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[实用新型]掉电保护电源电路及保护系统-CN202221564199.7有效
发明人：孟秋;万秀水;贾荣本 -专利权人：惠州三华工业有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种掉电保护电源电路及保护系统，其中的掉电保护电源电路，包括分压单元、供电单元、光耦驱动单元及背光恒流开关单元，分压单元与储能电容电连接，分压单元的输出端分别与供电单元和光耦驱动单元电连接，供电单元还与光耦驱动单元的驱动端电连接，光耦驱动单元与背光恒流开关单元的输入端电连接，背光恒流开关单元的输出端用于与背光恒流控制芯片电连接。本实用新型在输入电压出现掉电的时候，储能电容的电压也会下降，进而导致分压后的光耦驱动单元的R脚电压也会降低，会使得光耦发生电平翻转，使得光耦关断输出，而背光恒流开关单元则会接收外部的供电信号，使得背光恒流控制芯片进行保护动作，通过检测输入端储能电容的电压，使背光恒流控制芯片提前实现保护。
掉电保护电源电路系统

[实用新型]电源板测试装置-CN201920152790.3有效
发明人：廖贻韩;贾荣本;林海彬 -专利权人：惠州三华工业有限公司
申请日： 2019-01-27 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电源板测试装置，包括固定底座、测试组件及测试显示组件，测试组件设置于安装区上，测试组件包括测试固定治具、驱动件、测试连接板及多个测试顶针，测试固定治具设置于固定底座上，驱动件设置于固定底座上，测试连接板设置于驱动件上，且测试连接板位于测试固定治具的上方，驱动件用于推动测试连接板靠近或远离测试固定治具，各测试顶针分别设置于测试固定治具上。本实用新型通过测试顶针及接地夹子，可以避免工装EOS对背光芯片内置MOS管造成损坏或半损坏；通过采用FFC线代替传统的连接线，可以减小寄生感量和干扰对背光电流测试影响，提高测试精确度和测试效率。
测试固定治具测试连接驱动件测试顶针测试组件固定底座本实用新型背光连接线电源板测试背光电流测试效率接地夹子显示组件安装区板设置传统的工装寄生减小内置芯片

[发明专利]电源板测试装置-CN201910077118.7在审
发明人：廖贻韩;贾荣本;林海彬 -专利权人：惠州三华工业有限公司
申请日： 2019-01-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种电源板测试装置，包括固定底座、测试组件及测试显示组件，测试组件设置于安装区上，测试组件包括测试固定治具、驱动件、测试连接板及多个测试顶针，测试固定治具设置于固定底座上，驱动件设置于固定底座上，测试连接板设置于驱动件上，且测试连接板位于测试固定治具的上方，驱动件用于推动测试连接板靠近或远离测试固定治具，各测试顶针分别设置于测试固定治具上。本发明通过测试顶针及接地夹子，可以避免工装EOS对背光芯片内置MOS管造成损坏或半损坏；通过采用FFC线代替传统的连接线，可以减小寄生感量和干扰对背光电流测试影响，提高测试精确度和测试效率。
测试固定治具测试连接驱动件测试顶针测试组件固定底座电源板测试背光连接线背光电流测试效率接地夹子显示组件安装区板设置传统的工装寄生减小内置芯片

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201110144349.9有效
发明人：刘鹏飞;贾荣本;吴海平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，器件包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型的阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第二半导体层；形成于阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱区的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的多晶硅层；设置于多晶硅层上覆盖了部分源区和阱区的隔离层；覆盖于隔离层上与源区和阱区连接的第一金属层；形成于第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及与第三半导体层连接的第二金属层；阱区的结弯曲处与第一半导体层接触；第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层的掺杂浓度；本发明有效缓减了器件导通压降与耐压之间的矛盾。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种MOS类功率器件的元胞结构-CN201010589626.2无效
发明人： 贾荣本;吴海平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS类功率器件的元胞结构，在所述元胞结构的俯视平面上，沿曲条形布置两条栅极，两条栅极之间的距离是变化的，在所述栅极之间布置有阱，在所述阱中布置源区，两条栅极之间还布置有接触孔，所述接触孔同时与所述源区和所述阱区相接触。本发明针对现有MOS类功率器件的元胞结构不够紧凑的缺点，提出的MOS类功率器件的元胞结构，能够使元胞结构的排布紧凑，降低MOS类功率器件的正向导通压降。
一种 mos 功率器件结构

[发明专利]一种具有背注增强结构的IGBT及其制造方法-CN201010270911.8无效
发明人：吴海平;贾荣本 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有背注增强结构的IGBT，属于晶体管结构领域。该发明将传统IGBT均匀的P+型集电极区改为N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。另外，本发明还提供了一种具有背注增强结构的IGBT的制造方法。本发明中IGBT的N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。增大了集电极区PN结的面积，达到了减小IGBT正向导通压降的目的。
一种具有增强结构 igbt 及其制造方法