专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]提升5T比特单元读出稳定性的方法、5T比特单元和存储器-CN202310591082.0在审
  • 杨展悌;朱纪军 - 贝菲半导体技术(广东)有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-07-25 - G11C11/41
  • 本发明公开了提升5T比特单元读出稳定性的方法、5T比特单元和存储器,涉及存储技术领域,解决了5T比特单元在读出数据时容易出错的问题,其技术方案要点是:对第五晶体管施加正向偏压,以使得感测放大器所侦测的位线电压与二分一倍电源电压的差值变大;其中,感测放大器的一端与所述位线连接,另一端接入固定的二分一倍电源电压;第五晶体管是采用全耗尽型绝缘体上硅工艺制备所得到的晶体管。本发明利用FDSOI工艺制备得到晶体管具备正向偏压的特性,将较高的正向偏压电压施加在与位线连接的第五晶体管上,以拉大位线电压与VDD/2的差距,使得感测放大器稳定的侦测出位线BL的电平高低,从而大幅提升由5个晶体管组成的5T比特单元的读出的稳定性。
  • 提升比特单元读出稳定性方法存储器

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