专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种模拟乘法器电路-CN202311110731.7在审
  • 罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-10 - H03K19/003
  • 本发明涉及乘法器技术领域,公开了一种模拟乘法器电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和MOS管;在实际使用时,本发明流过第一晶体管的电流为输出电流,其为输入到第二晶体管的电流和从第四晶体管流出的电流的乘积在除以流过第三晶体管的电流,尽管从晶体管流过或者从晶体管流出的电流会受温度和工艺影响,但是在经过乘除运算后可以使输出电流不受温度和工艺的影响,从而使本发明具有极高的线性度;另外MOS管可以起到负反馈控制作用,可以使本发明的工作稳定性更高。
  • 一种模拟乘法器电路
  • [发明专利]一种原边反馈的反激变换器的采样电路-CN202311100617.6在审
  • 罗寅;肖会明;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司;四川甘华电源科技有限公司
  • 2023-08-30 - 2023-09-29 - H02M3/158
  • 本发明涉及开关电源技术领域,公开了一种原边反馈的反激变换器的采样电路,包括去磁时间检测模块、采样信号产生模块和采样信号宽度设置模块,其中去磁时间检测模块基于输入的PWM信号和反馈信号FB生成检测信号,采样信号产生模块基于检测信号生成第一反馈信号和第二反馈信号,第一反馈信号和第二反馈信号经过或非门处理后输出采样信号,采样信号宽度设置模块可以设置采样信号的脉宽;在使用时,本发明通过在检测信号的相邻两个周期中形成第一反馈信号和第二反馈信号,其中通过调整第一反馈信号的宽度和第二反馈信号的宽度以及对第一反馈信号和第二反馈信号进行异或处理可以改变本发明的反馈信号的采样点位置,从而能让采样点位置跟随去磁时间。
  • 一种反馈激变采样电路
  • [发明专利]一种电平位移电路-CN202311085953.8在审
  • 谭在超;刘建国;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-28 - 2023-09-29 - H03K19/0185
  • 本发明涉及电平位移技术领域,公开了一种电平位移电路,包括反相器X1、第一信号处理单元、第二信号处理单元、第一下拉单元、第二下拉单元、第三下拉单元、第四下拉单元、第五下拉单元、第六下拉单元、第一上拉单元、第二上拉单元、第一开关单元和第二开关单元,反相器X1的输入端与第一脉冲产生单元电连接;反相器X1的输出端与第二脉冲产生单元电连接;在实际使用时,低压逻辑信号输入到反相器X1,通过第一脉冲产生单元和第二脉冲产生单元来产生第一脉冲和第二脉冲,以及通过第一脉冲、第二脉冲和本发明的电路架构可以加速电平转换速度,提高响应速度,另外通过控制第一脉冲和第二脉冲的宽度可以控制MOS管的导通时间,从而能降低工作功耗。
  • 一种电平位移电路
  • [发明专利]一种带温度补偿的电流偏置电路-CN201910627056.2有效
  • 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2019-07-12 - 2023-09-29 - G05F1/567
  • 本发明涉及一种带温度补偿的电流偏置电路,包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路由第四至第五MOS管、第三至第六三极管和第二至第五电阻组成,温度补偿电路的输入端接电源VCC,输出端分别接第三MOS管、第二三极管和地,第一和第二三极管的个数比为1:n,第一至第三MOS管均采用PMOS管,第四至第五MOS管均采用NMOS管,第一、第二、第四至第六三极管均采用NPN型三极管,第三三极管采用PNP型三极管。该电路的温度特性调整或优化极为方便,可通过调节同一种类的第二至第五电阻的比例来实现电路的零温特性,从而大大提升生产工艺的一致性,提升产品良率。
  • 一种温度补偿电流偏置电路
  • [发明专利]一种SiC MOSFET及其制作工艺方法-CN202310836119.1有效
  • 罗寅;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-09-22 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种SiC MOSFET及其制作工艺方法,其可降低寄生体二极管的续流损耗,同时可确保SiC MOSFET正常导通及其反向耐压特性,SiC MOSFET包括自下而上依次分布的漏极金属层、衬底、漂移层、栅极绝缘层、栅极、分布于栅极两侧的源极金属层、P+Ge掺杂区、阱区、源区,P+Ge掺杂区、阱区、源区位于漂移层内,阱区位于漂移层的两侧顶部区域,P+Ge掺杂区纵向贯穿阱区后与漂移层接触,并将阱区分割为两个区域:条形区、L型区,源区位于L型区的直角内侧,P+Ge掺杂区的外侧端与条形区的内侧端接触,P+Ge掺杂区的内侧端与源区外侧端、L型区的底部侧端接触,源极金属层位于源区、P+Ge掺杂区顶端,P+Ge掺杂区与漂移层形成异质结。
  • 一种sicmosfet及其制作工艺方法
  • [发明专利]一种高效率光电池及其制造方法-CN202310915181.X有效
  • 罗寅;张胜;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-09-22 - H01L31/076
  • 本发明涉及光电池技术领域,公开了一种高效率光电池及其制造方法,其中光电池包括从上往下依次层叠的衬底、埋氧层、外延层和二氧化硅层;外延层上设有第一介质隔离层、第二介质隔离层和深P阱区,深P阱区上设有N阱区,N阱区的顶部设有第一P+离子注入区和第一N+离子注入区,外延层上在深P阱区和第二介质隔离层之间设有第二N阱区,第二N阱区的顶面设有第二N+离子注入区;深P阱区的顶面在第一介质隔离层和N阱区之间设有第二P+离子注入区;在实际使用时,本发明的光电池形成三个PIN结构,而光在循环多次经过三个PIN结构时都能产生光电流,从而提高了光电池对光的利用效率和转换效率。
  • 一种高效率光电池及其制造方法
  • [发明专利]一种负电压比较电路-CN202311069526.0在审
  • 罗寅;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-09-19 - H02M7/219
  • 本发明涉及电压比较技术领域,公开了一种负电压比较电路,包括向MOS管NM1、MOS管NM2和MOS管NM12提供偏置电流的偏置电流产生单元;MOS管NM2的源极用于输入检测电压,MOS管NM2的漏极与MOS管NM12的栅极电连接;MOS管NM12的源极接地;MOS管NM1的源极与温度补偿单元电连接;MOS管NM12的漏极与第一信号处理单元电连接;本发明在使用时通过MOS管NM1和温度补偿单元可以设置比较电压,而通过判断比较电压与检测电压的大小可以控制MOS管NM12的通断,控制MOS管NM12的通断可以决定MOS管NM12的漏极是否为低电平状态,而通过检测MOS管NM12的漏极电平状态可以判断检测电压是否小于比较点电压,无需引入额外的参考电压产生电路和负电源电路,从而节省了芯片面积和成本。
  • 一种电压比较电路
  • [发明专利]一种电源管理电路、方法和电源电路-CN202310840239.9有效
  • 罗寅;陈朝勇;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司;四川甘华电源科技有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-09-15 - H02M1/08
  • 本发明涉及电源管理技术领域,公开了一种电源管理电路、方法和电源电路,电源管理电路用于控制MOS管的通断,包括具有第一输入端、第二输入端和控制输出端的管理单元,第一输入端与MOS管的输入端电连接,第二输入端与MOS管的输出端电连接,控制输出端与MOS管的控制端电连接;管理单元在第一输入端的电压大于第二输入端的电压时调整控制输出端的电压使第一输入端的电压与第二输入端的电压的压差稳定,在第一输入端的电压小于第二输入端的电压时调整控制输出端的电压使MOS管关断;在使用时,由于通过MOS管来控制电源与外部负载的通断,而MOS管的正向导通压降低,从而能够降低电源电路的正向导通损耗,不需要散热,而且还能降低电源电路的反向漏电流。
  • 一种电源管理电路方法
  • [发明专利]一种恒跨导全摆幅运算放大器-CN201710699203.8有效
  • 邹颖;丁国华;谭在超;罗寅 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2017-08-15 - 2023-08-15 - G06F30/367
  • 本发明涉及一种恒跨导全摆幅运算放大器,包括依次相连接的轨到轨输入级、增益级和输出级,轨到轨输入级包括互补的PMOS差分对和NMOS差分对、PMOS差分对和NMOS差分对的尾电流源、NMOS差分对的负载电路;增益级包括自偏置共源共栅电流镜,PMOS差分对和NMOS差分对的PMOS管和NMOS管的源极连接自偏置共源共栅电流镜,输出级包括共源极连接的第一PMOS管和第一NMOS管、米勒补偿,第一PMOS管和第一NMOS管的栅极连接自偏置共源共栅电流镜,米勒补偿采用米勒补偿电容和补偿电阻串联实现。本运算放大器能够有效保证输入级跨导在全电压工作范围内的恒定,整个电路结构的稳定性好,也扩宽了运放的工作电压范围,可用于低压应用,同时也提高了运放的共模抑制比。
  • 一种恒跨导全摆幅运算放大器
  • [实用新型]一种用于开关电源的斜坡补偿电路-CN202320517727.1有效
  • 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-03-17 - 2023-07-25 - H02M1/08
  • 本实用新型涉及斜坡补偿技术领域,公开了一种用于开关电源的斜坡补偿电路,包括电流镜单元、控制开关K1、电容C1和电阻R1;电流镜单元包括主电流镜支路和从电流镜支路,从电流镜支路镜像主电流镜支路的电流,并向电容C1输入充电电流,电容C1通过电阻R1接地;控制开关K1与电容C1并联;在实际使用时,让外部信号输入到电阻R1未接地的一端,当控制开关K1未导通时,充电电流向电容C1充电,电容C1一端的电压是电容C1的电压与外部信号的电压叠加,因此只需让外部比较器与电容C1一端电连接便能得到补偿后的信号,从而简化了开关电源中的补偿信号产生所需要的电路的结构。
  • 一种用于开关电源斜坡补偿电路
  • [发明专利]一种功率管过流检测电路-CN202310449259.3有效
  • 谭在超;陈朝勇;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-07-21 - G01R31/26
  • 本发明涉及过流检测技术领域,公开了一种功率管过流检测电路,用于检测流过功率管的电流是否过流,包括基准开关管、驱动单元、偏置电流产生单元、第一判断电流产生单元、第二判断电流产生单元、电压检测单元、比较单元和信号处理单元;在实际使用时,本发明并不是检测功率管的压降,在功率管的压降大于阈值时才实现过流检测,而是通过设置基准开关管,以及通过输出反应基准开关管的压降大小的第一判断电流和输出反应功率管压降大小的第二判断电流,并基于第一判断电流和第二判断电流的比较结果进行过流检测,这样可以避免温度对功率管的过流检测准确性的影响,从而能准确检测功率管是否出现过流,进而能及时对功率管进行过流保护,避免功率管烧毁。
  • 一种功率管检测电路
  • [发明专利]开关管电流检测电路和桥式驱动电路-CN202310487761.3有效
  • 谭在超;涂才根;罗寅;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-05-04 - 2023-07-07 - H02M1/00
  • 本发明涉及场效应管驱动技术领域,公开了开关管电流检测电路和桥式驱动电路,开关管电流检测电路包括镜像管、第一电流镜单元和钳压单元,在实际使用时,本发明通过让镜像管的输入端与被测开关管的输入端电连接、通过让镜像管的控制端与被测开关管的控制端电连接,以及通过钳压单元使镜像管的输出端与被测开关管的输出端的电压相同,这样镜像管可以镜像流过开关管的电流,并输出采样电流,然后通过第一电流镜单元对采样电流复制,得到复制电流,最后基于复制电流和第一电流源单元的电流大小可以检测是否过流,从而可以不用电阻就能实现过流检测,而通过控制镜像管的镜像比例可以控制采样电流的大小,从而可以控制电流采集时的功耗。
  • 开关电流检测电路驱动
  • [发明专利]一种相对电源的电压产生电路-CN202310431872.2有效
  • 罗寅;谭在超;丁国华 - 苏州锴威特半导体股份有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-07-07 - G05F1/56
  • 本发明涉及电压产生技术领域,公开了一种相对电源的电压产生电路,包括电源输入端VCC、驱动电路、负载支路、第一开关管和第二开关管,驱动电路包括中间电压输出端,驱动电路在电源输入端VCC的电压大于等于第一阈值电压时驱动第二开关管关断、驱动第一开关管导通,由于中间电压输出端向第一开关管的控制端提供的第一驱动电压与电源输入端VCC的电压具有固定的相对压差,因此第一开关管的输入端与电源输入端VCC的压差相同固定,将电源输入端与第二开关管的输入端的压差作为输出的电源电压时,本发明可以提供相对稳定的电源电压。
  • 一种相对电源电压产生电路

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