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[发明专利]多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池-CN202110671811.4有效
发明人：于威;黄艳红;贾丽哲;刘林卿;时晓萌;刘啸宇;路万兵;丛日东 -专利权人：河北大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池。所述制备方法是在晶硅基底表面生长一层氧化硅层，再在氧化硅层表面沉积一层无掺杂初始晶硅氧化物薄膜，随后再沉积一层重掺杂初始晶硅氧化物薄膜，最后经高温退火再结晶，形成包含隧穿氧化层/多晶硅氧化物薄膜的多层薄膜钝化接触结构。本发明作为晶硅电池的正面钝化接触，保证了晶硅基底的光学吸收，提高电池的光学响应。本发明具有更高的热稳定性，在高温退火过程中，硅氧化物薄膜保护了介质层结构，增强了氧化驱动的钝化效果；硅氧化物薄膜阻挡了掺杂原子的进一步扩散，保持了重掺杂所带来的高能带弯曲，拓宽了高温退火过程的退火工艺窗口。
多层薄膜钝化接触结构制备方法太阳电池

[发明专利]一种空穴传输层的制备方法及晶硅太阳电池-CN202110671836.4有效
发明人：于威;刘林卿;黄艳红;贾丽哲;时晓萌;刘啸宇;路万兵;丛日东 -专利权人：河北大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种空穴传输层的制备方法及晶硅太阳电池。所述制备方法是在晶硅基底表面生长氧化硅层，然后在氧化硅层的表面原位沉积石墨烯薄膜，随后在石墨烯薄膜的表面涂覆Nafion溶液，经退火处理后，在石墨烯薄膜上形成混合了Nafion薄膜的石墨烯混合薄膜，最后刻蚀处理掉石墨烯混合薄膜表面的Nafion薄膜，使石墨烯薄膜露出，即得空穴传输层。本发明在晶硅基底上直接原位沉积石墨烯薄膜，无需金属催化衬底，避免传统转移方式对石墨烯薄膜造成的损害及缺陷杂质的引入。本发明采用旋涂法和等离子技术法制备石墨烯混合薄膜，实现石墨烯薄膜的化学掺杂，提升混合薄膜功函数的同时保证了薄膜的导电性，有利于石墨烯混合薄膜空穴传输层晶硅太阳电池光电转换效率的提升。
一种空穴传输制备方法太阳电池