4、设置各频段的阵列方向图指标；S5、设置各频段的稀疏比；S6、搜索各频段的稀疏位置并综合阵因子方向图；S7、判断各频段的方向图指标冗余度是否满足，若是，则确定稀疏阵列布阵位置，若否，则返回步骤S5，重新设置各频段的稀疏比。本发明在完成高频段的波束宽度、副瓣、栅瓣等方向图指标的同时，能够保证低频段的方向图指标不受影响，可高效的完成多频段天线的稀疏布阵，高频单元稀疏比可达到25%。
一种稀疏布阵复合阵列天线设计方法

[实用新型]高密度集成双频TR组件-CN202022450685.3有效
发明人：袁野;袁向秋;郑建华;辛敏振 -专利权人：成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高密度集成双频TR组件，包括壳体，所述壳体内双频高密度一体化集成有W频段TR组件和Ku频段TR组件；所述W频段TR组件为高密度的SIP集成式组件，包括W频段SIP模块和W频段供电和控制板，所述W频段SIP模块内集成有W频段芯片，所述W频段芯片通过金丝键合与W频段供电和控制板连接；所述Ku频段TR组件为混合集成式组件，包括底层的Ku频段芯片和顶层的Ku频段供电和控制板，所述Ku频段芯片通过射频微带线与Ku频段供电和控制板连接，所述Ku频段供电和控制板通过金丝键合与W频段供电和控制板。本实用新型的高密度集成双频TR组件，具有集成度高、系统体积小、可共用口径的优点。
高密度集成双频 tr 组件

[实用新型]W频段波导转接板-CN202021971512.X有效
发明人：袁野;袁向秋;郑建华;辛敏振 -专利权人：成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01P5/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种W频段波导转接板，包括五层波导板，第一层1为沿Z轴方向延伸的柱状结构；第二层2包括沿X轴方向延伸的第一波导部、沿Z轴方向延伸的第二波导部和沿Y轴方向延伸的第三波导部，第一波导部、第二波导部和第三波导部首尾依次连接；第三层3为“Z”字型结构，包括沿Y轴方向延伸的第四波导部、沿Z轴方向延伸的第五波导部和沿Y轴方向延伸的第六波导部；第四层4为“L”字型结构，包括沿Y轴方向延伸的第七波导部和沿Z轴方向延伸的第八波导部；第五层5为“L”字型结构，包括沿X轴方向延伸的第九波导部和沿Z轴方向延伸的第十波导部。本实用新型具有信号无泄漏、损耗小、转接网络性能优良的优点。
频段波导转接

[发明专利]高密度集成双频TR组件-CN202011185185.X在审
发明人：袁野;袁向秋;郑建华;辛敏振 -专利权人：成都锐芯盛通电子科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度集成双频TR组件，包括壳体，所述壳体内双频高密度一体化集成有W频段TR组件和Ku频段TR组件；所述W频段TR组件包括W频段芯片和W频段供电和控制板，所述W频段芯片通过金丝键合与W频段供电和控制板连接；所述Ku频段TR组件包括Ku频段芯片和Ku频段供电和控制板，所述Ku频段芯片通过射频微带线与Ku频段供电和控制板连接，所述Ku频段供电和控制板通过金丝键合与W频段供电和控制板。本发明的高密度集成双频TR组件，具有集成度高、系统体积小、可共用口径的优点。
高密度集成双频 tr 组件