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[发明专利]一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法-CN202310691428.4在审
发明人： 谭洪蕾;邵学亮;李开杰 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于高温烧结法得到的氧化铟钛钽铈靶材的制备方法，采用氧化铟铈钽钛前驱体经过烧结得到氧化铟钛钽铈靶材；所述烧结的工艺参数为：将氧化铟铈钽钛前驱体置于烧结炉中，以0.5‑1℃/min升温至600‑800℃，保温2‑3h，以0.8‑1.2℃/min升温至1200‑1350℃，进行保温时间为5～10h，继续以0.8‑1.2℃/min升温至1450‑1520℃，进行保温6‑8h，自然降温得到氧化铟钛钽铈靶材；氧化铟铈钽钛前驱体中含有氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈；氧化铟、氧化钛、氧化钽、氧化铈的摩尔比为81‑87：2‑8：1‑3：5‑11。该靶材采用梯度烧结的方式，实现了氧化铟钛钽铈靶材的导热性能的提高和电子迁移率的改善。同时，本发明还提供了该靶材。
一种基于高温烧结得到氧化铟钛钽铈靶材及其制备方法

[发明专利]一种Ln系元素掺杂In-Zn基氧化物靶材的金相显示方法-CN202310691431.6在审
发明人： 谭洪蕾;邵学亮;李开杰;顾德盛;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请属于靶材检测技术领域，公开了一种Ln系元素掺杂In‑Zn基氧化物靶材的金相显示方法，包括以下步骤，使用砂纸打磨、使用抛光液抛光、使用腐蚀液腐蚀、腐蚀后冲洗、干燥、金相显微镜下观察Ln系元素掺杂In‑Zn基氧化物靶材的表面，得到金相组织图像；所述腐蚀液有氢氟酸、盐酸、水制备得到，所述氢氟酸、盐酸、水的体积比为1～1.2：1～1.2：20，通过上述方法进行金相显示，得到了一种成像准确、晶界清晰的Ln系元素掺杂In‑Zn基氧化物靶材的金相组织图像。
一种 ln 元素掺杂 in zn 氧化物金相显示方法

[发明专利]一种蓝色IZO粉末及其制备方法-CN202211615697.4在审
发明人：李开杰;邵学亮;李晴晴;王奇峰;谭洪蕾 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种蓝色IZO粉末的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将氧化铟、氧化锌、二氧化锡、分散剂、纯水混合，得到浆料一；步骤2：将步骤1制得浆料一进行喷雾造粒，得到黄色IZO前驱体粉末；步骤3：将步骤2制得的黄色IZO前驱体粉末中加入还原剂，经乳化剪切机剪切后加入到高压釜中，经热处理后固液分离，得到蓝色沉淀物；步骤4：将步骤3制得的蓝色沉淀物用纯水洗涤、烘干、得到蓝色IZO粉末。通过该方法制备出的蓝色IZO粉末具有较高的氧空位浓度，进而提高了其载流子浓度和导电能力，此外，还公开了一种蓝色IZO粉末。
一种蓝色 izo 粉末及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟锌烧结靶及其制备方法-CN202211616118.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，公开了一种氧化铟锌烧结靶，由氧化锌、氧化铟、稀有金属氧化物为原料制备得到；氧化锌、氧化铟、稀有金属氧化物的重量比为6～13：87～94：0.001～0.2；氧化锌、氧化铟、稀有金属氧化物的D90粒度均为200‑300nm。该氧化铟锌烧结靶通过稀有金属氧化物改性并控制原材料粒径，可以有效的降低靶材的电阻率和气孔率，同时，本发明还公开了该烧结靶的制备方法。
一种氧化烧结及其制备方法

[发明专利]一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法-CN202211616206.8在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本申请涉及金属氧化物靶材制造领域，公开了一种氧化铟钼镨靶材的制备方法，包括以下步骤将In2O3粉末、MoO3粉末、Pr6O11粉末、分散剂混合并分散，分散后加入粘结剂混合，一起经湿法球磨得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，喷雾造粒后得到细粉与粗粉，将细粉与粗粉按一定比例混料后，得氧化铟钼镨靶材前驱体；将步骤2前驱体装入模具中进行真空成型，得到氧化铟钼镨素胚；将氧化铟钼镨素胚进行烧结，即得高密度的氧化铟钼镨靶材；本申请通过将大粒径的粗粉与小粒径的细粉混合，以制备出具有高致密度的氧化铟钼镨靶材，同时，我们惊奇地发现，当特定的粒径下，以特定的粗细粉比例制备出的氧化铟钼镨在具有较高成型率的同时又具有更加优异的致密度。
一种氧化铟钼镨靶材及其制备方法

[发明专利]氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法和改善氧化铟钛钽铈性能的方法-CN202211616110.1在审
发明人：李开杰;邵学亮;王奇峰;谭洪蕾;罗斯诗 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化铟钛钽铈粉末的制备方法，将含铟离子、钛离子、钽离子、铈离子的溶液和碱性沉淀剂反应，过滤得到沉淀，将沉淀经研磨、煅烧后制得氧化铟钛钽铈粉末；所述溶液中铟离子的浓度为0.4～1.5M；溶液和碱性沉淀剂反应的反应终点为溶液pH为中性。该方法制备出的氧化铟钛钽铈粉末中氧化钛、氧化钛、氧化铈和氧化铟的粒子分散均匀，用于靶材制作后氧化铈的分布均匀性极高，有效增加靶材的性能。同时，本发明还提供了该靶材的用途。
氧化铟钛钽铈粉末及其制备方法改善性能

[发明专利]一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法-CN202211626321.3在审
发明人： 谭洪蕾;邵学亮;李开杰;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为Zn/(Zn+In)＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材。本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。
一种溅镀用 izo 掺杂及其制备方法