专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]智能充电系统及其通信方法-CN202110928637.7在审
  • 黄建铭;谢昕佑;陈育安 - 太普动力新能源(常熟)股份有限公司
  • 2021-08-13 - 2023-02-17 - H02J7/00
  • 本申请公开一种智能充电系统及其通信方法。所述智能充电系统包括:电池模块与充电器通过单一线路以通信协定进行通信,所述通信协定包括:电池模块的电池管理系统接收充电器所设定的第一电压准位超过第一默认时间,作为充电器与电池模块连接的依据;以及当充电器与电池模块连接后,多个通信电压准位基于默认时序通过单一线路传送于充电器与电池管理系统之间,用以建立充电器与电池管理系统之间的信息交换。因此,可解决现有技术中充电器与电池模块之间因双线通信需要占据过多空间的问题,减少通信线路的数量,且降低电池模块与充电器之间的通信成本。
  • 智能充电系统及其通信方法
  • [发明专利]形成半导体元件的方法-CN202110509390.5在审
  • 赖冠颖;谢昕佑;王长茂;邱崇益 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-05-11 - 2022-11-11 - H01L27/092
  • 本发明公开一种形成半导体元件的方法,包括:提供一基底,具有一第一元件区域和一第二元件区域;沉积一金属氮化物阻障层,覆盖所述第一元件区域和所述第二元件区域;沉积一钛层,在所述金属氮化物阻障层上;从所述第二元件区域中选择性地去除所述钛层,从而显露出所述第二元件区域中的所述金属氮化物阻障层;以及将所述第一元件区域中的所述钛层转变为一氮化钛层,其中,所述氮化钛层是所述第一元件区域中的一功函数层。
  • 形成半导体元件方法
  • [发明专利]降低微负载效应的蚀刻方法-CN201510294310.3有效
  • 苏柏文;王志坚;吴承璋;谢昕佑;吕水烟 - 联华电子股份有限公司
  • 2015-06-02 - 2020-07-21 - H01L21/308
  • 本发明公开一种降低微负载效应的蚀刻方法,包含在一基底上分别形成一高密度结构和一低密度结构,之后形成一第一材料层覆盖高密度结构和低密度结构,并且部分的低密度结构由第一材料层曝露出来,然后形成一第二材料层覆盖第一材料层,然后蚀刻第二材料层,以移除位于高密度结构上的第二材料层和移除位于低密度结构上的部分的第二材料层,接着同时蚀刻位于高密度结构上的第一材料层以及位于低密度结构上的第二材料层,之后蚀刻位于高密度结构上和低密度结构上的第一材料层,使得高密度结构曝露出一第一部分,低密度结构曝露出一第二部分,最后移除第一部分和第二部分。
  • 降低负载效应蚀刻方法

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