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[发明专利]具有改进的源极/漏极接触的金属氧化物TFT-CN201280028314.1有效
发明人： 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种在金属氧化物半导体薄膜晶体管中形成欧姆源极/漏极接触的方法，包括在薄膜晶体管构造中提供栅极、栅极电介质、具有带隙的高载流子浓度金属氧化物半导体有源层和隔开的源极/漏极金属接触。隔开的源极/漏极金属接触在有源层中限定沟道区。相邻于沟道区提供氧化氛围，并且在氧化氛围中加热沟道区，以降低沟道区域中的载流子浓度。可替换地或者另外地，每个源极/漏极接触都包括位于金属氧化物半导体有源层上的低功函数金属的超薄层和位于低功函数金属上的高功函数金属的势垒层。
具有改进接触金属氧化物 tft

[发明专利]稳定的无定形金属氧化物半导体-CN201410171285.5有效
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及稳定的无定形金属氧化物半导体。本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。
稳定无定形金属氧化物半导体

[发明专利]具有未图案化的蚀刻停止的MOTFT-CN201480062664.9在审
发明人：俞钢;谢泉隆;于尔根·穆佐尔夫;法特·弗恩格;肖田 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种制造高迁移率半导体金属氧化物薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：沉积半导体金属氧化物材料层、在所述MO材料层上沉积蚀刻停止材料的覆盖层、以及在所述蚀刻停止材料的覆盖层上图案化源极/漏极金属层，所述图案化包括：将所述源极/漏极金属层蚀刻为源极/漏极端子，所述源极/漏极端子被设置为在所述半导体金属氧化物层中限定沟道区域；至少在所述源极/漏极端子之下，所述蚀刻停止材料在垂直于所述覆盖层的平面的方向上导电，以提供所述源极/漏极端子中的每一个与所述半导体金属氧化物沟道材料层之间的电接触。所述蚀刻停止材料还具有化学鲁棒性，以在蚀刻工艺期间保护所述半导体金属氧化物沟道材料层。
具有图案蚀刻停止 motft

[发明专利]自对准金属氧化物TFT-CN201480066603.X在审
发明人： 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了制造MO TFT的方法，其包括在透明基板上布置不透明栅极金属以界定栅极区域。沉积栅极电介质材料覆在所述栅极金属和周围区域上面，并在其上沉积金属氧化物半导体材料。在所述半导体材料上沉积蚀刻终止材料。布置在所述半导体材料中界定隔离区域的光致抗蚀剂，所述蚀刻终止材料和所述光致抗蚀剂可被选择性除去。从所述基板的后表面曝光所述光致抗蚀剂并除去曝光的部分，留下的蚀刻终止材料除了覆在所述栅极金属上面并与所述栅极金属对准的一部分以外是未覆盖的。蚀刻所述半导体材料的未覆盖部分以隔离所述TFT。利用所述光致抗蚀剂，选择性蚀刻所述蚀刻终止层，留下的一部分覆在所述栅极金属上面并与所述栅极金属对准以及在所述半导体材料中界定通道区域。沉积和图案化导电材料以形成源极和漏极区域。
对准金属氧化物 tft

[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT-CN201610115701.9在审
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了双重自对准金属氧化物TFT。具体，本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。
双重对准金属氧化物 tft

[发明专利]稳定高迁移率的MOTFT和低温下的制备-CN201480030005.7在审
发明人： 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格;于尔根·穆佐尔夫 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种制备稳定高迁移率的非晶MOTFT的方法，包括提供其上形成有栅极的衬底和位于栅极之上的栅极电介质层的步骤。通过溅射沉积在栅极电介质层上的载流子传输结构，该载流子传输结构包括邻近于栅极电介质的非晶高迁移率的金属氧化物的层和沉积在所述非晶高迁移率的金属氧化物的层上的材料的相对惰性的保护层，该两层以无氧和在原位的方式来被沉积。非晶金属氧化物的层具有大于40cm²/Vs的迁移率和处于大约10¹⁸cm^-3到大约5x10¹⁹cm^-3的范围的载流子浓度。源极/漏极接触位于所述保护层之上并与之形成电接触。
稳定迁移率 motft 低温制备

[发明专利]显示器和发光面板中的保留了相邻关系的LED裸片分散-CN201380057501.7在审
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了一种将半导体芯片从半导体芯片的晶圆分散到基板上并同时保留每个芯片与各个毗邻芯片的相邻关系的方法。该方法包括：将所述晶圆分散为半导体芯片的顺序列并同时保留相邻关系，这些列之间具有第一间距；以及，将所述半导体芯片的列依次在基板上分散为离散芯片的行并同时保留相邻关系，这些行之间具有第二间距。
显示器发光面板中的保留相邻关系 led 分散

[发明专利]具有改进的温度稳定性的金属氧化物TFT-CN201380066569.1在审
发明人： 谢泉隆;法特·弗恩格;于尔根·穆佐尔夫;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化物薄膜晶体管，其包括金属氧化物半导体沟道，所述金属氧化物半导体具有处于第一能级的导带。所述晶体管还包括覆盖所述金属氧化物半导体沟道的至少一部分的钝化材料层。所述钝化材料具有处于第二能级的导带，所述第二能级等于所述第一能级或比所述第一能级高不到0.5eV。
具有改进温度稳定性金属氧化物 tft

[发明专利]具有MOTFET的像素化成像器和工艺-CN201380065558.1有效
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：一种制造像素化成像器的方法，其包括：提供基板，该基板具有底部接触层和接触层上的感测元件覆盖层。用沟槽将覆盖层分成感测元件的阵列，沟槽将相邻的感测元件隔离。感测元件电极与各感测元件相邻地形成，上覆于沟槽并且限定TFT。在上覆电极的电介质层上和限定与各TFT相邻的感测元件的覆盖层被暴露的上表面上，形成金属氧化物半导体(MOS)材料层。在各TFT上沉积金属层，并且将金属层分成在感测元件电极的相对侧上的源/漏电极。用于形成S/D电极之一的金属与上覆于所述半导体层的被暴露表面的MOS材料相接触，由此，阵列中的各感测元件通过MOS材料电连接到相邻的TFT。
具有 motfet 像素化成工艺

[发明专利]具有激光通孔和切口的栅极的阳极化-CN201410784099.9在审
发明人：俞钢;谢泉隆;杨开霞 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及具有激光通孔和切口的栅极的阳极化，尤其涉及在有源矩阵的每个MOTFT中形成栅极电介质的方法，该方法包括，在基板上沉积栅极金属层并图案化栅极金属，以限定MOTFT矩阵，每个MOTFT含有栅电极，每一列中的所有栅电极由栅极金属线连接在一起，并且每一列中的线在一端处由栅极金属桥接部分连接到相邻的下一个列中的线。栅极金属被阳极化以形成栅极电介质材料层。半导体金属物氧化物层沉积在阳极化的栅极金属上，并被图案化以限定用于每个MOTFT的有源层。源极/漏电极形成在用于每个MOTFT的金属氧化物层上，并且，使用激光切断桥接部分，该桥接部分将每个栅极金属线电连接到相邻的下一个栅极金属线。
具有激光切口栅极阳极

[发明专利]用于MOFET的掩膜层级减少-CN201380027784.0在审
发明人： 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格;李刘中 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：用减少的掩膜操作制造TFT和IPS的方法，包括衬底、栅极、在该栅极上的且包围衬底表面的栅极介电层、和在该栅极介电层上的半导体金属氧化物。沟道保护层覆盖了栅极以在半导体金属氧化物中限定沟道区域。在沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物的部分上图案化S/D金属层以限定IPS区域。在S/D端子上和在IPS区域的相对侧图案化有机介电材料。蚀刻S/D金属以暴露出限定第一IPS电极的半导体金属氧化物。钝化层覆盖了第一电极并在该钝化层上图案化透明导电材料层以限定覆盖第一电极的第二IPS电极。
用于 mofet 层级减少

[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT-CN201380008194.3在审
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01J1/62 文献下载
摘要：一种在透明基板上制造金属氧化物TFT的方法，包括步骤：在基板的正面上定位不透明的栅极金属区域，沉积覆盖栅极金属以及周围区域的透明栅极介电层和透明金属氧化物半导体层，在半导体材料上沉积透明钝化材料，在钝化材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除曝光部分，蚀刻钝化材料以留下限定沟道区域的钝化区域，在钝化区域上沉积透明导电材料，在导电材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除未曝光部分，以及蚀刻导电材料使得在沟道区域的相对侧留下源极和漏极区域。
双重对准金属氧化物 tft

[发明专利]在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件-CN201410187523.1在审
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件。该制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用并通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。
衬底制造半导体器件方法以及

[发明专利]掩模数目减少的自对准金属氧化物TFT-CN201280045617.4有效
发明人： 谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种在透明衬底上制造MOTFT的方法，其包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置限定栅极区域的不透明栅极金属，在所述衬底的正面上沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的栅极电介质材料，以及在所述栅极电介质材料上沉积金属氧化物半导体材料。在所述半导体材料上沉积蚀刻终止材料。在所述蚀刻终止材料上布置光致抗蚀剂，所述蚀刻终止材料和所述光致抗蚀剂可被选择性去除，并且所述光致抗蚀剂限定所述半导体材料中的隔离区域。去除蚀刻终止的未覆盖部分。使用所述栅极金属作为掩模从所述衬底的背面使所述光致抗蚀剂曝光并且去除曝光部分以使得除了覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的部分以外的蚀刻终止材料是未覆盖的。蚀刻所述半导体材料的未覆盖部分以隔离TFT。使用所述光致抗蚀剂，选择性蚀刻所述蚀刻终止层以留下一部分蚀刻终止层覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准并且限定所述半导体材料中的沟道区域。在所述蚀刻终止层上和所述半导体材料上沉积导电材料并将所述导电材料图案化以在所述沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。
数目减少对准金属氧化物 tft

[发明专利]用于提高MOTFT中的稳定性的驱动方法-CN201280010478.1无效
发明人： 谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种驱动显示装置的方法，该方法包括提供包括像素行和像素列的像素阵列，每个像素包括开关/驱动晶体管电路和至少一个发光装置。每行像素具有扫描线，并且每列像素具有数据线。该方法进一步包括限定帧周期并且将帧周期划分成写入子帧、显示子帧和休眠子帧，在帧周期期间，在像素阵列中的每个像素被寻址。在写入子帧期间，扫描脉冲被供应至每条扫描线，数据信号被供应至每条数据线，并且发光装置被禁用。发光装置在显示子帧期间被启用，并且开关/驱动晶体管电路被禁用。在休眠子帧期间，休眠脉冲被供应至所有的扫描线并且发光装置被禁用。
用于提高 motft 中的稳定性驱动方法

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