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[发明专利]一种单铝的金属熔丝处理方法-CN200910243498.3无效
发明人：叶文正;谭志辉 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种单铝的金属熔丝处理方法，该方法包括：对晶圆钝化层上涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出金属熔丝区钝化层的第一开口；对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第一开口区域中的钝化层；对钝化层上重新涂的光刻胶进行曝光和显影处理，获得露出压焊点区域钝化层的第二开口；重新对晶圆进行气体刻蚀，去除所述第二开口区域中的钝化层。应用本发明实施提供的方法解决现有技术中因金属熔丝上钝化层的开口与压焊点钝化层的开口尺寸不一致，导致金属熔丝刻断或压焊点刻蚀后存在残留等问题。
一种金属处理方法

[发明专利]一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法-CN200910244051.8无效
发明人：谭灿健;谭志辉 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N型离子在高温炉管的推阱工艺中自动在衬底上形成N阱，从而减轻衬底浓度变化对PMOS管漏电的影响，达到改善电路静态电流失效的目的。
一种改善互补金属氧化物半导体静态电流失效方法

[实用新型]自喷井防喷管捞油装置-CN201020162837.3无效
发明人：庞红涛;周志峰;席连玉;王克军;谭志辉;李佩东;李自政;张军强;张鹏;王新卫 -专利权人：庞红涛;周志峰;席连玉;王克军;谭志辉;李佩东;李自政;张军强;张鹏;王新卫
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： E21B37/02 文献下载
摘要：自喷井防喷管捞油装置是一种油井捞油机械，它克服了其它技术存在的缺点，它的结构关系是：空心抽油杆的顶端是锥形，空心抽油杆的一端与焊接管的一端焊接一起，黑铁皮按顺时针缠绕在空心抽油杆上且焊接固定为螺旋状；焊接管的另一端与锥杆的一端丝扣连接；锥杆的另一端与摇把焊接一起；摇把外面有活套管；该装置研制成功后，经过试用，证明该装置切实有效，对于防喷管内死油较多的井最多捞油2次就可完全清除防喷管内的死油，具有安全，高效，捞油时间短的优点。该装置操作方便、快捷，大大缩短了操作人员的劳动时间和劳动强度，且安全环保不浪费油料。
自喷井喷管装置

[发明专利]一种制作P型金属氧化物半导体的方法-CN200810247075.4有效
发明人：李若加;谭志辉;黎智 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。通过本发明实施例提供的上述技术方案，在制作PMOS的过程中，通过再次注入N型离子中比磷离子原子量大一倍多的砷离子，从而使得硅片表面的离子浓度与传统工艺制作出的PMOS表面的离子浓度相比大很多，进而大大提高了源漏击穿电压。
一种制作金属氧化物半导体方法

[发明专利]一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法-CN200810240827.4有效
发明人：李如东;谭志辉;谭灿建 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节互补金属氧化物半导体的阈值电压的方法，主要包括：根据P型金属氧化物半导体的阈值电压VTP，确定P型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果对生成栅氧层后的硅片进行P型离子普注；根据N型金属氧化物半导体的阈值电压VTN以及所述P型离子的注入剂量以及能量，确定N型离子的注入剂量以及能量，并根据确定结果以及对所述硅片进行P阱光刻时使用的P阱光刻版对经过P型离子普注的硅片进行光刻以及N型离子注入。根据该技术方案能够准确地调节VTP以及VTN，并且节约了工艺成本。
一种调节互补金属氧化物半导体阈值电压方法

[发明专利]一种低压铝栅工艺实现方法-CN200810116072.7有效
发明人：黎智;谭志辉;李如东;李若加 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压铝栅工艺方法，对高浓度N型杂质注入区中N型离子的掺杂采用注入掺杂的方法替代传统低压铝栅工艺方法中使用炉管扩散掺杂的方法，使得N型离子的掺杂能够得到精确控制；并且使用LPTEOS工艺替代传统低压铝栅工艺中的LTO工艺，使得生长出的LPTEOS介质层相对致密，台阶覆盖性较好，产品批间均匀性较好，从一定程度上增强了工艺的稳定性和工艺质量。另外，由于采用P阱光刻版进行VTN的光刻，不需要再单独制作VTN光刻版，降低了工艺的成本。
一种低压工艺实现方法

[发明专利]用于通过计算机网络分发和显示信息的装置和方法-CN01809424.4无效
发明人： 谭志辉 -专利权人：戈特雷克有限公司
申请日： 2001-04-04 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： G06F17/60 文献下载
摘要：本发明提供一种通过计算机网络分发信息并且显示或播放该信息的方法，包括：当用户访问网络时，通过网络将信息从服务器传输到用户计算机；然后，在一个或多个预定时间显示或播放该信息。本发明提供一种对通过计算机网络分发信息进行控制的方法，包括：通过网络将信息从服务器传输到用户计算机；创建用户简档，包含有关那个用户的对传输给该用户的信息的使用信息，和有关该用户的个人信息；以及存储识别信息，用于在用户计算机而不是服务器上使用简档识别用户。
用于通过计算机网络分发显示信息装置方法

[实用新型]隔热浪板成型装置的表面材料供应、折制及输送改良结构-CN02200271.5无效
发明人：温成辉;谭永辉;谭志辉 -专利权人：温成辉;谭永辉;谭志辉
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： E04D3/35 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种隔热浪板成型装置的表面材料供应、折制及输送改良结构，主要是针对传统隔热浪板成型装置，其表面材料供料位置无法调整、折料不确实及浪板输送位置不稳定等缺陷进行改良设计；因此，本实用新型透过将供料框与机台以枢设结构型态连结，以使供料框可于机台上可进行调节移动；而本实用新型的折制结构，则是藉以内、外侧输组，进行料带的折边作业，以使折边被确实折制定型，因此料带折制后于转轮输运的过程中，折边不会自行恢复或变形；再者，本实用新型特别将输送结构其预定滚轮的侧边，成型有导凸缘结构；以使输送带于输运作的过程中，输送带得以受到导凸缘其导斜面的导引，而保持位于居中位置；借上述结构设计，本实用新型得以大幅提升成品品质。
隔热成型装置表面材料供应输送改良结构

[实用新型]灌注枪结构-CN02200270.7无效
发明人：温成辉;谭永辉;谭志辉 -专利权人：温成辉;谭永辉;谭志辉
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： B05C17/005 文献下载
摘要：一种混合效果佳、防漏效果佳及易拆装的灌注枪结构，是为消除常用合灌注枪混合结构常有混合不均、高压原料外漏的问题；在一灌注筒内制设若干混合原料的流道结构，并且在该灌注筒的各流道出口处制设向中心螺旋状集合的混合流道，而在该混合流外套设有一锥形出料杯，而在该锥形出料杯内套设有一锥形混合棒，该锥形混合棒上叠设有多片锥形混合碟片，并在各锥形混合碟片的不同侧向形成若干交错的混合流槽，运用该混合流道与锥形混合棒的结构可以让高压原料在交错冲击之下产生更佳的混合效果，并且该锥形混合棒为分离式设计，便于折装清理。
灌注结构

[实用新型]隔模式恒压出料阀结构-CN02200272.3无效
发明人：温成辉;谭永辉;谭志辉 -专利权人：温成辉;谭永辉;谭志辉
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： F16K17/02 文献下载
摘要：本实用新型是提供一种具有较佳恒压效果、可控制出料压力产生定量供给效果的隔膜式恒压出料阀结构，本实用新型主要目的是消除常用压力输送系统调压不稳定的问题，本实用新型解决之道是采用一中空阀体为主体，在阀体二侧分别对应制设一螺孔及一锥形出料口，并且在二者间滑设有一驱动活塞及一弹性隔膜，而该驱动活塞对应该螺孔制设有具弹簧的定位块，且该弹簧则被该螺孔内的一压力调整螺丝所压顶，另该驱动活塞对应该出料口制设有一锥形阀杆，在该阀体靠近出料口的一侧相对开设有一入料口及一回流口，并在靠近螺孔的一侧开设有一控制气孔；运用上述结构，本实用新型可以产生稳定的液气恒压，并控制出料压力产生定量供给效果，而若同时采用二组搭配操作时会产生更精确的恒压、定量效果。
模式压出结构

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