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[发明专利]微带滤波器单谐振器介电常数倒推方法-CN202310535941.4在审
发明人：钟清华;王聪玲;贾朋乐;韩玉成;谭天波 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及微带滤波器单谐振器技术领域，尤其是指微带滤波器单谐振器介电常数倒推方法，包括以下步骤；S1，多频点单枝节谐振器设计：首先使用HFSS、Sonnet等仿真软件按照厂家给定的介电常数进行单枝节谐振器的仿真；S2，多频点单枝节谐振器同片基片生产：将S1中仿真设计好的不同频点的单枝节谐振器全部放在同一片基片中进行生产；S3，单枝节谐振器的谐振频率测量和尺寸测量；S4，数据处理。本发明通过该方法得到的基片介电常数，由于其测定的方法是在生产薄膜产品的工艺线上正常进行的，其准确度非常高；并且由于使用了不同谐振频率的微带滤波器单谐振器，其介电常数与谐振频率相关联。
微带滤波器谐振器介电常数倒推方法

[发明专利]一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法-CN202111496479.9有效
发明人：庞锦标;舒国劲;韩玉成;袁世逢;谭天波;窦占明;周存龙;李淼 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B28B3/00 文献下载
摘要：一种具有孤岛结构的陶瓷基板的制备方法，属于共烧陶瓷技术领域。通过在生瓷片上打腔、叠层、小压力预压，制备带盲腔的生瓷基板；孤岛生坯制备、孤岛生坯嵌入生瓷基板的盲腔、大压力等静压、热切、排胶烧结，从而制备得到了一种具有高位置精度的陶瓷孤岛结构，可以应用于具有孤岛结构的陶瓷结构件、陶瓷模具等产品，实现0.5mm～100mm大小陶瓷孤岛的制备，孤岛形状多样化，包含正方形、长方形、圆形及异形结构，可以解决目前通过压制、注浆等方式难以制备小尺寸、高位置精度陶瓷孤岛的问题，同时可以节省模具成本，制备的带孤岛结构的陶瓷基板具有形状多样化、深径比可调、加工周期短等特点。广泛应用于具有孤岛结构的多层陶瓷基板领域。
一种具有孤岛结构陶瓷制备方法

[发明专利]一种微型玻璃基熔断器及其制备方法-CN202310547971.7在审
发明人：曾玉金;谭天波;韩玉成;李厚忠;杨舰;雷巧林 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01H85/08 文献下载
摘要：本发明属于熔断器技术领域，具体涉及一种微型玻璃基熔断器，包括基体，所述基体上设有导体金属，所述导体金属和基体之间设有打底层，所述导体金属金沉积在打底层上并划分成熔体层和表电极层，所述表电极层分布在左右两端并通过加厚的方式形成加厚表电极，所述熔体层的表面覆盖保护层，本发明一种微型玻璃基熔断器结构为单面金属层结构，其采用“熔体‑表电极”一体结构，摒弃传统表电极、背电极搭接结构，仅通过薄膜工艺即可完成，其外形结构简单、制造工序少，生产效率高、节约成本。
一种微型玻璃熔断器及其制备方法

[发明专利]一种环行器用微波复合基板及其制备方法-CN202211494539.8在审
发明人：舒国劲;窦占明;庞锦标;袁世逢;韩光学;谭天波;韩玉成 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：一种环行器用微波复合基板及其制备方法，属于电子元器件领域。所述微波复合基板包括高介电常数微波基板、高介电常数微波基板通孔、粘接剂、铁氧体柱；所述高介电常数微波基板通孔为若干个，均匀制作在高介电常数微波基板上；所述铁氧体为圆柱体，通过粘接剂嵌套于高介电常数微波基板通孔中。所述微波复合基板的制备方法，包括基板打孔制备、铁氧体柱制备、微波铁氧体复合基板的制备、烘干和烧结、研磨及抛光处理。结合电磁波传输理论，将高介电常数的微波介质基板与铁氧体进行复合，解决了现有基板材料介电常数低、磁损耗大、控制精度差、性能较差，不能满足微带环形器小型化工艺要求的问题。广泛应用于宽频带、小型化环行器中。
一种环行器用微波复合及其制备方法

[实用新型]一种微型平面芯片电感测试装置-CN202220655252.8有效
发明人：程晨;谭天波;韩玉成;李德银;庞锦标;贾朋乐 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种微型平面芯片电感测试装置，属于电子元器件测试领域。所述测试定位模块包括测试仪、高频测试夹具、微带、测试定位模块及绝缘限位机构。测试定位模块包括模块基片，模块表电极，定位腔，螺纹孔，模块端电极。所述绝缘限位机构包括推进螺钉、螺钉孔、绝缘限位块。测试定位模块通过微带与高频测试夹具连接，高频测试夹具与测试仪连接，所述两个对称绝缘限位机构通过推进螺钉推动绝缘限位块从两侧固定芯片电感；测试装置通过校准电感线进行短路校正。解决了现有技术不能用于测试平面结构芯片电感的问题。广泛应用于小尺寸平面芯片电感测试，或其他平面型两端口电子器件电性能测试。
一种微型平面芯片电感测试装置

[实用新型]一种平面芯片电感无损测试装置-CN202220655263.6有效
发明人：程晨;谭天波;韩玉成;李德银;庞锦标;贾朋乐 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种平面芯片电感无损测试装置，属于电子元器件测试领域。所述测试装置包括测试仪、高频测试夹具、测试定位模块、校准件、微带线。测试定位模块通过微带线与高频测试夹具连接，高频测试夹具通过另一微带线与所述测试仪连接，校准件与测试定位模块连接。测试定位模块包括模块基片、定位腔、底面电极、通孔、通孔金属化填充、定位腔表电极；校准件包括校准件基片、校准件表电极；校准件与定位腔的形状、结构及尺寸一致。解决了现有技术不能用于测试平面结构芯片电感的问题。广泛应用于小尺寸平面芯片电感测试，或其他平面型两端口电子器件电性能测试。
一种平面芯片电感无损测试装置

[发明专利]一种无损平面芯片电感测试组件及其制作方法-CN202210296977.7在审
发明人：程晨;谭天波;韩玉成;李德银;庞锦标;贾朋乐;曾玉金 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：一种无损平面芯片电感测试组件及其制作方法，属于电子元器件测试领域。所述测试组件包括底座、嵌入件和校准件。底座包括底座基片、定位腔、底座电极；嵌入件包括嵌入件基片、通孔、通孔金属化填充、嵌入件底电极、嵌入件表电极、嵌入件端电极；校准件包括校准件基片、校准件通孔、校准件通孔金属化填充、校准件底电极、校准件表电极、校准件端电极、校准件电极连线；校准件与嵌入件的形状、结构及尺寸一致，区别仅在于校准件的两个表电极间设置了校准件电极连线。所述制作方法为印刷、溅射方法或生瓷片印刷烧结法。解决了现有技术不能用于测试平面结构芯片电感的问题。广泛应用于小尺寸平面芯片电感测试，或其他平面型两端口电子器件电性能测试。
一种无损平面芯片电感测试组件及其制作方法

[发明专利]一种微型平面芯片电感测试定位模块及其制作方法-CN202210296979.6在审
发明人：程晨;谭天波;韩玉成;李德银;庞锦标;贾朋乐;曾玉金 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种微型平面芯片电感测试定位模块及其制作方法，属于电子元器件测试领域。测试定位模块包括基片、表面电极打底层、定位腔、端面电极打底层及电镀层。表面电极打底层位于基片的表面，定位腔位于陶瓷基片1的中部区域，定位腔的形状与平面芯片电感基本一致，平面尺寸略大于平面芯片电感，深度小于陶瓷基片的厚度，大于平面芯片电感的厚度；端面电极打底层位于基片对称的两端面，电镀层为金电镀层，覆盖表面电极打底层和端面电极打底层，构成表面及端面电极。制作方法为薄膜光刻、厚膜印烧、真空溅射或金属电镀法。解决了现有技术不能用于测试平面结构芯片电感的问题。广泛应用于小尺寸平面芯片电感测试，或其他平面型两端口电子器件电性能测试。
一种微型平面芯片电感测试定位模块及其制作方法

[实用新型]一种水轮机实时监测设备-CN202022280261.7有效
发明人：任方;孙小兵;张程辉;谭天波;刘超;管鑫 -专利权人：湖南省水运建设投资集团有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： F03B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水轮机实时监测设备，一种水轮机实时监测设备，包括壳体和主轴，壳体内由左至右依次设置有端面室、动力室和检测室，主轴上套设置有动力水轮；主轴的左侧端部设置在端面室内，主轴的右侧端部依次穿过动力室和检测室自由设置；端面室内设置有用于将信号传输至控制器的距离感应结构，距离感应结构朝向主轴左侧端部设置；检测室的侧壁设置有信息接收结构，主轴上套设置有检测筒，检测筒上设置有与信息接收结构配合的信息发送结构。本方案通过距离感应结构、信息发送结构以及信息接收结构的设置，能够同时对主轴水平位置和竖直位置的跳动进行监测，以提高检测数据的准确性，适宜推广使用。
一种水轮机实时监测设备

[发明专利]一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法-CN202010930888.4在审
发明人：庞锦标;舒国劲;韩玉成;袁世逢;钟清华;刘凯;谭天波;陈庆红 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法，包括：(1)制备不同种类的陶瓷基片；(2)陶瓷表面研磨与抛光处理；(3)对位孔、电路通孔、或热路通孔制备；(4)丝网印刷电路图形及粘接剂；(5)多个单层陶瓷片的销钉定位与堆叠；(6)固化或烧结。从而制备得到了一种具有高精度对位以及高可靠性的多层异质陶瓷结构，该种结构可以实现单层厚度0.15mm～1mm的异质陶瓷片进行多层对位堆叠及粘合，叠层数量2层～20层，可以解决熟瓷基片难以多层堆叠的问题，可用于多种陶瓷型电子元器件和组件模块，制备的产品具有性能优异、体积大幅度减小等优势，应用领域广、市场前景非常好。
一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠方法

[发明专利]一种多层异质熟瓷结构薄膜元器件及电路板制备方法-CN202010930887.X在审
发明人：庞锦标;王聪玲;韩玉成;袁世峰;谭天波;贾朋乐;朱雪婷;喻振宁;贺勇 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层异质熟瓷结构薄膜元器件及电路板制备方法，包括制备不同种类的陶瓷基片、陶瓷表面研磨与抛光处理、激光打孔、通孔填充、薄膜电路制备、丝印粘接相、多个单层陶瓷片的销钉定位与堆叠、固化或烧结、机械切割等步骤。从而得到了一种具有多层异质熟瓷结构的薄膜电子元器件或电路板，该种结构可以进行多层熟瓷电路板的对位堆叠，适用的单层熟瓷厚度范围0.2mm～0.5mm、叠层数量范围为2层～10层，可以解决多层共烧陶瓷技术(LTCC和HTCC)难以实现多层异质共烧、共烧后电路精度不高等问题，可用于多层异质陶瓷型电子元器件和组件模块，具有性能优异、体积大幅度减小等优势，应用领域广、市场前景非常好。
一种多层异质熟瓷结构薄膜元器件电路板制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件-CN201510200519.9有效
发明人：任广军;谭天波;刘迎;汪亚琦 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件，由石墨烯层、硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体构成，石墨烯层为单层石墨烯层；硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体相互耦合，石墨烯层平铺于硅质锯齿一维光子晶体上；硅和二氧化硅的相对介电常数分别为11.7、3.9，锯齿劈角为45°，空间重复周期为0.3μm。本发明的优点是该基于石墨烯的太赫兹吸收器件具有结构简单、尺寸小、制作方便、便于集成、吸收效率高等优点，为研制高效、微型的太赫兹吸收器件提供了新的方法。
一种基于石墨赫兹吸收器件

[发明专利]一种碳纳米管太赫兹天线-CN201510200520.1有效
发明人：任广军;汪亚琦;谭天波;刘迎 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种碳纳米管太赫兹天线，采用硅基底上碳纳米管嵌套结构，由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成，碳纳米管构成阵列设置于硅基底上，碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍，两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.01倍，交流电源位于两段碳纳米管之间的缝隙处，并与两边的嵌套材料铜线连接，整个天线的长度为入射波波长的0.5倍。本发明的优点是该碳纳米管太赫兹天线模型中，由于碳纳米管与铜线之间的耦合效应和碳纳米管之间的辐射叠加效应，使天线的辐射增益显著提高；结合太赫兹技术，碳纳米管太赫兹天线能够更好的应用在如国防系统的设备研究上。
一种纳米赫兹天线

[发明专利]一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射基底-CN201510200843.0有效
发明人：任广军;刘迎;汪亚奇;谭天波 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射基底,由石墨烯基底和在石墨烯基底上周期性排列的半导体点阵组成，石墨烯基底为边长3微米、厚度0.03微米的长方体；半导体点阵层的材料为InP或InSb，周期性点阵结构的排列形状为正方形，构成半导体点阵的粒子直径为0.6微米，高度为0.05‑0.1微米。本发明的优点是通过在基底表面上排列周期性半导体点阵结构产生较强的表面增强拉曼散射信号,可以提高灵敏度,降低检出限；在基底上排列半导体点阵结构在半导体制造工艺中是较为成熟的技术,使得太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射基底具有成本低廉、工艺简单、操作简便、拉曼信号增强效果和重复性好的特点。
一种赫兹波段半导体材料表面增强散射基底

[发明专利]一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针-CN201510198520.2有效
发明人：任广军;刘迎;谭天波;汪亚奇 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针,由单孔光纤和置于光纤腔内的半导体微纳粒子组成，单孔光纤材料为二氧化硅，单孔光纤长为3微米，外径为3微米，内径为2.8微米；半导体微纳粒子布满单孔光纤的整个内腔，半导体微纳粒子材料为GaAs或InAs，半导体微纳粒子直径为0.6微米；其制备方法,首先制备单孔光纤；然后将半导体微纳量级的粒子注入到单孔光纤中。本发明的优点是该制备方法操作简单、可重复性好、成本低廉并且环境友好；制备的探针具有表面增强型拉曼散射光学信号和具有载体性质的单孔光纤,易于实现光学探针的多功能,在药物装载运输,生物传感及探测等应用领域具有重要的应用价值。
一种赫兹波段半导体材料表面增强散射传感探针

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