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[发明专利]一种小角度斜坡结构及其制作方法-CN202110548246.2在审
发明人：陈思奇;焦继伟;费跃;刘京 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种小角度斜坡结构及其制作方法。该方法通过刻蚀待处理基底结构，在待处理基底结构内形成至少一个凹槽，在至少一个凹槽内填充牺牲材料，使至少一个凹槽的表面与待处理基底结构的表面齐平，在待处理基底结构的表面沉积第一薄膜层，刻蚀第一薄膜层，在第一薄膜层上形成开窗，开窗在待处理基底结构的表面的垂直投影位于牺牲材料在待处理基底结构的表面的垂直投影中，通过开窗释放凹槽内填充的牺牲材料，形成与凹槽对应的空腔，在第一薄膜层上沉积第二薄膜层，并填充开窗，形成具有密闭空腔的平面结构，利用气压差挤压平面结构至变形并形成斜坡，实现了可控的小角度斜坡结构，提高斜坡结构的稳定性和生产效率。
一种角度斜坡结构及其制作方法

[实用新型]高空扇一体式防爆变频驱动器控制箱-CN202023220835.8有效
发明人：费跃;费黎敦;费翔;费浩波 -专利权人：江苏可道智能科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及控制箱技术领域，且公开了高空扇一体式防爆变频驱动器控制箱，包括铝底板，铝底板的上表面固定连接有上下两端为开口设置的内壳体，铝底板的下表面固定连接有多个均匀分布的散热助片，内壳体的外侧滑动套设有匹配的外壳体，且外壳体为底端开口设置，内壳体的外侧壁上对称固定连接有支撑板，且支撑板的上表面与外壳体的底部沿边相贴合，外壳体的底部沿边上对称固定连接有插杆，支撑板上贯穿开设有与插杆相匹配的插孔，插杆穿过插孔设置，且插杆与铝底板之间通过定位机构相连接。本实用新型使得高空扇变频驱动器控制箱不仅具备良好的散热防爆性能，而且方便根据需要进行拆分维护。
高空体式防爆变频驱动器控制箱

[发明专利]一种基于粒子群追踪的相控阵列等强度聚焦优化算法-CN202110411244.9在审
发明人：王自平;费跃;周爱;陈向晖;田茂远;殷贺;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于粒子群追踪的相控阵列等强度聚焦优化算法，用于各向异性材料板结构，包括：确定复合材料板结构的材料及几何参数，构建有限元模型；计算单个通道激励下各个目标点的振幅及相对于阵元的相位差；利用相控阵声束聚焦函数，结合复合材料偏斜效应，构建线性阵列复合材料板声聚焦方程w(r,t)，作为目标函数；将确定的材料、几何参数以及步骤、相位差、振幅参数输入PSO算法中，利用获得的目标函数，运行PSO算法，多次运行获取合适的PSO参数，得到各个通道最佳的初始相位及幅值补偿值组合。本发明能够补偿应力波在传播过程中的结构阻尼和材料阻尼衰减的影响，实现可控强度激发。
一种基于粒子追踪相控阵强度聚焦优化算法

[发明专利]一种空腔结构的制备方法和微机电系统传感器-CN202110400939.7在审
发明人：陈思奇;焦继伟;费跃;刘京 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种空腔结构的制备方法和微机电系统传感器，空腔结构的制备方法包括提供衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有凹槽结构；在第一表面一侧制备至少两层平坦化层，平坦化层覆盖第一表面以及凹槽结构；平坦化层包括有机材料层，位于所述第一表面一侧的平坦化层的厚度小于位于凹槽结构一侧的平坦化层的厚度；减薄平坦化层以暴露出第一表面，平坦化层填充凹槽结构；在第一表面以及平坦化层表面制备悬空膜，并在悬空膜中制备窗口；通过窗口去除凹槽结构内的平坦化层，得到空腔结构，采用上述技术方案，空腔结构制备工艺简单，制备成本低。
一种空腔结构制备方法微机系统传感器

[发明专利]一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法-CN202110389130.9在审
发明人：费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法，红外热电堆传感器包括多个红外热电堆像素，红外热电堆像素包括衬底。衬底包括第一区域和第二区域。位于衬底一侧且位于第一区域的第一悬空膜以及位于衬底一侧且位于第二区域的第二悬空膜。位于第一悬空膜远离衬底一侧的N型热电堆、P型热电堆和开关电路。开关电路位于N型热电堆和P型热电堆之间。位于第二悬空膜远离衬底一侧的悬臂梁和开关信号导出结构，开关信号导出结构与开关电路电连接。通过将开关电路设置在N型热电堆和P型热电堆之间，有利于减少红外热电堆传感器的面积，提高红外热电堆传感器的填充因子，进而提升其灵敏度，降低制造成本，实现小型化。
一种红外热电传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法-CN202110389656.7在审
发明人：费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法，红外热电堆传感器包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，第一区域设置有悬空膜；位于悬空膜一侧且位于第一区域的多个加热电阻，位于悬空膜一侧且部分位于第一区域的多个热电堆结构；加热电阻上传输有加热电压信号，加热电阻用于在加热电压信号作用下发热；热电堆结构包括热端和冷端，热端位于第一区域，冷端位于第二区域，加热电阻的发热温度大于冷端温度。通过设置多个加热电阻，加热电阻的发热温度远大于相对于外部环境温度确定的冷端温度，以实现红外热电堆传感器在受到外部环境温度冲击时，红外热电堆传感器的探测依旧保持稳定，探测结果准确。
一种红外热电传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种热电堆传感器及其制作方法-CN202110389144.0在审
发明人：费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种热电堆传感器及其制作方法，热电堆传感器包括衬底、第一薄膜层、第二薄膜层、第三薄膜层、第一悬臂梁和第二悬臂梁；衬底包括凹槽区和环绕凹槽区的周边区；凹槽区内设置有第一支撑部和第二支撑部；凹槽区除第一支撑部和第二支撑部之外的区域的厚度小于周边区的厚度；第一薄膜层、第二薄膜层、第一悬臂梁和第二悬臂梁位于凹槽区；第三薄膜层位于周边区；第二薄膜层、第三薄膜层、第一悬臂梁和第二悬臂梁同层设置；第二薄膜层位于第一薄膜层远离衬底的一侧；第一薄膜层和第二薄膜层均用于吸收红外辐射。本发明实施例提供一种热电堆传感器及其制作方法，在不增加热电堆传感器尺寸的情况下，提高了热电堆传感器的灵敏度。
一种热电传感器及其制作方法

[发明专利]一种红外热电堆传感器及红外体温计-CN202110389640.6在审
发明人：费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器及红外体温计。该传感器包括封装结构、红外热电堆感测芯片以及滤光片，封装结构内具有容置空间，用于容置红外热电堆感测芯片，封装结构表面设置有第一开口，滤光片密封于第一开口上，封装结构内还设置有红外辐射挡板，红外辐射挡板位于红外热电堆感测芯片的入光侧，且设置有第二开口，第一开口和第二开口均位于红外热电堆感测芯片的红外光线的入射路径上，且第二开口小于或等于第一开口，红外辐射挡板用于阻挡封装结构本体产生的红外辐射，并透射由第一开口入射的红外辐射。本发明实现了减少封装结构本身的红外辐射的影响，提高在测温时探头受温度冲击后的测温精度，实现红外热电堆传感器的高稳定性。
一种红外热电传感器体温计

[发明专利]一种温度补偿红外热电堆传感器及红外体温计-CN202110389672.6在审
发明人：费跃;焦继伟;刘京;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种温度补偿红外热电堆传感器及红外体温计。该传感器包括封装结构、红外热电堆芯片以及滤光片，其中，红外热电堆芯片包括红外热电堆感测芯片和温度补偿参考芯片，封装结构内部具有容置空间，用于容置上述两个芯片，滤光片设置于封装结构的开口处，并位于入射至红外热电堆感测芯片的红外光线的路径上，红外热电堆感测芯片用于采集外部的红外辐射信号，温度补偿参考芯片用于采集封装结构的红外辐射信号，并对红外热电堆感测芯片的红外辐射信号进行补偿，利用温度补偿参考芯片对红外热电堆感测芯片的红外辐射信号进行补偿，能够准确的测出人体的真实温度，降低了红外热电堆传感器的测量误差，有效提高了测温精度。
一种温度补偿红外热电传感器体温计

[发明专利]一种压力传感器及其制作方法-CN202110089542.0在审
发明人：刘京;焦继伟;费跃;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种压力传感器及其制作方法，压力传感器包括：衬底和单晶硅压阻元件；所述衬底包括层叠设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层，所述单晶硅压阻元件设置在所述第三衬底层内。本发明实施例提供的压力传感器及其制作方法，在高温环境下，依然能保证压力传感器有较高的灵敏度。
一种压力传感器及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202011624015.7在审
发明人：焦继伟;刘京;费跃;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体结构包括器件层、隔绝层、腐蚀阻挡层、自限制腐蚀腔、第一腐蚀腔和衬底，器件层位于衬底的第一侧，自限制腐蚀腔位于衬底的第二侧，隔绝层和腐蚀阻挡层位于自限制腐蚀腔靠近器件层的一侧，且自限制腐蚀腔位于隔绝层和腐蚀阻挡层所限定的空间内，第一腐蚀腔位于自限制腐蚀腔远离器件层的一侧，且第一腐蚀腔与自限制腐蚀腔连通。本发明提供的半导体结构及其制作方法，通过使衬底的第二侧的自限制腐蚀腔由衬底的第一侧形成腐蚀阻挡层所限定，使得衬底的第一侧和第二侧的图案均可在衬底的第一侧进行定位和对准，且自限制腐蚀腔不受双面光刻的误差影响，提高了自限制腐蚀腔和器件层的对准精度。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种压电风速计及其制作方法-CN202011630529.3在审
发明人：焦继伟;刘京;费跃;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01P5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电风速计及其制作方法。其中，压电风速计包括衬底以及位于衬底一侧的至少一个悬臂梁结构，悬臂梁结构包括依次位于衬底一侧的第一电极层、压电层、第二电极层和应力匹配薄膜，悬臂梁结构向远离衬底的一侧弯曲。本发明提供的压电风速计及其制作方法，通过在衬底一侧设置至少一个悬臂梁结构，且悬臂梁结构包括依次位于衬底一侧的第一电极层、压电层、第二电极层和应力匹配薄膜，利用悬臂梁结构在制造过程中第一电极层、压电层、第二电极层及应力匹配薄膜残余应力的不同，使得悬臂梁结构向远离衬底的一侧翘曲一定角度，从而应用于风速的测量，该压电风速计具有精度高、结构简单、成本低的优点。
一种压电风速计及其制作方法

[发明专利]一种高空扇风量测定方法及测定机构-CN202011577383.0在审
发明人：费跃;陈早云;杨建华 -专利权人：江苏可道智能科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本发明涉及高空扇风量测定技术领域，且公开了一种高空扇风量测定方法及测定机构，包括底座，所述底座的上端固定连接有支撑杆，所述支撑杆上通过高度调节机构连接有滑杆，所述滑杆的上端固定连接有安装板，所述安装板的上端安装有转动机构，所述转动机构的输出端连接有安装架，所述安装架呈“十”字形设置，所述安装架上安装有若干个叶轮式风速仪，所述叶轮式风速仪穿过安装架设置，若干个所述叶轮式风速仪呈均匀等距分布设置；所述转动机构包括驱动电机。该高空扇风量测定方法及测定机构，可满足不同高度、不同大小的高空扇风量测量，进而能够对风量异常的设备进行及时保修维护，保障工业吊扇的使用安全。
一种高空风量测定方法机构

[发明专利]一种旋转结构的制备方法以及旋转结构-CN202010052774.4有效
发明人：焦继伟;刘京;费跃;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；第一斜坡凹槽的斜坡面和第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面；制备包括独立设置的第一下电极连接单元和第二下电极连接单元的第二半导体结构；采用键合工艺，将第一半导体结构设置在第二半导体结构之上；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；在第一半导体结构的第一表面侧制备上电极、第一下电极和第二下电极。本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。
一种旋转结构制备方法以及

[发明专利]一种旋转结构的制备方法以及旋转结构-CN202010052068.X有效
发明人：焦继伟;刘京;费跃;陈思奇 -专利权人：上海芯物科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种旋转结构的制备方法以及旋转结构，该方法包括：采用湿法腐蚀工艺制备第一半导体结构，其中，第一半导体结构包括位于第一表面的第一斜坡凹槽和位于第二表面的第二斜坡凹槽；第一斜坡凹槽的斜坡面和第二斜坡凹槽的斜坡面均为(111)晶面；采用湿法腐蚀工艺制备第二半导体结构，其中，第二半导体结构包括独立设置的第一半导体单元和第二半导体单元；在第一半导体结构的预设区域制备可旋转单元；上电极与可旋转单元电连接，第一下电极与第一半导体单元电连接，第二下电极与第二半导体单元电连接。本发明实施例提供的技术方案，制备的斜坡面的倾斜角度可以做到很小，且制备工艺简单，提升斜坡面的制备灵活度。
一种旋转结构制备方法以及