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[发明专利]一种支持多输入端口的功率放大器模组及电子设备-CN202310719550.8在审
发明人：李浩;赵发举;白云芳 -专利权人：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持多输入端口的功率放大器模组及电子设备。该功率放大器模组包括至少一个具有双输入端口的功率放大器电路；其中，每个功率放大器电路包括功率放大单元、第一驱动放大单元、第二驱动放大单元、第一偏置电路和第二偏置电路，第一信号衰减单元、第二信号衰减单元、第一控制单元和第二控制单元。该功率放大器模组通过采用信号衰减单元及其控制单元，并将其集成在功率放大器电路中的技术方案，实现了满足4G‑5G双连接技术要求的功率放大器模组架构。
一种支持输入端口功率放大器模组电子设备

[发明专利]一种半模基片集成波导放大模块-CN201811395072.5有效
发明人：彭浩;赵发举;周翼鸿;刘宇;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)放大模块。本发明实现在半模基片集成波导本体中，在与电磁场传播的垂直方向的HMSIW本体中线处开一条槽线，并在虚拟磁壁一侧安装放大器，通过金丝跳线输入放大器，经过放大器放大后，再通过金丝跳线输出到另一边的HMSIW传输线。本发明在一定频段内，可以使HMSIW特性阻抗与放大器输入输出阻抗匹配，从而可以省去HMSIW与放大器之间的匹配网络，进而简化电路的结构，减小电路的尺寸。
一种半模基片集成波导放大模块

[发明专利]一种基片集成波导的毫米波衰减器-CN201910978439.4有效
发明人：彭浩;吴源浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基片集成波导的毫米波衰减器，本发明在SIW衰减器本体中沿着电磁波传播方向上引入耗能原件‑电阻薄膜，增加传播通道上的损耗。当电磁波在SIW衰减器本体中以TE1.0模传播的时候，就能在传播TE1.0模的同时对信号进行一定程度的衰减。SIW衰减器本体侧壁部分表面电阻可以分成两部分：区域一和区域二。在区域一：高、低频率点之间的插入损耗差值会随着k的增加而增大。在区域二：高、低频点之间的插入损耗差会随k的增大而变小。当k的比例因子为0.6左右时，具有表面电阻的RW的衰减值是恒定的。
一种集成波导毫米波衰减器

[发明专利]一种微带线到空心基片集成波导ESIW的过渡结构-CN201910083385.5有效
发明人：彭浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01P5/08 文献下载
摘要：本发明涉及微波技术，具体涉及一种微带线到空心基片集成波导ESIW的过渡结构。本发明在ESIW的内部，按照一定的规律加入了高度低于PCB介质基板厚度的金属柱，通过调整金属柱的高度，改变ESIW内部人工介质基板的等效相对介电常数。本发明消除了在薄PCB介质基板中锥形渐变介质基板结构容易断裂的隐患，同时也保持了较小的电路尺寸。
一种微带空心集成波导 esiw 过渡结构

[发明专利]一种等长度3D空心基片集成波导移相器-CN201910293368.4有效
发明人：彭浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明涉及微波技术，具体涉及一种等长度3D空心基片集成波导(Empty Substrate Integrated Waveguide,ESIW)移相器。本发明所提出的实现任意相对相移的3D‑ESIW移相器，引入了垂直型3D‑ESIW过渡结构，通过调节中间层金属的厚度以及槽的宽度来实现任意的相对相移量，并保证实现相对相移量时ESIW移相器的长度相同。其基本工作原理是3D‑ESIW移相器将不同相移量对应的不同ESIW本体长度，拓展延伸到垂直方向，以保证ESIW移相器水平方向长度的一致性。
一种长度空心集成波导移相器

[发明专利]一种基片集成波导均衡器-CN201910977726.3有效
发明人：彭浩;吴源浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基片集成波导均衡器。本发明在SIW本体中沿着电磁波传播方向等距离开2条贯通金属层的槽，并在其中引入耗能原件‑电阻薄膜，增加传播通道上的损耗。当电磁波在SIW本体中以TE1.0模传播的时候，放置的表面电阻膜就能在传播TE1.0模的同时对信号进行一定程度的衰减，这种衰减和工作频率密切相关。SIW本体侧壁部分表面电阻可以分成两部分：区域一和区域二、三。在区域一：高、低频率点之间的插入损耗差值会随着k的增加而增大。在区域二和区域三：高、低频点之间的插入损耗差会随k的增大而变小。本发明的SIW均衡器结构，可用于微波、毫米波电路和系统中，对不同频率的信号进行不同的衰减。
一种集成波导均衡器

[发明专利]一种基于表面贴电阻型的半模基片集成波导衰减器-CN201810534254.X有效
发明人：彭浩;赵发举;周翼鸿;刘宇;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基于表面贴电阻的半模基片集成波导,HMSIW衰减器。本发明在HMSIW本体中，沿着与电磁场传播的垂直方向等距离开3条槽线，并在其中引入等间距的耗能元件‑电阻，增加传播通道上的损耗。当电磁波在HMSIW本体中传播的时候，被槽线隔断的HMSIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，此时表面贴电阻在传播TE0.5，0模的同时对信号进行一定程度的衰减。其衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的HMSIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于HMSIW本体被槽线隔断，传输通道断开。本发明提供了一种新的HMSIW衰减器结构，且增加了带宽和平坦度。
一种基于表面电阻半模基片集成波导衰减器

[发明专利]一种表面贴电阻的基片集成波导衰减器-CN201810535329.6有效
发明人：彭浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明属于微波电路技术，特别涉及一种基于表面贴电阻的基片集成波导SIW衰减器。本发明在SIW本体中，沿着与电磁场传播的垂直方向等距离开3条槽线，并在其中引入等间距的耗能元件‑电阻，增加传播通道上的损耗。当电磁波在SIW本体中传播的时候，被槽线隔断的SIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，此时表面贴电阻在传播的同时对信号进行一定程度的衰减。其衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的SIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于SIW本体被槽线隔断，传输通道断开。本发明提供了一种新的SIW衰减器结构，增加了带宽，并获得了更好的平坦度。
电阻表面贴基片集成波导电磁波衰减器传播隔断槽线衰减垂直方向等距离成正比关系电磁场传播衰减器结构表面结构传输通道耗能元件微波电路常规的平坦度衰减量无穷大条槽断开近似带宽阻挡引入

[发明专利]一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器-CN201811454185.8在审
发明人：彭浩;赵发举;刘宇;周翼鸿;杨涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01P1/22 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种宽频带表贴电阻型的全模基片集成波导衰减器。本发明在SIW本体上开一条中间槽线用来安装贴片电阻，将经典的表贴电阻π型衰减器中间的串联电阻用五个并联电阻替换，每个电阻阻值为之前电阻阻值的五倍，同时两个接地电阻阻值保持不变，构成改进的表贴电阻π型衰减器以实现衰减功能。基于此设计思路得到的SIW衰减器对应于1dB、2dB、3dB、4dB和5dB衰减量时，其工作带宽为7.2‑13.7GHz(62.2％)，其工作带宽获得了极大地拓展。
衰减器表贴电阻工作带宽集成波导宽频带模基片电阻并联电阻串联电阻接地电阻衰减功能贴片电阻微波电路衰减量中间槽替换拓展改进

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