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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀刻液的评估方法-CN202110578218.5有效
  • 赵文群;秦文;谭芳 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-05-26 - 2022-05-27 - G01N33/00
  • 本申请公开了一种蚀刻液的评估方法，具体包括：在第一基板上形成第一膜层。在第一膜层上形成第二膜层。在第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层。对第二膜层进行蚀刻以暴露出第一膜层。使用待测蚀刻液对第一膜层进行蚀刻以得到第一膜层的实际蚀刻图案。获取实际蚀刻图案的实际蚀刻参数。预设第一膜层的参考蚀刻图案，获取参考蚀刻图案的参考蚀刻参数。比较参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估待测蚀刻液。本申请提供的蚀刻液的评估方法可以提高蚀刻液的开发效率，避免了资源浪费。
  • 蚀刻评估方法
  • [发明专利]一种TFT阵列基板的制作方法-CN201910903705.7有效
  • 赵文群 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2019-09-24 - 2021-12-03 - H01L21/34
  • 本申请公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成半导体图案和有源层；对所述半导体图案进行导体化处理，以形成相互绝缘的栅极、源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别与所述有源层电性连接；在所述衬底基板、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述有源层上覆盖绝缘层；在所述绝缘层中开设通孔，以裸露出部分漏极；在所述绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极电性连接。本申请提供了一种新的三道光罩制程来制备TFT阵列基板，缩减了光罩数量，降低了三道光罩制程的工艺难度。
  • 一种tft阵列制作方法
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  • 共 3 条
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